Zaloguj się, aby obserwować tę zawartość
Obserwujący
0
W USA powstaną kolejne fabryki półprzewodników. Pierwsze efekty CHIPS and Science Act
dodany przez
KopalniaWiedzy.pl, w Technologia
-
Podobna zawartość
-
przez KopalniaWiedzy.pl
Szukasz sposobu na zwiększenie swojego kapitału? Rozważasz inwestycję w nieruchomości? Jeśli tak, to właściwie trafiłeś! W tym artykule przedstawimy Ci kluczowe informacje na temat tego, jak zakup mieszkania może być świetną inwestycją. Przeczytaj dalej, aby dowiedzieć się, jak osiągnąć wysokie zyski i wyprzedzić konkurencję.
Dlaczego warto zainwestować w nieruchomości?
Inwestycja w nieruchomości to jedna z najbardziej dochodowych opcji na rynku. W przeciwieństwie do innych form inwestowania, jak np. giełda, zakup mieszkania daje Ci trwały, fizyczny produkt, który możesz wynająć lub sprzedać w przyszłości. Nieruchomości zwykle zyskują na wartości wraz z upływem czasu, co oznacza, że Twoja inwestycja może przynieść duże zyski.
Lokalizacja to klucz
Gdy planujesz zakup mieszkania jako formę inwestycji, wybór odpowiedniej lokalizacji jest niezwykle istotny. Wybierając atrakcyjną lokalizację, zapewnisz sobie większą pewność zysków. Szukaj miejsc o dobrej infrastrukturze, łatwym dostępie do komunikacji miejskiej, bliskości punktów handlowo-usługowych i atrakcyjnych terenów rekreacyjnych. Warto również sprawdzić, czy w okolicy planowane są inwestycje infrastrukturalne, które mogą przyczynić się do wzrostu wartości nieruchomości w przyszłości. Dzięki wygodnej mapie nieruchomości na stronie Korter możesz szybko i łatwo zlokalizować wszystkie nowe inwestycje mieszkaniowe w Gdańsku, Krakowie, Warszawie i wielu innych miastach.
Analiza rynku nieruchomości
Zanim dokonasz zakupu, wykonaj dokładną analizę rynku nieruchomości. Sprawdź średnie ceny mieszkań w danej lokalizacji, trendy wzrostu cen oraz wskaźniki zwrotu z inwestycji. Dobrze jest skonsultować się z ekspertami, którzy posiadają wiedzę na temat lokalnego rynku nieruchomości. Zdobywanie informacji i analiza danych to kluczowe elementy, które pomogą Ci podjąć trafną decyzję inwestycyjną.
Rozważ różne strategie inwestycyjne
Na rynku nieruchomości istnieje wiele różnych strategii inwestycyjnych. Możesz zdecydować się na zakup mieszkania pod wynajem długoterminowy, co zapewni Ci stabilne dochody z czynszu. Inną opcją jest zakup mieszkania w celu przeprowadzenia remontu i późniejszej odsprzedaży z zyskiem. Możesz również rozważyć inwestowanie w nieruchomości komercyjne lub gruntowe. Wybór odpowiedniej strategii zależy od Twoich preferencji, budżetu i analizy rynku.
Finansowanie inwestycji
Zakup nieruchomości często wymaga sporych nakładów finansowych. Dlatego warto wcześniej dobrze przemyśleć i zaplanować finansowanie inwestycji. Istnieje wiele opcji, takich jak kredyty hipoteczne, inwestorzy prywatni lub partnerstwa inwestycyjne. Wybierz rozwiązanie, które najlepiej odpowiada Twoim potrzebom i możliwościom finansowym. Pamiętaj, że planowanie i odpowiednie zabezpieczenie finansowe to klucz do sukcesu inwestycji.
