Jump to content
Forum Kopalni Wiedzy

Search the Community

Showing results for tags 'flash'.



More search options

  • Search By Tags

    Type tags separated by commas.
  • Search By Author

Content Type


Forums

  • Nasza społeczność
    • Sprawy administracyjne i inne
    • Luźne gatki
  • Komentarze do wiadomości
    • Medycyna
    • Technologia
    • Psychologia
    • Zdrowie i uroda
    • Bezpieczeństwo IT
    • Nauki przyrodnicze
    • Astronomia i fizyka
    • Humanistyka
    • Ciekawostki
  • Artykuły
    • Artykuły
  • Inne
    • Wywiady
    • Książki

Find results in...

Find results that contain...


Date Created

  • Start

    End


Last Updated

  • Start

    End


Filter by number of...

Joined

  • Start

    End


Group


Adres URL


Skype


ICQ


Jabber


MSN


AIM


Yahoo


Lokalizacja


Zainteresowania

Found 33 results

  1. Elpida poinformowała o wyprodukowaniu pierwszego własnego prototypu pamięci ReRAM. Kość wykonano w technologii 50 nanometrów, a jej pojemność wynosi 64 megabity. ReRAM (Resistance Random Access Memory) to pamięć nieulotna zbudowana z materiałów, które zmieniają oporność w odpowiedzi na zmiany napięcia elektrycznego. Największą zaletą ReRAM jest niezwykle szybka praca przy bardzo niskim napięciu. Ma ona obie zalety pamięci DRAM, czyli szybką pracę, oraz pamięci flash, czyli możliwość przechowywania danych po odłączeniu zasilania. Czas zapisu danych na ReRAM wynosi około 10 nanosekund, czym dorównuje układom DRAM, jest za to znacznie bardziej wytrzymała niż flash, gdyż umożliwia dokonanie ponad miliona cykli zapisu/odczytu danych. Przed kilkoma miesiącami informowaliśmy o stworzeniu przez Samsunga prototypowej komórki ReRAM, wytrzymującej bilion cykli zapis/odczyt. Elpida ma nadzieję, że pierwsze przeznaczone do sprzedaży kości ReRAM rozpocznie produkować już w przyszłym roku. Mają być one wykonane w technologii 30 nm, a ich pojemność ma być liczona w gigabitach. ReRAM może stać się konkurentem powszechnie wykorzystywanych układów flash, szczególnie na rynku urządzeń przenośnych, gdzie duże znaczenie ma ilość energii potrzebnej do obsługi pamięci.
  2. Intel i Micron ogłosiły powstanie pierwszego 128-gigabitowego układu pamięci MLC (multi-level cell) NAND, wykonanego w technologii 20 nanometrów. Jednocześnie obie firmy poinformowały o rozpoczęciu masowej produkcji 64-gigabitowych kości tego typu. Nowy układ został stworzony przez firmę IM Flash Technologies (IMFT) - spółkę założoną przez Intela i Microna. Nowa kość jest zgodna ze specyfikacją ONFI 3.0, dzięki czemu zapewnia prędkość przesyłu danych rzędu 333 megatransferów na sekundę (MT/s). Urządzenie może zatem trafić zarówno do telefonów komórkowych jak i dysków SSD. W styczniu przyszłego roku IMFT udostępni zainteresowanym firmom próbki kości, a w I połowie 2012 zostanie uruchomiona masowa produkcja nowych NAND.
  3. Już w 2013 roku do sklepów mają trafić pierwsze chipy zbudowane na memrystorach. Zastąpią one układy flash i wyznaczą początek rewolucji na rynku układów pamięci. Stan Williams z HP, współtwórca memrystora, występując podczas International Electronic Forum 2011 stwierdził, że w ciągu 18 miesięcy jego firma rozpocznie sprzedaż kości, które zastąpią flash. Na tym jednak nie koniec. Być może w 2014, a na pewno w 2015 stworzymy konkurencję dla DRAM, a później zastąpimy SRAM - powiedział Williams. O zastąpieniu flasha już zdecydowaliśmy. Teraz