pio

darpa ma to do siebie, ze potrafi wykladac pieniadze na rozne, z pozoru dziwne badania. fundusze rzedu 0.5 mln $ na czysto testowe projekty nie sa niczym zaskakujacy. jesli stoi za tym jakis naprawde zysk w sensie poznawczym, a przede wszystkim aplikacyjnym, to im sie to oplaca. niedawno gdzies czytalem o sporych dotacjach na prjekty zwiazane z czytaniem ludzkich mysli. brzmi troche fantastycznie, ale celem jest tworzenie oraz przekazywanie wiadomosci, a wlasciwie nowa jakosc tych operacji. potencjalne zastosowanie, to oczywiscie m.in. pole walki. taki zolnierz moglby w myslach sklecic e-mail'a i przeslac go w odpowiednie miejsce, np. do bazy lub innego oddzialu.

[drobne uwagi] to nie Fabian tylko ludzie z holandii zrobili te strukture ('But now Jansen and his colleagues have successfully injected spin electrons en masse into everyday silicon at room temperatures'). Fabian tylko wypowiadal sie. swoja jest chyba teoretykiem. nie jest to, az takie wyzwanie. wystarczy pole magn. i temp. cieklego azotu. w pracy (z referencji art. z 'nature') pisza, ze nadal sa to temp. ponizej 150 K. gdyby zrobic funkcjonalne urzadzenie dzialajace w temp. ciekego azotu, to juz teraz moznaby myslec o zastosowaniach nie tylko specjalistycznych. niskie temp. byly w pracach z 1999 (pionierskich jakby mozna je nazwac), np. Ohno tudziez Fiederling ( http://www.nature.com/milestones/milespin/full/milespin23.html ) w polprzewodnikach nie trzeba trasportowac elektronow, zeby ustawic spiny w polprzewodnikach. poniekad tak wynika z tekstu jest cos takiego jak oddzialywanie RKKY ( http://en.wikipedia.org/wiki/RKKY_interaction ), ktore ma zastosowanie do elektronow w polprzewodnikach polmagnetycznych. ono, mowiac na wyrost, zalatwia sprawe polaryzacji. problemem jest takze wspomniana tutaj dekoherencja, czyli wlasnie utrzymanie polaryzacji spinowej, czy jakby to nazwac stanu, na trasie zrodlo-odbiornik. natomiast arsenek galu (GaAs) nie jest taki drogi. plytke o srednicy 3 cali mozna sobie kupic detalicznie za ok. 100-150 $. oczywiscie krzem jest pewnie o wiele tanszy, ale jesli wziac pod uwage ile na takiej 3-calowej plytce mozna zrobic urzadzen, to nie jest to zbyt wygorowana cena. zeby byc bardziej scislym autor z 'nature' pisze o nim egzotyczny, co moim zdaniem jest mniej lekkim naduzyciem ( http://pl.wikipedia.org/wiki/Arsenek_galu ). niemniej trzeba miec na uwadze, ze krzem nadal kroluje. jednak sa prace teoretyczne Dietla (nasz rodak), ktore pokazuja mozliwosci innych polprzewodnikow. wrecz slawny jest obrazek (np. http://www.scielo.br/scielo.php?pid=S0103-97332004000400005&script=sci_arttext - ostatni) pokazujacy, ze GaN oraz ZnO moga byc ferromagnetykami w temp. pokojowej. ps. a propos.. ten tlenek aluminium, czy tez glinu (jak kto woli), to po prostu szafir

pole magn. ziemi jest ponizej 1 Gausa. magnesem neodymowym mozesz wytworzyc 10 tys. Gausow. nie wiem ile jest w stanie wytworzyc np. tel. komorkowy, ale jest to na pewno sporo wiecej niz pole ziemskie. chociazby dlatego, zeby sygnal nie byl zaburzany. odnosnie pola magn. i emg, to jest cos takiego jak prawo Faradaya (vide http://pl.wikipedia.org/wiki/R%C3%B3wnania_Maxwella ). urzadzenia, o ktorych mowa, z zalozenia nie sa przeznaczone dla pol stalych. moj znajomy nabyl niedawno magnetyczna myszke. jest to taki pad pod myszke, podlaczany przez usb do komputera. myszka jest oczywiscie wireless. niby wszystko swietne, ale problem jest z obcymi polami. wystarczy polozyc obok telefon i po robocie.

przepraszam, ze znowu wtrace trzy grosze. drobna uwaga - substancje wykazujace charakterystyczne zmiany fazowe w wiecej niz jednym parametrze (w tym przypadku ferroelektryczne i ferromagnetyczne) nazywaja sie zgrabnie mutliferroikami. niedawno, przy okazji art. 'Początek produkcji pamięci zmiennofazowych', wspomnialem o tellurku germanu (GeTe). GeTe, ktory jest ferroelektrykiem w temperaturach ponizej ok. 300 stopni Celcjusza. dodajac do niego mangan mozna wytworzyc material ferromagnetyczny Ge1-xMnxTe. wraz ze zwiekszaniem zawartosci manganu wieksza sie temperature krytyczna, tj. temp. przejscia ferromagnetycznego, tzw. temperature Curie, ktora obecnie szacuje sie maksymalnie na ok. 150 K. co prawda tutaj powstaje problem, gdyz jednoczesnie obniza sie temp. kryt. przejscia ferroelektrycznego, ktore powinno zanikac calkowicie przy ok. 30-35% manganu. niemniej material jest obiecujacy, a w szczegolnosci bardziej skomplikowane sturktury, np. warstwowe. sam zwiazek jest stosunkowo prosty technologicznie, tj. nie sa wymagane np. wysokie cisnienia. ma prosta kubiczna strukture krystaliczna, zblizona do soli kuchennej, do ktorej zreszta przechodzi w stanie paraelektrycznym, co pozwala na latwe sprzezenie tego materialu z polprzewodnikami obecnie wykorzystywanymi w elektronice.

