Znajdź zawartość
Wyświetlanie wyników dla tagów 'pamięci' .
Znaleziono 23 wyników
-
Na Uniwersytecie Stanowym Karoliny Północnej powstał materiał, który umożliwi przechowywanie informacji z 20 płyt HD DVD na powierzchni około 1 cm2. Nowy materiał jest dziełem zespołu pracującego pod kierunkiem doktora Jagdisha Naryana i profesora Johna C. C. Fana. Naukowcy wykorzystali technologię domieszkowania, podczas której do materiału dodaje się obce jony lub atomy, zmieniając właściwości materiału. Amerykańscy uczeni dodali do tlenku magnezu metaliczny nikiel. Uzyskany w ten sposób materiał zawierał klastry atomów niklu, których rozmiary nie przekraczały 10 nanometrów kwadratowych. To 10-krotnie mniej, niż można uzyskać przy obecnie wykorzystywanych technikach. W ten sposób możliwe będzie 50-krotne zwiększenie pojemności układów scalonych. W układzie, który dotychczas mieścił 20 gigabajtów danych, będzie możliwe zapisanie terabajta informacji.
-
Kingston zaprezentował pierwszy zestaw układów pamięci o pojemności 12 gigabajtów stworzony z myślą o współpracy z intelowskimi procesorami z rodziny Core i7. Zestaw składa się z trzech 4-gigabajtowych kości taktowanych zegarem 1600 MHz. Ich timingi wynoszą 9-9-9-27. Urządzenia z serii HyperX pracują przy napięciu 1,65V. Trzykanałowe układy tworzą najbardziej pojemny zestaw z rodziny HyperX. Są jednocześnie najdroższym spośród dostępnych na rynku pakietem pamięci. Trzeba za nie zapłacić 1400 dolarów.
-
Badacze z Lawrence Berkeley National Laboratory dowiedli, że pole elektryczne może posłużyć do przełączania stanów w multiferroikach. To z kolei umożliwi wykorzystanie w przyszłości tych materiałów do przechowywania danych zarówno za pomocą zjawisk magnetycznych jak i spintronicznych. Multiferroiki to materiały charakteryzujące się jednocześnie więcej niż jedną cechą materiałów ferroikowych. Ich cztery podstawowe właściwości to ferromagnetyzm, ferroelektryczność, ferroelastyczność i ferrotoroidalność. Najpierw jego zespół wzbogacił żelazian bizmutu o akceptory jonów wapnia, gdyż zwiększają one ilość prądu, który może przepłynąć przez BiFeO3. Spowodowało to powstanie pozytywnie naładowanych wakancji tlenowych. Po przyłożeniu pola elektrycznego, wakancje te stały się ruchome. Powędrowały do góry materiału, tworząc złącze typu n, a nieruchome jony wapnia utworzyły w dolnej części materiału złącze typu p. Po odwróceniu kierunku pola elektrycznego obszary p i n zamieniły się miejscami. Z kolei zastosowanie pola elektrycznego o średnim natężeniu pozwoliło na wykasowanie obszarów p i n. Na takiej samej zasadzie działają współczesne urządzenia CMOS, gdzie przyłożenie napięcia pozwala na kontrolowanie właściwości przepływu elektronów i zmienia oporność z wysokiej (izolator) na niską (przewodnik) - zauważa Ramesh. W typowym urządzeniu CMOS różnica w oporności obu stanów jest milionkrotna. W żelazianie bizmutu osiągnięto dotychczas tysiąckrotną różnicę pomiędzy stanami on i off. To i tak dwa razy więcej, niż najlepszy wynik uzyskany za pomocą pola magnetycznego. Wystarczy też, by urządzenia z żelazianu bizmutu działały.