pracujemy nad DRAM i sądzimy, że nowe układy będą zużywały na każdy bit o dwa rzędy wielkości mniej energii potrzebnej do przełączania układu - dodał. Opracowana przez HP technologia pozwala na umieszczenie układu pamięci bezpośrednio na procesorze. Dzięki temu dane w ogóle nie opuszczają układu scalonego. To oznacza, że otrzymujemy poprawę szybkości działania odpowiadającą 20 latom obowiązywania Prawa Moore'a - stwierdził Williams. Dodał przy tym, że możliwe jest umieszczanie dowolnej liczby warstw podzespołów o grubości 5 nanometrów każda. W jednej takiej warstwie może znaleźć się nawet 500 miliardów memrystorów. Przedstawiciel HP zapowiada wielkie zmiany na rynku. Jesteśmy największym na świecie kupcem pamięci DRAM i drugim co do wielkości nabywcą układów flash. Chcemy całkowicie przeorganizować nasz łańcuch dostaw. Mamy zamiar licencjonować naszą technologię każdemu chętnemu. Jednak trzeba będzie poczekać w kolejce. Bardzo wiele osób jest tym zainteresowanych. Zdecydowaliśmy się na taki krok, gdyż, szczerze mówiąc, nie widzimy zbyt wielu innowacji na tym rynku - zapowiedział. Memrystor zwany jest inaczej opornikiem pamięci. Zapamiętuje on skąd i ile informacji przepływa, sam usprawnia swoje działanie tak, by przepływ był jak najbardziej wydajny. Potrafi też zmieniać oporność w zależności od wartości i kierunku przyłożonego napięcia. Zapamiętuje również oporność po odłączeniu zasilania. Dzięki tym właściwościom pojedynczy memrystor może działać jak wiele (od 7 do 12) tranzystorów, pozwoli też na skonstruowanie mniejszej, tańszej, szybszej i bardziej energooszczędnej pamięci flash. Niewykluczone, że memrystory pozwolą również na zrewolucjonizowanie rynku układów FPGA - czyli programowalnych układów scalonych, które na bieżąco można dostosowywać do zadań, które mają wykonać. FPGA są niezwykle drogie, duże i powolne. Być może dzięki memrystorom pozbędziemy się ich wad, a zachowamy zalety. Jakby jeszcze tego było mało badacze z HP stwierdzili, że memrystory są bardziej przydatne niż przypuszczano. Okazało się bowiem, że są one w stanie nie tylko zapamiętywać dane, ale również przeprowadzać obliczenia. To z kolei oznacza, że zamiast budować osobne procesory możliwe będzie wykonywanie obliczeń przez same kości pamięci.
  4. Na Purdue University powstaje nowy rodzaj układów pamięci, które mają być szybsze od obecnie istniejących rozwiązań, a jednocześnie zużywać znacznie mniej energii niż kości flash. Pamięci łączą krzemowe nanokable z polimerem „ferroelektrycznym", który zmienia polaryzację pod wpływem pola elektrycznego. Nowa technologia jest dopiero w powijakach, przyznaje doktorant Saptarshi Das, który pracuje pod kierunkiem profesora Joerga Appenzellera. Nazwano ją FeTRAM (ferroelectric transistor random access memory) - pamięć o swobodnym dostępie z tranzystorem ferroelektrycznym. FeTRAM to pamięć nieulotna, a więc jej zawartość nie zostaje utracona po odłączeniu zasilania. Układy FeTRAM mogą zużywać nawet 100-krotnie mniej energii niż kości flash. Jednak, jak zauważa Das, obecnie zużywają więcej niż teoretyczne minimum, gdyż znajdują się w początkowych fazach rozwoju. FeTRAM spełnia wszystkie wymagania stawiane przed nośnikami pamięci. Pozwala na wielokrotny zapis i odczyt, zużywa mało energii, umożliwia upakowanie dużej ilości kości na małej przestrzeni i jest kompatybilna z technologią CMOS, co oznacza, że wdrożenie jej do produkcji nie powinno nastręczać większych trudności. FeTRAM jest podobna do wykorzystywanej komercyjnie na niewielką skalę technologii FeRAM. Obie używają materiałów ferroelektrycznych, jednak w FeRAM zastosowano ferroelektryczne kondensatory, co powoduje, że odczyt zapisanych danych wiąże się z ich usunięciem z układu pamięci. W przypadku FeTRAM, dzięki tranzystorom, te same dane można odczytywać wielokrotnie.
