Search the Community

Firma analityczna Gartner uważa, że magnetorezystywne układy pamięci (MRAM), nie trafią do powszechnego użycia przed 2010 rokiem. Przed kilkoma dniami firma Freescale Semiconductor poinformowała o rozpoczęciu produkcji tego typu kości. W układach MRAM podczas operacji zapisu i odczytu wykorzystywane jest pole elektromagnetyczne, a nie przepływ prądu przez układ. Takie rozwiązanie powoduje, że układy tego typu chrakteryzują się mniejszym poborem energii niż RAM, podobnie jak pamięci FLASH przechowują dane po wyłączeniu zasilania, a jednocześnie operacje odczytu/zapisu przebiegają w nich znacznie szybciej niż w kościach FLASH. Nic dziwnego więc, że, wobec tak dużych korzyści, wiąże się z nimi spore nadzieje. Analitycy Gartnera zauważają jednak, że technologia produkcji MRAM jest 1000-krotnie droższa, niż technologie wykorzystywane do tworzenie innych układów pamięci. Ponadto, jak zauważa Richard Gordon z firmy analitycznej, aby nowe pamięci odniosły sukces konieczne jest, by zainteresował się nimi taki gigant jak np. Samsung. Zdaniem Gartnera MRAM przez najbliższe lata pozostanie produktem niszowym, wykorzystywanym tam, gdzie konieczność użycia szybkich, wytrzymałych pamięci nieulotnych będzie usprawiedliwiała wysokie koszty. Urządzenie Freescale'a kosztuje 25 dolarów, czyli 1000-krotnie więcej za megabajt niż układy NAND. Przy tej cenie całe lata potrwa, zanim trafi ono na masowy rynek – uważają analitycy.