-
Firma Metaram przygotowała technologię, która pozwala w łatwy sposób dwu- a nawet czterokrotnie zwiększyć ilość pamięci RAM dostępną dla serwera. Pierwszymi klientami MetaRAM zostały Hynix i SmartModular. Układy pamięci od pewnego czasu nie nadążają za rozwojem procesorów. Na rynku mamy już 2-, 4- i 8-rdzeniowe CPU przeznaczone dla serwerów i układy te są w stanie wykonać jednocześnie tak wiele zadań, że muszą oczekiwać, na pamięć, która nie dorównuje im wydajnością. W efekcie spada wydajność całego systemu. Musimy pamiętać też i o tym, że nie możemy bez końca dokładać kolejnych kości pamięci. Twórców serwerów ogranicza tu przede wszystkim konstrukcja płyty głównej, która ma określoną liczbę slotów. Rozwiązaniem problemu jest zastosowanie układu MetaSDRAM, który jest pośrednikiem pomiędzy kośćmi pamięci a kontrolerem. Jego zastosowanie powoduje, że producenci mogą na pojedynczej kości umieścić nawet czterokrotnie więcej układów scalonych, gdyż MetaRAM zajmuje się przetwarzaniem dodatkowych sygnałów elektrycznych. Odbywa się to oczywiście kosztem większych opóźnień i poboru mocy (w przypadku układu FB-DIMM jest to opóźnienie rzędu 40-50 nanosekund), jednak korzyści zdecydowanie przewyższają koszty. Obecnie na serwerowej płycie głównej, która wyposażona została w cztery sloty pamięci, możemy zastosować 128 gigabajtów RAM. Dzięki nowym układom zmieści się tam nawet 512 GB RAM. Co więcej, zastosowanie rozwiązania MetaRAM wiąże się z olbrzymimi oszczędnościami gotówki. Firma SmartModular zwykle sprzedaje 8-gigabajtowy serwerowy układ DIMM za około 5000 USD. Kość o tej samej pojemności, wyposażona w chip MetaRAM wyceniona została na 1500 dolarów. Układy MetaRAM współpracują zarówno z technologią DDR2 jak i DDR3. Powstają one w fabrykach TSMC i zostały wycenione na 200 USD za chip dla 8-gigabajtowych DIMM i na 450 USD dla 16-gigabajtowych układów pamięci.
-
Samsung i Hynix zawarły porozumienie, którego celem jest opracowanie układów pamięci przyszłej generacji. Obie firmy zainwestują w sumie 9,46 milionów dolarów, a ich prace będą częścią większego programu wspieranego przez rząd Korei Południowej. Siedmioletni program rozpoczął się w 2004 roku. Kosztem 52,58 miliarda wonów mają powstać pamięci SST-MRAM (spin torque transfer MRAM), które do zapisywania danych wykorzystują spin elektronów, oraz inne urządzenia. Koreańczycy uważają, że ich firmy muszą ze sobą współpracować, by pokonać japońską konkurencję. Toshiba, NEC i Fujitsu również chcą wspólnie opracować układy STT-MRAM. Jeśli wyprzedzą Koreańczyków i ich technologia się rozpowszechni, to koreańskie firmy będą musiały płacić olbrzymie sumy za licencje. Obecnie wydają setki milionów dolarów za prawo do wykorzystywania technologii DRAM czy NAND flash.
-
Firma iSuppli informuje o wzroście sprzedaży pamięci flash typu NAND. W związku z rosnącym zapotrzebowaniem na elektronikę użytkową, w trzecim kwartale bieżącego roku sprzedano o 37% więcej układów NAND niż w drugim kwartale. Jednocześnie ich cena spadła o 18%, gdyż fabryki wyprodukowały więcej kości, niż rynek był w stanie wchłonąć. Największym producentem układów NAND flash pozostaje Samsung. Do koreańskiej firmy należy 40% rynku, co oznacza spadek jej udziałów o 5 punktów procentowych. Na drugim miejscu, z 27% udziałami w rynku uplasowała się Toshiba. Wysiłki jej prezesa, Shozo Saito, który obiecał, że do 2008 roku to japoński koncern będzie największym producentem NAND flash, spełzły na niczym. Trzecie miejsce na rynku należy do Hyniksa, który zanotował największy, bo 79-procentowy wzrost sprzedaży. Samsung, Toshiba i Hynix posiadają łącznie 87% rynku NAND flash. Jednak mniejsi gracze również świetnie sobie radzili. Sprzedaż Microna wzrosła o 75,5% do wartości 285,4 miliona dolarów, a Intel zanotował 47,9-procentowy wzrost sprzedaży, do 132 milionów USD.