  5. Koreańczycy z Samsung Advanced Institute of Technology poinformowali o stworzeniu nieulotnych pamięci ReRAM (Resistance RAM), które wytrzymują biliard cykli zapisu/odczytu, a czas przełączania wynosi w nich jedynie 10 nanosekund, czyli jest około miliona razy krótszy niż we współczesnych pamięciach flash. Wynalazek może znacznie usprawnić obecnie stosowane pamięci nieulotne. Tak dobre rezultaty osiągnięto badając pamięci o rozmiarach pojedynczej komórki wynoszących od 50x50 mikrometrów do 30x30 nanometrów. Szacowana żywotność nowych układów wynosi ponad 10 lat pracy w temperaturach przekraczających 85 stopni Celsjusza. ReRAM są produkowane z tlenku tantalu (Ta2O5), a Korańczycy wykorzystali do tego celu Ta2O5-x/TaO2-x, z którego wytworzyli dwuwarstwową strukturę. ReRAM działa dzięki temu, że materiał, który zwykle jest dielektrykiem, ale pod wpływem wystarczającego napięcia staje się przewodnikiem. To pozwala informacji na przedostanie się do materiału, a po odcięciu zasilania, na pozostanie w jego wnętrzu. Na razie nie powinniśmy się jednak spodziewać rewolucji na rynku pamięci nieulotnych. Koreańskie urządzenie znajduje się w fazie eksperymentalnej i potrzeba jeszcze sporo badań, zanim trafi do masowej produkcji.
  6. Najnowsze linia SSD Intela to duży krok w kierunku upowszechnienia się tego typu napędów. SSD 320 Series mają zastąpić obecnie sprzedawane X25-M. W nowej linii dysków zwiększono ich maksymalną pojemność, poprawiono wydajność i zmniejszono cenę. Nowe urządzenia korzystajż z 25-nanometrowych kości MLC flash. Intel zastosował w nich nowy kontroler oraz 128-bitowe szyfrowanie AES. Poprawiono korekcję błędów i dodano mechanizm zapewniający, że właśnie zapisywany plik zostanie zapisany do końca mimo wystąpienia awarii zasilania. Te usprawnienia powodują, że Intel ma nawet nadzieję, iż SSD 320 Series będą wykorzystywane w zastosowaniach serwerowych, jako alternatywa dla dysków 15000 rpm. Intel nie zdradził ceny detalicznej nowych urządzeń. Wiadomo jednak, że dystrybutorzy będą mogli je kupić w cenie 89 USD (40 GB), 159 USD (80 GB), 209 USD (120 GB), 289 USD (160 GB), 529 USD (300 GB) oraz 1069 USD (600 GB). Dla porównania można wspomnieć, że 160-gigabajtowy X25-M jest sprzedawany w detalu w cenie 410 dolarów. Niewykluczone zatem, że spełni się zapowiedź Intela, że SSD 320 Series 160 GB będzie sprzedawany w cenie o około 100 dolarów niższej niż jego poprzednik. Ceny SSD szybko spadają. Jeszcze przed rokiem dysk o pojemności 256 gigabajtów kosztował w detalu około 750 USD.