Monitorowanie i zarządzanie nieruchomością
Po zakupie nieruchomości ważne jest jej odpowiednie monitorowanie i zarządzanie. Jeśli wynajmujesz mieszkanie, dbaj o utrzymanie wysokiego standardu, odpowiednią obsługę najemców i regularne przeglądy techniczne. Dobre zarządzanie nieruchomością przyniesie Ci nie tylko zadowolenie najemców, ale także zapewni długoterminowe korzyści finansowe.
Podsumowanie
Podsumowując, zakup mieszkania jako inwestycję może być doskonałym sposobem na zwiększenie swojego kapitału. Kluczem do sukcesu jest wybór odpowiedniej lokalizacji, dokładna analiza rynku, zastosowanie odpowiednich strategii inwestycyjnych oraz monitorowanie i zarządzanie nieruchomością. Pamiętaj, że inwestycje wiążą się z ryzykiem, dlatego warto skonsultować się z ekspertami przed podjęciem decyzji.
« powrót do artykułu -
przez KopalniaWiedzy.pl
Po ponad dwóch latach prac obie izby amerykańskiego Kongresu przyjęły CHIPS and Science Act, ustawę, która ma zachęcić do inwestycji w amerykański przemysł półprzewodnikowy. Przewiduje ona wydatkowanie z budżetu federalnego 52 miliardów USD w ciągu pięciu lat i zezwala na udzielenie 25-procentowej ulgi podatkowej na budowę lub rozbudowę zakładów produkujących półprzewodniki lub urządzenia do ich wytwarzania. Ustawa to część pakietu o wartości 280 miliardów dolarów, który ma zwiększyć konkurencyjność USA na polu nowych technologii.
Ze wspomnianych 52 miliardów dolarów 39 miliardów przeznaczono na granty na budowę nowych fabryk, 11 miliardów trafi do federalnych programów badawczych zajmujących się półprzewodnikami, a 2 miliardy zostanie wydatkowane na projekty obronne związane z mikroelektroniką. Dodatkowo 200 milionów dolarów otrzyma Narodowa Fundacja Nauki, a pieniądze te mają zostać przeznaczone na promowanie wzrostu siły roboczej w przemyśle półprzewodnikowym. Departament Handlu ocenia, że do roku 2025 USA będą potrzebowały dodatkowych 90 000 osób pracujących w tym przemyśle. Twórcy ustawy przeznaczyli też 500 milionów dolarów na koordynację z zagranicznymi partnerami rządowymi rozwoju technologii bezpieczeństwa informatycznego, telekomunikacyjnego, działań na rzecz łańcucha dostaw w przemyśle półprzewodnikowym, w tym na rozwój bezpiecznych technologii komunikacyjnych, półprzewodnikowych i innych.
Eksperci mówią, że ustawa będzie miała olbrzymi wpływ na rozwój przemysłu półprzewodnikowego w USA. Zwracają uwagę przede wszystkim na ulgę podatkową, dzięki której warunki budowy fabryki półprzewodników w USA będą podobne, jak budowa za granicą. Ustawa nie tylko ma stworzyć wiele dobrze płatnych miejsc pracy czy zapobiec w USA niedoborom półprzewodników, których cały świat doświadczył w związku z przerwaniem łańcuchów dostaw w czasie pandemii. Nie mniej ważne jest bezpieczeństwo. Obecnie 90% najbardziej zaawansowanych półprzewodników produkowanych jest na Tajwanie. Chiny uznają ten kraj za swoją zbuntowaną prowincję i ciągle grożą jej „odzyskaniem”. Dlatego też Państwo Środka z uwagę przygląda się wojnie na Ukrainie. Jeśli Zachód dopuści, by Rosja podbiła Ukrainę, może to zachęcić Chiny do ataku na Tajwan. Nawet jeśli taki atak by się nie powiódł, mógłby on wywołać długotrwałe problemy z dostawami półprzewodników.