-
Samsung Electronics jest autorem najbardziej wydajnych pamięci dla układów graficznych. Pojedynczy kanał wejścia-wyjścia 512-megabitowej kości GDDR5 przesyła dane z prędkością 6 gigabitów na sekundę. Układy zostały wyposażone w 32 takie kanały. Oznacza to, że w ciągu jednej sekundy układ może przesłać 24 gigabajty danych. Samsung ujawni szczegóły budowy swojego układu podczas przyszłorocznej konferencji ISSCC (International Solid State Circuits Conference), która odbędzie się pomiędzy 3 a 8 lutego w San Francisco. Masowa produkcja układów Samsunga ruszy już w przyszłym roku. Kości trafią do konsoli do gier oraz odtwarzaczy wideo.
-
Qimonda AG, znany producent układów pamięci poinformował o dostarczeniu swoim klientom pierwszych próbek układów GDDR5. Może to oznaczać, że w przyszłym roku na rynek trafią karty graficzne wyposażone w nowy typ pamięci. Układy GDDR5 zapewniają przepustowość rzędu 20 Gb/s na komponent. Oznacza to, że są dwukrotnie szybsze od najbardziej wydajnych GDDR3. Mogą być one taktowane nawet 5-gigahercowym zegarem.
-
Elpida i Rambus ogłosiły powstanie najbardziej wydajnych układów pamięci DRAM na świecie. Kości XDR pracują z częstotliwością 4,8 gigaherca i zapewniają transfer danych rzędu 9,6 gigabita na sekundę. Tak szybkie układy przydadzą się w urządzeniach HDTV, konsolach do gier, stacjach roboczych czy serwerach. W tej chwili Elpida udostępniła układy o pojemności 512 megabajtów. Wyprodukowano je w technologii 70 nanometrów. Kości wykorzystują kilka technologii Rambusa, takich jak DRSL (DIfferential Rambus Signaling Level), która minimalizuje zakłócenia sygnału, czy ODR (Octal Data Rate), umożliwiająca przesyłanie 8 bitów danych w jednym cyklu zegara. Dzięki temu układ taktowany zegarem o częstotliwości 600 MHz pracuje z częstotliwością 4,8 GHz. Wydajność najnowszych kości Elpidy jest sześciokrotnie wyższa niż standardowych układów DDR2-800.
-
Część rynkowych analityków zwraca uwagę, że teraz jest najlepszy moment na kupno pamięci RAM. Ceny są rekordowo niskie i prawdopodobnie w najbliższych tygodniach będziemy świadkami ich gwałtownego wzrostu. Samsung, największy producent układów pamięci, zaprzestał ich dostarczania swoim partnerom handlowym takim jak Dell czy HP. Koreańczycy podjęli taką decyzję, ponieważ ceny spadł do zbyt niskiego, ich zdaniem, poziomu. Producenci komputerów domagają się bowiem, by sprzedawano im układy DRAM w cenie 14 dolarów za moduł o pojemności 512 MB i 28 USD za jednogigabajtową kość DDR2. W tej chwili średnie ceny hurtowe tego typu produktów wynoszą 17,50 dolara za DDR2-533 o pojemności 512 megabajtów oraz 35 dolarów za moduł DDR2-667 o pojemności 1 gigabajta.