  7. Naukowcy z North Carolina State University opracowali nowe urządzenie, które może znacząco zmienić rynek pamięci komputerowych, a właścicielom olbrzymich farm serwerowych pozwoli na spore obniżenie rachunków za energię elektryczną. Uczeni stworzyli hybrydowe urządzenie, które może działać jak pamięć ulotna oraz nieulotna i być wykorzystywana w roli głównej pamięci komputera. Obecnie wykorzystywane pamięci komputerowe możemy podzielić na szybko działające układy ulotne (DRAM) oraz na powolne nieulotne (flash). Wynaleźliśmy urządzenie, które może zrewolucjonizować pamięć komputerową. Nazywamy je podwójnym tranzystorem polowym. Istniejące pamięci nieulotne korzystają z pojedynczej bramki, która przechowuje ładunek elektryczny. Wykorzystanie podwójnej bramki pozwala na jednoczesne przechowywanie ładunku dla wolniejszej pamięci nieulotnej, jak i dla szybszej - ulotnej - mówi profesor Paul Franzon, współautor nowych pamięci. Podwójny tranzystor polowy ma liczne zalety. Pozwoli on np. na błyskawiczne uruchamianie komputera, gdyż wyeliminujemy konieczność odwoływania się do dysku twardego podczas startu. Wszelkie dane potrzebne do uruchomienia systemu będą przechowywane w pamięci nieulotnej. Pozwoli to również na zaoszczędzenie olbrzymich ilości energii, a zatem na obniżenie kosztów działalności, właścicielom farm serwerowych. Farmy takie pochłaniają olbrzymie ilości energii m.in. dlatego, że nawet podczas swojej niewielkiej aktywności, muszą ją bez przerwy dostarczać do układów pamięci. Podwójny FET rozwiązuje ten problem. Dane mogą być przechowywane w części nieulotnej, skąd błyskawicznie można będzie je przesłać do szybko działającej części ulotnej pamięci. Takie rozwiązanie pozwoli na wyłączanie zasilania układów pamięci w czasie, gdy farma nie jest zbyt obciążona, bez spadku wydajności całego systemu. Szczegółowe informacje nt. nowych układów pamięci zostaną opublikowane 10 lutego.
  8. Firma OCZ Technology ogłosiła, że z końcem lutego wycofa się z rynku układów pamięci DRAM. Rynek ten przeżywa obecnie kryzys, a OCZ woli skupić się produkcji SSD. Biorąc pod uwagę słabość rynku RAM i rosnące potrzeby kapitałowe firmy na rynku SSD, rada nadzorcza zdecydowała, że w najlepszych interesie akcjonariuszy leży przyspieszenie planu zaprzestania produkcji modułów DRAM do końca bieżącego roku podatkowego, czyli do 28 lutego 2011 roku. W kolejnych latach podatkowych należy zatem spodziewać się, że sprzedaż naszych produktów DRAM będzie minimalna, o ile w ogóle będą sprzedawane - czytamy w oświadczeniu OCZ. Do podjęcia takiej decyzji przyczyniły się z pewnością coraz lepsze wyniki finansowe na rynku SSD. W trzecim kwartale bieżącego roku podatkowego wpływy z tego typu produktów wzrosły dwukrotnie, a produkcja SSD daje już 78% przychodów OCZ Technology. Firma skupi się zatem przede wszystkim na produkcji dysków twardych, ale wciąż będzie wytwarzała też pamięci flash i zasilacze. Zanim DRAM OCZ znikną z rynku do sklepów trafią jeszcze kości z rodziny Fatal1ty przeznaczone dla platformy Sandy Bridge oraz moduły XMP.
  9. Samsung jest pierwszą firmą, która wykorzystuje technologię 20 nanometrów do produkcji 64-bitowych układów NAND zapisujących 3 bity w pojedynczej komórce pamięci. Nowe kości znajdą zastosowanie wszędzie tam, gdzie konieczna będzie wysoka gęstość zapisu. Rozpoczęcie produkcji takich kości oznacza, że na rynek trafią układy o pojemności 8 gigabajtów, które powinny świetne sprawdzić się w klipsach USB, smartfonach czy dyskach SSD.