Wielcy producenci już od pewnego czasu zwiększają swoją obecność w USA. GlobalFoundries rozbudowuje kosztem 1 miliarda USD swoje zakłady w Malcie w stanie Nowy Jork, TSMC buduje kosztem 12 miliardów dolarów fabrykę w Arizonie, samsung planuje wydać 17 miliardów USD na fabrykę w pobliżu Austin i zapowiada, że w przyszłości może zainwestować w USA nawet 200 miliardów dolarów. Intel zapowiedział budowę fabryki w Ohio. Firma chce na nią wydać 20 miliardów USD, ale mówi wprost, że wielkość inwestycji będzie zależna od dofinansowania na podstawie CHIPS Act. Koncern zapowiedział też, że – przy odpowiednim wsparciu rządowym – jest gotów zainwestować kolejnych 100 miliardów USD w ciągu najbliższych 10 lat.
Ustawa będzie miała olbrzymi wpływ na innowacje w USA, mówi Russell T. Harrison, dyrektor amerykańskiego oddziału Instytutu Inżynierów Elektryków i Elektroników, który od początku był zaangażowany w prace nad tym aktem prawnym.
« powrót do artykułu -
przez KopalniaWiedzy.pl
Intel potwierdził, że kosztem ponad 20 miliardów dolarów wybuduje nowy kampus w stanie Ohio. W skład kampusu wejdą dwie supernowoczesne fabryki półprzewodników, gotowe do produkcji w technologii 18A. To przyszły, zapowiadany na rok 2025 proces technologiczny Intela, w ramach którego będą powstawały procesory w technologii 1,8 nm. Budowa kampusu rozpocznie się jeszcze w bieżącym roku, a produkcja ma ruszyć w 2025 roku.
Intel podpisał też umowy partnerskie z instytucjami edukacyjnymi w Ohio. W ich ramach firma przeznaczy dodatkowo 100 milionów dolarów na programy edukacyjne i badawcze w regionie. "To niezwykle ważna wiadomość dla stanu Ohio. Nowe fabryki Intela zmienią nasz stan, stworzą tysiące wysoko płatnych miejsc pracy w przemyśle półprzewodnikowym", stwierdził gubernator Ohio, Mike DeWine.
To największa w historii Ohio inwestycja dokonana przez pojedyncze prywatne przedsiębiorstwo. Przy budowie kampusu zostanie zatrudnionych 7000 osób, a po powstaniu pracowało w nim będzie 3000osób. Ponadto szacuje się, że inwestycja długoterminowo stworzy dziesiątki tysięcy miejsc pracy w lokalnych firmach dostawców i partnerów.
Kampus o powierzchni około 4 km2 powstanie w hrabstwie Licking na przedmieściach Columbus. Będzie on w stanie pomieścić do 8 fabryk. Intel nie wyklucza, że w sumie w ciągu dekady zainwestuje tam 100 miliardów dolarów, tworząc jeden z największych na świecie hubów produkcji półprzewodników.
Tak olbrzymia inwestycja przyciągnie do Ohio licznych dostawców produktów i usług dla Intela. Będzie ona miała daleko idące konsekwencje. Fabryka półprzewodników różni się od innych fabryk. Stworzenie tak wielkiego miejsca produkcji półprzewodników jest jak budowa małego miasta, pociąga za sobą powstanie tętniącej życiem społeczności wspierających dostawców usług i produktów. [...] Jednak rozmiar ekspansji Intela w Ohio będzie w dużej mierze zależał od funduszy w ramach CHIPS Act, stwierdził wiceprezes Intela ds. produkcji, dostaw i operacji, Keyvan Esfarjani.
Nowe fabryki mają w 100% korzystać z energii odnawialnej, dostarczać do systemu więcej wody niż pobiera oraz nie generować żadnych odpadów stałych.
« powrót do artykułu -
przez KopalniaWiedzy.pl
Firma Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC), największy na świecie producent układów scalonych na zlecenie, poinformowała, że wybuduje fabrykę półprzewodników w Japonii. To już druga tego typu zapowiedź w ostatnim czasie. Przed kilkoma miesiącami TSMC ogłosiła, że zainwestuje 12 miliardów dolarów w budowę nowej fabryki w Arizonie.