-
W ofercie ASUS-a znalazła się płyta główna P5K3 Premium z intelowskim chipsetem P35 Express. Od innych podobnych urządzeń różni się ona tym, że producent sprzedaje ją wraz z zintegrowanymi dwoma gigabajtami pamięci DDR3 taktowanymi 1333-megahercowym zegarem. Timingi układów pamięci wynoszą od CL7 do CL10, a ASUS nazywa takie rozwiazanie Turbo D3 Onboard Memory. Dwukanałowe kości skonfigurowano tak, by optymalnie wykorzystać możliwości całego systemu. ASUS zastosował architekturę, którą nazwał T-Tree. Daje ona kontrolerowi pamięci bezpośredni dostęp do każdej części układu pamięci. ASUS twierdzi, że takie rozwiązania pozwala na 50-procentową redukcję opóźnień w porównaniu z tradycyjnymi architekturami, które dają kontrolerowi dostęp do układu jako całości. Poza wspomnianymi układami na płycie nie ma miejsca na zamontowanie innych kości pamięci. ASUS gwarantuje, że pamięci pracują stabilnie nawet gdy są taktowane z częstotliwością większą niż 1500 MHz. Firma zaleca jednak, by użytkownicy, którzy chcą osiągnąć taką wydajność korzystali z procesora, który współpracuje co najmniej z 1333-megahercową magistralą systemową. Płyta P5K3 Premium obsługuje m.in. procesory z rodziny Penryn. Producent zastosował w niej dwa złącza PCI Express x16 i technologię CrossFire, dwa PCI Express x1 oraz 3 sloty PCI. Kontroler JMicron JBM363, który odpowiada za cztery porty ATA133 i dwa e.SATA. Ponadto mostek południowy ICH9R obsługuje jeszcze sześć SATA II. Użytkownicy płyty będą mogli skorzystać też z ośmiokanałowego dźwięku HD i DUAL Gigabit LAN. Obie kości wchodzące w skład chipsetu, układy pamięci oraz regulator napięcia chłodzone są wbudowanym ciepłowodem. P5K3 trafi na rynek w ciągu kilku najbliższych tygodni. ASUS nie ujawnił ceny płyty.
-
Włoscy i amerykańscy akademicy stworzyli nowy rodzaj pamięci komputerowych. Do ich zbudowania wykorzystali... wirusy, które przyczepiono do kwantowych kropek (niewielkich kryształów półprzewodnika). Powstał w ten sposób hybrydowy materiał, który pozwoli na zbudowanie układów elektronicznych kompatybilnych z organizmami żywimi. Już wcześniej zauważono, że materiał biologiczny można połączyć z molekułami nieorganicznymi i stworzono dzięki temu bioczujniki. Uczeni z University of California w Riverside poszli o krok dalej – stworzyli układ, który jest w stanie przechowywać informacje. Kierujący badaniami Mihri Ozkan mówi, że jego zespół nie spodziewał się uzyskania takich rezultatów, ponieważ żadna z nanocząsteczek nie jest zdolna do przechowywania informacji, zyskują tę zdolność dopiero gdy tworzą hybrydę [biologiczno-nieorganiczną – red.]. Uczeni rozpoczęli swoje prace od połączenia nieszkodliwego dla człowieka wirusa mozaiki wspięgi chińskiej (CPMV) z kropkami kwantowymi stworzonymi z selenku kadmu i siarczku cynku. Następnie tak utworzoną hybrydę umieszczono na polimerowej matrycy i zamknięto pomiędzy dwiema elektrodami. Odkryli, że każda z hybryd jest w stanie przechowywać informacje dzięki temu, że po potraktowaniu jej napięciem o różnej wartości, przyjmuje jeden z dwóch stanów, odpowiadających 0 i 1. Stany te są nieulotne, co znaczy, że nie zmieniają się po odłączeniu napięcia. Hybryda działa dzięki przekazywaniu ładunku elektrycznego pomiędzy kapsydą wirusa a kwantową kropką. Cienka warstwa siarczku cynku stabilizuje elektrony, łapiąc je w swoistą pułapkę. Ozkan informuje, że, przynajmniej teoretycznie, możliwe jest wyprodukowanie z tak zbudowanych hybryd bardzo gęstych układów pamięci. Akademikom udało się wielokrotnie odczytywać, zapisywać i kasować zawartość pojedynczej hybrydy. Zastosowanie ich jako układów pamięci nasuwa się samo, jednak Ozkan uważa, że mogą one spełniać również wiele innych funkcji. W przyszłości takie hybrydy mogłyby zostać wykorzystane jako „zwiadowcy”, którzy podróżując po interesujących lekarzy fragmentach ludzkiego ciała, informowali by o ewentualnych chorobach czy uszkodzeniach.