[na miejscu autora pokusilbym sie o sprostowanie] 'W większości materiałów elektrony mają masę, jednak w grafenie jej nie mają (...)' - blad. nie w wiekszosci materialow, a we wszystkich elektron ma mase, ktora mozna sprawdzic np. w wikipedii. w opisie elektronu jest ona jedynie zmodyfikowana poprzez obecnosc otoczenia (np. jony matrycy), a dokladniej wynika ze struktury energetycznej w danym materiale. nazywa sie ja masa efektywna i o niej tutaj mowa. w przypadku grafenu pasma te maja zaleznosc liniowa (jak tutaj http://www.nanotech-now.com/news_images/27396.jpg). natomiast masa efetywna jest rowna zero w punkcie styku tych pasm, tzw. pkt Diraca (na obrazku to te 'dziubki' stozkow). ma to swoje konsekwencje, jesli uwzgledni sie, ze transport w ciele stalym odbywa sie glownie przy udziale elektronow z poziomu Fermiego, a to niekoniecznie jest w okolicach dna pasma (z naciskiem na raczej rzadki przypadek). [kilka uwag] ta liniowa zaleznosc, opisana powyzej, wystepuje tylko w przypadku grafenu, czyli pojedynczej warstwy. gdy warstwy beda dwie, zaleznosc robi sie juz paraboliczna. zrobic jedna warstwe nie jest tak prosto. zerowa wartosc przerwy pomiedzy pasmami wystepuje tylko dla warstw nieskonczonych (czytaj: dostatecznie duzych). jesli taka warstwe nieco sie przytnie, to przerwa pomiedzy pasmami zaczyna sie otwierac, a jej wartosc zalezy od rozmiaru (odwrotnie proporcjonalnie E_g ~ 1/rozmiar). stad np. pomysl wytwarzanie zlacz zbudowanych z paskow grafenu o roznej szerokosci. nazywa sie to bodajze cutting edge electronics. ulamkowy kwantowy efekt halla w grafenie rozni sie nieco do tego obserwowanego dla innych materialow. zdanie 'Odkrycie naukowców z Rutgers University powinno zachęcić innych specjalistów do badań nad grafenem, dowodzą one bowiem, że materiał ten może w przyszłości zastąpić krzem.' jest lekkim cofnieciem sie w czasie grafen juz w tej chwili cieszy sie bardzo szerokim zainteresowaniem. niestety pozostaje problem wytwarzania. nie wiem czy nie sklamie, ale o ile dobrze pamietam, to 1 cm^2 kosztowalby ok. 100 mln dolarow. oczywiscie, gdyby udalo sie wyprodukowac taka powierzchnie. obecnie prym wioda chyba anglicy, ale polacy rowniez sie tym zajmuja. mam nadzieje, ze z sukcesem w nieodleglym czasie.

byc moze to bylo tylko 'badanie terenu' ? kiedys, bo dajze dwa lata temu, byl taki cyber-atak rosjan na infrastrukture informatyczna estonii i bylo dosc powaznie.

w ramach troski to raczej mogliby na powaznie zabrac sie za reklamy w tv, tj. glosnosc podczas ich odtwarzania. kiedys mialo byc jakies rzowiazanie w tej sprawie, ale chyba tylko na pomysle sie ostalo.

bodajze w tym roku przyznano chyba ok. 400 mln zl na centra obliczeniowe, wiec moze cos sie w niedalekim czasie pojawi.

niestety ucielo link :/ Nanosecond switching in GeTe phase change memory cells http://www.epcos.org/epcos2009/Posters2009/PosterGBruns.pdf

oprocz koreanczykow oczywisce inni rowniez maja na tym polu sukcesy. nie wiem na jakim materiale pracuja korenczycy, ale typowymi sa tutaj Ge2Sb2Te5 lub domieszkowane Sb2Te3. natomiast ostatnie doniesienia* niemcow (bazujacych na czystym GeTe) mowia o czasach przelaczania co najwyzej 16 ns, nawet rzedu 1 ns. dodatkowo prognozuja, ze poprzez optymalizacje mozna zejsc z rozmiarami komorki do 20 nm. * np. Nanosecond switching in GeTe phase change memory cells

mowiac o ferromagnetyzmie mamy na mysli raczej rownolegle ustawienie magnetycznych momentow pedu elektronow, ktore na obrazku prezentowane sa przez strzalki zwiazane z obiektami. same elektrony, z natury rzeczy, trudno byloby 'ustawic'. natomiast ferromagnetyzm niekoniecznie musi byc procesem spontanicznym. najczesciej, do wytworzenia uporzadkowania ferromagnetycznego, stosuje sie zewnetrzne pole magn.