Prace budowlane w Japonii rozpoczną się przyszłym roku, a masowa produkcja chipów ma rozpocząć się w roku 2024. Japoński zakład będzie wyposażony w linie do produkcji w technologii 22 i 28 nanometrów. Będzie więc mniej zaawansowany technologicznie niż fabryka w Arizonie, gdzie powstanie 7-nanometrowa linia technologiczna. W Kraju Kwitnącej Wiśni z taśm produkcyjnych TSMC będą zjeżdżały podzespoły dla produktów konsumenckich, przemysłu samochodowego oraz Internet of Things.
Dyrektor wykonawczy TSMC, C.C. Wei, poinformował, że firma otrzymała pomoc od japońskiego rządu i swoich japońskich klientów. Nie ujawnił wartości inwestycji, ale zrobił to premier Japonii Fumi Kishida, który poinformował parlament, że budowa pochłonie 8,8 miliarda USD, a część kosztów weźmie na siebie rząd.
Japońska prasa dowiedziała się, że fabryka powstanie w prefekturze Kumamoto na zachodzie kraju, na ternie należącym do Sony i w pobliżu fabryki Sony, w której powstają matryce światłoczułe. Taka lokalizacja ma spory sens, gdyż Sony jest największym japońskim klientem TSMC.
Światowy przemysł wciąż ma poważny problem z dostępnością półprzewodników. Niedawno Apple poinformował że najprawdopodobniej będzie zmuszony zmniejszyć tegoroczną produkcję iPhone'ów 13 nawet o 10 milionów sztuk. Do zmniejszenia produkcji została zmuszona też Toyota.
Pandemia z pełną mocą ujawniła, jak bardzo producenci elektroniki z Europy, USA i Japonii są uzależnieni od chińskich, tajwańskich i południowokoreańskich producentów półprzewodników. Rozpoczęto więc działania, które mają zapobiegać tego typu sytuacjom w przyszłości. Sekretarz Handlu USA zaproponowała przeznaczenie 52 miliardów dolarów na badania nad półprzewodnikami i ich produkcję, Europa chce zwiększyć swoje możliwości produkcyjne, podobnie robi też Japonia. Na Uniwersytecie Tokijskim powołano dwie specjalne organizacje – Research Association for Advanced Systems (RAAS) oraz d.lab – których celem będzie ułatwienie wymiany technologicznej. W ramach RAAS, do której wstęp jest ograniczony, firmy takie jak TSMC, Hitachi czy Toppan mogą wymieniać się swoim know-how oraz korzystać z wyników zaawansowanych badań materiałowych, fizycznych i chemicznych prowadzonych na Uniwersytecie Tokijskim.
« powrót do artykułu -
przez KopalniaWiedzy.pl
Systemy bezprzewodowego ładowania uwalniają nas od kabli i konieczności pamiętania, gdzie zostawiliśmy ładowarkę. Wciąż jednak musimy mieć dostęp do maty czy stacji ładującej, a komercyjnie dostępne systemy zwykle ograniczają się do możliwości bezprzewodowego ładowania smartfonów czy szczoteczek elektrycznych. Jednak na Uniwersytecie Tokijskim powstał system, który pozwala na bezpieczne ładowanie urządzeń w dowolnym miejscu pomieszczenia. Co więcej, system jest skalowany do tego stopnia, że w wielkie stacje ładowania można zamieniać np. całe fabryki czy magazyny.
Wczesne próby bezprzewodowego przesyłania energii polegały na wykorzystaniu promieniowania elektromagnetycznego np. w formie mikrofal.Jednak ich wykorzystanie jest niebezpieczne. Współcześnie technologie takie znacznie udoskonalono i to do tego stopnia, że trwają prace nad bezprzewodowym przesyłaniem energii pozyskiwanej z przestrzeni kosmicznej. Jednak tego typu systemy wymagają stosowania zespołów anten oraz złożonych urządzeń do śledzenia pozycji odbiornika.