-
Corsair pokazał pamięci DDR3 taktowane zegarami o częstotliwości 1600 i 2000 megaherców. W ramach serii Dominator zaprezentowano układy PC3-12800 (1600 MHz) oraz PC3-16000 (2000 MHz). Układy taktowane 1600-megahercowym zegarem już wkrótce znajdą się na sklepowych półkach. Modele z zegarem o częstotliwości 2 GHz nie są jeszcze produkowane. W ofercie Corsaira znajdują się więc następujące kości DDR3: Nazwa kości Zegar Timingi XMS3 Classic TWIN3X2048-1066C7 1066MHz 7-7-7-21 XMS3 Classic TWIN3X2048-1333C9 1333MHz 9-9-9-24 XMS3 DHX TWIN3X2048-1333C9DHX 1333MHz 9-9-9-24 Dominator TWIN3X2048-1600C10D 1600MHz 10-8-8-24
-
Japońska filia Buffalo Technology poinformowała o rozpoczęciu sprzedaży pierwszych na rynku układów pamięci DDR3. Co prawda ich ceny odstraszają, a płyty główne zdolne do współpracy z nimi dopiero się pojawią, ale Buffalo wierzy, że dla zapalonych graczy nie stanowi to przeszkody. Na rynek trafią najpierw moduły PC3-8500. Będą one taktowane zegarem o częstotliwości 1066 MHz, mają być zasilane napięciem rzędu 1,5 wolta, a ich timingi wyniosą CL7. Buffalo wyceniło 512-megabajtową kość PC3-8500 na 37 700 jenów, czyli 315 dolarów. Zestaw dwóch takich kości będzie kosztował 627 USD. Wysokie będą również ceny układów jednogigabajtowych. Za pojedynczą kość trzeba będzie zapłacić 595 dolarów, a za zestaw 2x1GB – 1180 dolarów. Nie wiadomo, kiedy DDR3 produkcji Buffalo trafią na rynek Europy i USA. Tego typu pamięci mają zastąpić wykorzystywane obecnie DDR2. Zostały one ulepszone w stosunku do swoich poprzedników. Do 1,5 wolta zmniejszono napięcie potrzebne do pracy i zwiększono prędkość taktowania układów. Standard częstotliwości taktowania dla DDR3 wynosi od 800 do 1600 megaherców. Odbywa się to jednak kosztem większych opóźnień CAS, które wyniosą 5 do 10, podczas gdy dla DDR2 standard określa opóźnienia te na 3-6. W kościach DDR3 zastosowano kilka technologii, które wprowadzone zostały po raz pierwszy w układach DDR2. Korzystają więc one z ODT (On-Die Termination - pozwala na zakończenie sygnału wewnątrz układu, eliminując tym samym błędy powstałe wskutek transmisji odbitych sygnałów), 4-bitowy mechanizm pobierania wstępnego, technologii AL (Additive Latency - połączenie dwóch rozkazów: odczytu wiersza i kolumny, w jeden), oraz szerszej, w porównaniu z DDR, magistrali adresowej. Wśród właściwych dla DDR3 usprawnień warto natomiast wymienić mechanizmy kalibracji układów i synchronizacji danych. Specjaliści przewidują, że pamięci DDR3 będą stanowiły 30% rynku w 2008 roku, a w roku 2009 zaczną z niego wypierać układy DDR2. Układy DDR2 i DDR3 są bardzo do siebie podobne, jednak na pierwszy rzut oka widać, że nie będą kompatybilne. W DDR2 wcięcie na modułach pamięci jest na środku, w DDR3 zostało przesunięte. Organizacja JEDEC, odpowiedzialna za opracowanie standardu dla pamięci DDR, nie zakończyła jeszcze prac nad specyfikacją dla DDR3. Jej ostateczna wersja zostanie opublikowana około połowy bieżącego roku. Nie przeszkadza to jednak różnym firmom prowadzić zaawansowanych prac na nowymi układami. Pierwsze płyty główne przystosowane do współpracy z DDR3 trafią na rynek wraz z premierą intelowskich chipsetów z rodziny Bearlake (przewidywana jest ona na koniec 2. lub początek 3. kwartału). Będą one współpracowały także z DDR2, jednak jednoczesne skorzystanie z obu rodzajów kości będzie niemożliwe.