  10. Microsoft oświadczył, że Internet Explorer 9 nie będzie obsługiwał technologii Flash, obsłuży za to tylko i wyłącznie format wideo H.264. Koncern z Redmond jest zatem drugą, po Apple'u, znaczącą firmą, która w swoich produktach zaczyna rezygnować z technologii Adobe. Dean Hachamovitch, menedżer odpowiedzialny za rozwój IE poinformował na blogu, że przyszłością sieci jest HTML5. Specyfikacja HTML5 opisuje wsparcie wideo bez wskazywania konkretnego formatu. Sądzimy, że świetnym formatem jest H.264, zatem IE9 będzie wspierał tylko jego - czytamy w poście Hachamovitcha. Dodał przy tym, że problemem, który należy rozwiązać jest dominująca pozycja Flash w sieci. Odejście od tej technologii nie będzie więc łatwe. Microsoft prowadzi w tej sprawie rozmowy z Adobe, ale już wiadomo, że decyzja koncernu z Redmond będzie oznaczała dla Adobe poważne problemy.
  11. Założona przez Intela i Microna spółka IM Flash Technologies poinformowała o gotowości do produkcji 25-nanometrowych układów NAND. To najmniejszy proces produkcyjny wykorzystywane we współczesnym przemyśle półprzewodnikowym. Zmniejszenie procesu technologicznego oznacza niższe koszty produkcji nie tylko samych kości, ale również wykorzystujących je urządzeń. Dysk SSD, w którym znajdą się nowe NAND-y może używać np. 16 zamiast dotychczasowych 32 układów, a mimo to będzie charakteryzował się taką samą pojemnością. Pierwszym układem, jaki powstanie w nowej technologii, będzie 8-gigabajtowa kość NAND. Jej powierzchnia wyniesie zaledwie 167 milimetrów kwadratowych. Pierwsze układy w technologii 25-nanometrów opuszczą fabrykę IMFT już w drugim kwartale bieżącego roku. Przed końcem roku powinny one trafić do rąk konsumentów. Nowe kości NAND są kompatybilne z otwartym standardem ONFI 2.2 i zapewniają przepustowość rzędu 200 megabajtów na sekundę.
  12. Zdaniem firmy McAfee w przyszłym roku najczęściej atakowanym oprogramowaniem będą produkty firmy Adobe. Reader i Flash znajdą się na celowniku cyberprzestępców częściej niż ulubiony ich cel - Microsoft Office. Prognozy McAfee wynikają z faktu, że Reader i Flash to najpopularniejsze programy na świecie. Eksperci prognozują też wzrost ataków na serwisy społecznościowe oraz, generalnie, na oprogramowanie firm trzecich. Pojawią się bardzo zaawansowane konie trojańskie oraz botnety, które będą korzystały z możliwości HTML 5. Nowa wersja języka hipertekstowego ułatwia korzystanie z online'owych aplikacji. Coraz więcej przedsiębiorstw zdecyduje się na ich używanie, a międzyplatformowość, która jest warunkiem koniecznym do rozwoju takiego sposobu korzystania z komputera pozwoli na łatwe przeprowadzanie ataków pomiędzy różnymi przeglądarkami. McAfee ostrzega użytkowników serwisów społecznościowych, że w nadchodzącym roku cyberprzestępcy, podszywając się pod ich znajomych, będą podsuwali im szkodliwe oprogramowanie. Ponadto wykorzystywanie skróconych URL-i stwarza kolejną okazję dla przestępców, gdyż pozwala im zamaskować adres, na który chcą przekierować użytkownika. Z kolei dzięki bardziej zaawansowanym koniom trojańskim łatwiej będzie okradać konta bankowe użytkowników bez wzbudzania podejrzeń systemów bankowych.
  13. Na Uniwersytecie Tokijskim powstała pamięć flash zbudowana z taniego, elastycznego materiału organicznego. Może ona posłużyć do budowy olbrzymich czujników czy wyświetlaczy z wbudowaną pamięcią. Organiczny flash to dzieło zespołu profesora Takeo Someya. Składa się nań macierz 26x26 komórek pamięci z naftalanu polietylenu (PEN). Materiał można wyginać tak, że powstaje łuk o promieniu 6 milimetrów bez szkody dla właściwości elektrycznych czy mechanicznych pamięci. Nowe urządzenie nazwano organicznym flashem, gdyż jest to pamięć nieulotna, składająca się z takich samych bramek, jak te, które tworzą krzemowy flash. Układy flash korzystają z bramek swobodnych, które są izolowane