Jump to content
Forum Kopalni Wiedzy
Sign in to follow this  
KopalniaWiedzy.pl

Początek produkcji pamięci zmiennofazowych

Recommended Posts

Samsung rozpoczął produkcję zmiennofazowych pamięci RAM (PRAM). Układy o pojemności 512 megabitów przeznaczone są dla telefonów komórkowych i innych niewielkich urządzeń zasilanych bateriami. Jeśli Samsungowi szybko uda się wdrożyć produkcję na dużą skalę, to wyprzedzi na rynku firmę Numonyx, wspólne przedsięwzięcie Intela i STMicroelectronics.

Zmiennofazowe układy RAM (PRAM - phase-change random access memory) to pamięci nieulotne, co oznacza, że przechowywane w nich informacje nie zostają utracone po odłączeniu zasilania.

Pojedyncza komórka pamięci PRAM zbudowana jest z diod i trójwymiarowej struktury tranzystorów. Samsung informuje też, że pojedyncza komórka pamięci PRAM ma powierzchnię jedynie 0,0467 mikrometra kwadratowego, a więc jest obecnie najmniejszą powierzchnią zdolną do przechowywania informacji, w której sąsiadujące ze sobą komórki nie zakłócają się wzajemnie.

Dodatkową zaletą PRAM jest fakt, że przeciwieństwie do używanych obecnie układów flash, stare dane nie muszą zostać najpierw wykasowane, by można było zapisać nowe informacje. Samo kasowanie odbywa się też znacznie szybciej. Nowy układ usuwa informacje ponad 10-krotnie szybciej niż kości NOR flash, a 5-megabitowe bloki danych są usuwane i ponownie zapisywane w czasie 7-krotnie krótszym.

Koreańska firma obiecuje, że dzięki wykorzystaniu PRAM urządzenia zasilane bateriami będą pracowały o 20% dłużej.

Układy zostaną stworzone w 60-nanometrowym procesie produkcyjnym. Ich cena nie jest znana.

Share this post


Link to post
Share on other sites

wow ... brzmi niezwykle obiecujaco. Osobiscie chcialbym zobaczyc dazenie do wyprodukowania nie tylko supermalych/szybkich/lekkich urzadzen, ale przy tym i superwytrzymalych. W koncu nie od dzis pojawila sie tendencja wychodzenia z elektronika w swiat zewn, ktory nie nalezy do szczegolnie laskawych dla urzadzen elektronicznych.

Poki co tendencja w projektowaniu komponentow i urzadzen elektronicznych wydaje sie byc jednak inna.

Share this post


Link to post
Share on other sites

oprocz koreanczykow oczywisce inni rowniez maja na tym polu sukcesy. nie wiem na jakim materiale pracuja korenczycy, ale typowymi sa tutaj Ge2Sb2Te5 lub domieszkowane Sb2Te3. natomiast ostatnie doniesienia* niemcow (bazujacych na czystym GeTe) mowia o czasach przelaczania co najwyzej 16 ns, nawet rzedu 1 ns. dodatkowo prognozuja, ze poprzez optymalizacje mozna zejsc z rozmiarami komorki do 20 nm.

 

* np. Nanosecond switching in GeTe phase change memory cells

Share this post


Link to post
Share on other sites

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.
Note: Your post will require moderator approval before it will be visible.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Paste as plain text instead

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.

Sign in to follow this  

×
×
  • Create New...