-
W ofercie OCZ Technology znalazły się kości PC2-9600 Flex XLC. Ich producent gwarantuje, że układy pracują stabilnie nawet wówczas, gdy są taktowane zegarem o częstotliwości 1200 MHz. Moduły wyposażono w ciepłowody wykonane z miedzi i aluminium, które chronią je przed przegrzaniem. Klient może również wybrać pomiędzy chłodzeniem wodnym a tradycyjnym wentylatorem i, jak zapewnia OCZ, wszystkie sposoby chłodzenia zapewnią kościom stabilną pracę. PC2-9600 Flex XLC zostały objęte dożywotnią gwarancją. Są one dostępne w zestawach 2x1024 megabajty, a więc zainteresują przede wszystkim graczy. Timingi tych niebuforowanych układów wynoszą 5-5-5-18.
-
Super Talent Technology proponuje graczom nowy 4-gigabajtowy zestaw pamięci DDR2. T800UX4GC5 składa się z dwóch niebuforowanych kości po 2 gigabajty każda, które taktowane są zegarem o częstotliwości 800 MHz. Układy pracują w trybie dwukanałowym, a ich timingi wynoszą 5-5-5-15. Kości Super Talent powstają w fabrykach producenta w Dolinie Krzemowej, a każda z nich jest testowana na płycie głównej. Podczas testów poddawana jest maksymalnym dopuszczalnym obciążeniom. T800UX4GC5 trafią do sklepów w przyszłym tygodniu, a ich cenę ustalono na 438 dolarów.
-
Firma analityczna DRAMeXchange, specjalizująca się w badaniu rynku pamięci, opublikowała swój raport dotyczący rozwoju układów GDDR. Zauważono w nim, że pojawienie się na rynku Xboxa 360 oraz premiera PlayStation 3, która ma wkrótce nastąpić, przyczyniły się do rozwoju rynku układów pamięci graficznych. Zwiększone zainteresowanie tego typu kośćmi będzie miało miejsce również w 2007 roku w związku z premierą systemu Windows Vista. Ponadto na rynek trafia coraz więcej bardzo wydajnych notebooków, które tworzone są z myślą o graczach, a to z kolei również przyczynia się do rozwoju pamięci GDDR. Już w tej chwili Samsung i Hynix przygotowały układy GDDR4 na potrzeby ATI i Nvidii. Pierwsza karta graficzna wykorzystująca tego typu kości to model z GPU ATI Radeon X1950XTX ze 1100-megahercowymi pamięciami Samsunga. Jej rynkowa premiera wyznacza jednocześnie początek rynkowej obecności układów GDDR4. Natomiast już w przyszłym roku będziemy świadkami debiutu układów GDDR5. Obecnie są one w fazie projektowej, a ich pierwsze próbki zostaną dostarczone wytwórcom kości graficznych w połowie przyszłego roku. DRAMeXchange zauważa, że pomimo dużego popytu na układy GDDR pewnym zagrożeniem dla nich są zintegrowane rdzenie graficzne (IGP). Stają się one coraz bardziej popularne na rynku najtańszych komputerów, tym bardziej, że charakteryzują się coraz lepszą wydajnością, dorównując tanim kartom graficznym. Zintegrowane rdzenie nie wykorzystują osobnej pamięci, dlatego, zdaniem DRAMeXchange, przetrwanie GDDR na rynku tanich komputerów stoi pod znakiem zapytania. Co prawda ATI ma w swojej ofercie IGP korzystający z osobnych kości pamięci, jednak kierowany jest on na nieliczne rynki i nie zmienia ogólnej sytuacji. GDDR GDDR2 GDDR3 GDDR4 Nvidia ATI maksymalna częstotliwość taktowania 200 MHz 500 MHz 900 MHz 1,2 GHz 1,4 GHz konfiguracja 4M x 32 4M x 32 8M x 32 8M x 32 16M x 32 odczyt wyprzedzający (prefetch) 2n 4n 4n 4n 8n interfejs SSTL-2 SSTL-18 POD-18 POD-15 POD-15 liczba slotów 4 4 4 8 8 napięcie 2,5 2,5 1,8 1,8 1,8 adresowanie pojedyncze pojedyncze pojedyncze pojedyncze podwójne podwójne