Znacznie bezpieczniejszym sposobem przesyłania energii jest wykorzystanie magnetycznego sprzężenia indukcyjnego. Tutaj jednak pojawia się problem gwałtownego spadku natężenia pola magnetycznego wraz z odległością. Dlatego też ładowany smartfon musi leżeć na macie ładującej lub zaraz obok niej.
Główny autor wspomnianych badań badań, doktor Takuya Sasatani z Wydziału Inżynierii Elektrycznej i Systemów Informacyjnych oraz jego koledzy – Yoshihiro Kawahara z Uniwersytetu Tokijskiego i Alanson P. Sample z University of Michigan – opracowali technikę nazwaną kwazistatycznym rezonansem wnękowym (QSCR – uasistatic cavity resonance). Korzysta ona z przewodzących powierzchni wbudowanych w ściany pomieszczenia oraz przewodzącym słupem na jego środku. Razem tworzą one trójwymiarowe pole magnetyczne, które ładuje urządzenia dzięki dołączonym do nich niewielkim odbiornikom. Te będzie można, oczywiście, wbudować w same urządzenia. Naukowcy wybudowali na potrzeby badań niewielki aluminiowy pokój testowy o wymiarach 3x3x2 metry i wykazali, że są w stanie zasilać w dowolnym jego miejscu smartfony, żarówki czy wentylatory. Niezależnie od tego, jak są ustawione meble czy gdzie znajdują się ludzie.
Nasze rozwiązanie pozwala na dostarczenie dziesiątków watów mocy w dowolnym miejscu pomieszczenia. Inne technologie nie dają takich możliwości. W porównaniu z obecnie stosowanymi matami czy stacjami ładującymi, mamy tutaj pełną swobodę jeśli chodzi o pozycję ładowanego urządzenia, mówi Sasatani.
Jednym z problemów, które musieli pokonać była likwidacja szkodliwego pola elektrycznego. Poradzili sobie z tym problemem umieszczając we wnękach w ścianach rodzaj kondensatorów, dzięki którym ich urządzenie generowało pole magnetyczne „wydobywające się” ze ścian, a pole elektryczne zostało uwięzione w kondensatorach. Kolejnym wyzwaniem było zapewnienie obecności pola magnetycznego w każdym miejscu pokoju. Badacze uzyskali to tworząc liczne pola 3D. Jedno z nich było generowane z kolumny w centrum pokoju, inne znajdowały się w rogach.
Efektywność energetyczna takiego rozwiązania przekracza 37% w dowolnym miejscu pomieszczenia. Testy bezpieczeństwa pokazały, że system może dostarczyć do dowolnego punktu pokoju co najmniej 50 watów, bez przekraczania zaleceń dotyczących natężenia pola elektromagnetycznego. Jednak Sasatani przyznaje, że przeprowadzono bardzo wstępne badania i konieczne są bardziej szczegółowe eksperymenty, by sprawdzić, czy system jest bezpieczny.
Mimo, że QSCR znajduje się dopiero na wstępnych etapach rozwoju, niewykluczone że w przyszłości ta lub podobne technologie zrewolucjonizują nasze życie. Dzięki nim bowiem możliwe byłoby umieszczenie komputerów, inteligentnych urządzeń czy robotów w dowolnym punkcie pomieszczenia, bez potrzeby pamiętania o ich ładowaniu. Jednym z poważnych wyzwań, przed którymi może stanąć nowa technologia jest konieczność dostosowania już istniejących pomieszczeń. O ile nowe budynki można by projektować i wznosić z myślą o użyciu ich jako wielkich bezprzewodowych ładowarek, to istniejące wymagałyby poważnych przeróbek. Sasatani jest jednak optymistą. Być może w przyszłości powstaną odpowiednie przewodzące farby i wystarczy pomalować już istniejące pomieszczenie, stwierdza.
Szczegółowy opis technologii znajdziemy na łamach Nature Electronics.
« powrót do artykułu
-
-
Ostatnio przeglądający 0 użytkowników
Brak zarejestrowanych użytkowników przeglądających tę stronę.