-
Firma Super Talent poinformowała o wyprodukowaniu prototypowych układów pamięci DDR3. Prawdopodobnie ta współpracująca z Samsungiem firma będzie pierwszym przedsiębiorstwem, które wypuści na rynek DDR3. Tego typu pamięci mają zastąpić wykorzystywane obecnie DDR2. Zostały one ulepszone w stosunku do swoich poprzedników. Do 1,5 wolta zmniejszono napięcie potrzebne do pracy i zwiększono zegar układów. Standard częstotliwości taktowania dla DDR3 wynosi od 800 do 1600 megaherców. W kościach DDR3 zastosowano kilka technologii, które wprowadzone zostały po raz pierwszy w układach DDR2. Korzystają więc one z ODT (On-Die Termination - pozwala na zakończenie sygnału wewnątrz układu, eliminując tym samym błędy powstałe wskutek transmisji odbitych sygnałów), 4-bitowy mechanizm pobierania wstępnego, technologii AL (Additive Latency - połączenie dwóch rozkazów: odczytu wiersza i kolumny, w jeden), oraz szerszej, w porównaniu z DDR, magistrali adresowej. Wśród właściwych dla DDR3 usprawnień warto natomiast wymienić mechanizmy kalibracji układów i synchronizacji danych. Specjaliści przewidują, że pamięci DDR3 będą stanowiły 30% rynku w 2008 roku, a w roku 2009 zaczną z niego wypierać układy DDR2. Układy DDR2 i DDR3 są bardzo do siebie podobne, jednak nie będą kompatybilne. W DDR2 wcięcie na modułach pamięci jest na środku, w DDR3 zostało przesunięte. Organizacja JEDEC, odpowiedzialna za opracowanie standardu dla pamięci DDR, nie zakończyła jeszcze prac nad specyfikacją dla DDR3. Jej ostateczna wersja zostanie opublikowana około połowy bieżącego roku. Nie przeszkadza to jednak różnym firmom prowadzić zaawansowanych prac na nowymi układami. Pierwsze płyty główne przystosowane do współpracy z DDR3 trafią na rynek wraz z premierą intelowskich chipsetów z rodziny Bearlake. Będą one współpracowały także z DDR2, jednak jednoczesne skorzystanie z obu rodzajów kości będzie niemożliwe.
-
Transcend pokazał 1-gigabajtowy moduł pamięci Micro-DIMM, który jest o 40% mniejszy od tradycyjnie stosowanych SO-DIMM. Nowe kości Transcenda przeznaczone są do wykorzystania w notebookach. Tak małe układy zmieszczą się w coraz bardziej zmniejszających się przenośnych komputerach. Do pracy potrzebują napięcia rzędu 1,8 wolta i objęte są dożywtnią gwarancją. Transcend nie ujawnił żadnych szczegółów dotyczących ceny układów. Wiadomo, że są to kości DDR2 pracujące z częstotliwością 533 megaherców. Są one w pełni kompatybilne nawet z tak małymi i lekkimi maszynami jak T1 Express Dual Notebook firmy LG.
-
W ofercie OCZ Technology znalazły się układy pamięci PC2-9000 Ti Alpha VX2 DFI Special Edition, które zostały zoptymalizowane pod kątem współpracy z płytą główną DFI LANParty UT NF590 SLI-M2R. Moduły należą do linii OCZ Voltage eXtreme, a więc dostosowane są do pracy z wyższym napięciem. Układy taktowane są zegarem o częstotliwości 1120 MHz. Producent zapewnia, że przy napięciu 2,4 V timingi nowych kości wynosza 5-5-5, a PC2-9000 Ti Alpha VX2 DFI Special Edition pracują stabilnie. Wszystkie moduły są ręcznie testowane, a producent objął je dożywotnią gwarancją. Kości sprzedawane będą osobno lub w zestawach 2x1024 MB. Producent nie podał cen układów.
-
Corsair Memory zaproponował nową serię układów pamięci o nazwie Dominator. Producent zmodyfikował radiator oraz obudowę BGA (Ball Grid Array) układów oraz podniósł ich częstotliwość taktowania. Pamięci z zegarem 1111 MHz są obecnie najszybszymi tego typu urządzeniami na rynku. John Beekley, wiceprezes Corsaira, stwierdził: Seria DHX XMS2 Dominator reprezentuje nasze szczytowe osiągnięcia dotyczące projektowania i wydajności modułów. W ofercie Corsaira znajdziemy obecnie dwa układy z serii XMS2 Dominator. Są to kości PC2-8500 (1066 MHz, timingi 5-5-5-15) oraz PC2-8888 (1111 MHz, timingi 4-4-4-12). Pierwsze z nich nie wymagają dodatkowego chłodzenia, a wentylator do drugich będzie sprzedawany w cenie około 25 USD. Wspomniane układy trafią na rynek na początku sierpnia. Za zestaw TWIN2X2048-8888C4DF trzeba będzie zapłacić od 600 do 650 dolarów, a TWIN2X2048-8500C5D wyceniono na 380-400 USD.
-
Pół roku temu, podczas targów CeBIT 2006 firma OCZ Technology pokazała układy DDR2 taktowane zegarem o częstotliwości 1100 MHZ. Obecnie przedsiębiorstwo poinformowało, że OCZ PC2-8800 są już produkowane na skalę masową. Układy charakteryzują się timingami 6-6-15 i będą sprzedawane w dwugigabajtowych zestawach (2x1024 MB). Producent, by zapewnić ich stabilną pracę zmuszony był do podniesienia napięcia z planowanych 2,1 V do 2,2 V. To sporo więcej niż standardowe dla DDR2 1,8 V. Dzięki zastosowaniu technologii EVP miłośnicy overclockingu będą mogli podnieść napięcie nawet do 2,4 V. Nowe układy OCZ są taktowane zegarem o największej częstotliwości spośród obecnych na rynku kości DDR2. Dotychczas producenci nie przekraczali 1066 MHz. Jeśli wiceprezes OCZ ds. technologii Michael Schuette ma rację, to zbliżamy się do granicy taktowania tego typu układów. Jakiś czas temu powiedział on bowiem, że granica ta, w normalnych warunkach, znajduje się w okolicach 1200 MHz.
-
Firma analityczna Gartner uważa, że magnetorezystywne układy pamięci (MRAM), nie trafią do powszechnego użycia przed 2010 rokiem. Przed kilkoma dniami firma Freescale Semiconductor poinformowała o rozpoczęciu produkcji tego typu kości. W układach MRAM podczas operacji zapisu i odczytu wykorzystywane jest pole elektromagnetyczne, a nie przepływ prądu przez układ. Takie rozwiązanie powoduje, że układy tego typu chrakteryzują się mniejszym poborem energii niż RAM, podobnie jak pamięci FLASH przechowują dane po wyłączeniu zasilania, a jednocześnie operacje odczytu/zapisu przebiegają w nich znacznie szybciej niż w kościach FLASH. Nic dziwnego więc, że, wobec tak dużych korzyści, wiąże się z nimi spore nadzieje. Analitycy Gartnera zauważają jednak, że technologia produkcji MRAM jest 1000-krotnie droższa, niż technologie wykorzystywane do tworzenie innych układów pamięci. Ponadto, jak zauważa Richard Gordon z firmy analitycznej, aby nowe pamięci odniosły sukces konieczne jest, by zainteresował się nimi taki gigant jak np. Samsung. Zdaniem Gartnera MRAM przez najbliższe lata pozostanie produktem niszowym, wykorzystywanym tam, gdzie konieczność użycia szybkich, wytrzymałych pamięci nieulotnych będzie usprawiedliwiała wysokie koszty. Urządzenie Freescale'a kosztuje 25 dolarów, czyli 1000-krotnie więcej za megabajt niż układy NAND. Przy tej cenie całe lata potrwa, zanim trafi ono na masowy rynek – uważają analitycy.