dielektrykiem, dzięki czemu mogą przez lata przechowywać ładunek, a więc i zapisane w nim informacje. Profesor Someya mówi, że prawdziwym wyzwaniem było właśnie znalezienie odpowiedniego materiału do izolowania bramek w elastycznych pamięciach. Musiał być on na tyle cienki, by pozwolić na przejście ładunku do bramki, a jednocześnie na tyle odporny, by nie roztapiać się podczas procesu produkcji. W końcu udało się go stworzyć z dwunanometrowej samoorganizującej się monowarstwy (SAM) oraz czteronanometrowej warstwy tlenku aluminium, którą stworzono utleniając powierzchnię aluminiowej swobodnej bramki. Wyprodukowana przez Japończyków pamięć wykorzystuje napięcie około 6 woltów do kasowania danych, a do odczytu korzysta z napięcia 1 V. Pamięć wytrzymuje ponad 1000 cykli zapisu/odczytu i jest w stanie przechowywać dane przez 24 godziny. Naukowcy sądzą, że czas przechowywania danych uda się zwiększyć wykorzystując SAM z od dłuższych molekułach i zmniejszając rozmiar tranzystorów.
  14. Firma Foreground Security odkryła w Adobe Flash błąd, który naraża na niebezpieczeństwo użytkowników olbrzymiej liczby witryn WWW. Dzięki tej dziurze przestępcy mogą zaatakować osoby korzystające z takich stron, które umożliwiają użytkownikom wgrywanie doń własnej zawartości. Mike Bailey z Foreground mówi, że problem leży w polityce bezpieczeństwa Flash. Daje ona dostęp plikom tego typu tylko do obiektów znajdujących się w tej samej domenie. To jednak oznacza, że przestępca może załadować odpowiednio spreparowany szkodliwy plik Flash np. na swoje konto w serwisie społecznościowym i zaatakować innych użytkowników tego serwisu. Odkrywcy dziury mówią, że łatwo ją wykorzystać. Przygotowali też prototypowy atak i wyjaśnili jego działanie. Posłużyli się tutaj przykładem forum, na którym użytkownicy mogą umieszczać własne avatary. Cyberprzestępca może zatem wgrać na serwer szkodliwy plik Flash, który wygląda jak avatar. Każdy, kto otworzy stronę z tym avatarem będzie narażony na atak. Przedstawiciele Adobe, producenta Flasha, mówią, że problemu nie można usunąć wydając łatkę do Flasha. Ich zdaniem, problem leży w samym wykorzystywaniu aktywnych skryptów na witrynach WWW. Jeśli tylko użytkownicy mają prawo do wgrywania na witrynie własnych plików, mechanizm taki może zostać wykorzystany do przeprowadzenia ataku. Bezpieczeństwo można zwiększyć przechowując pliki użytkowników w innej domenie, rezygnując z Flasha lub stosując mechanizmy blokujące tego typu elementy na stronie.
  15. Użytkownicy komputerów iMac informują na forach o niespodziewanych kłopotach z maszynami. Wszystko wskazuje na to, że jakiś niezidentyfikowany dotąd błąd powoduje, że po wejściu na witrynę z elementami Flash, komputer pracuje bardzo powoli, gdyż dochodzi do całkowitego zużycia mocy procesora. Użytkownicy alarmują, że 27-calowe iMaki po wejściu na witryny takie jak YouTube czy Hulu pracują niezwykle wolno, a narzędzia do monitorowania sprzętu wykazują 100-procentowe użycie CPU. Podobnie dzieje się po dłuższej pracy z komputerem. "Mam 27-calowego iMaca i trafiłem na problemy z wydajnością. Jeśli zostawię go włączonego na ponad 5 godzin, niektóre aplikacje, takie jak Rosetta Stone, Front-Row, iPhoto i inne, startują niezwykle powoli. Muszę wówczas restartować komputer" - napisał użytkownik PenSilveltMEKY. Przedstawiciele Apple'a radzili skarżącym się użytkownikom, by ponownie zainstalowali wtyczkę do obsługi Flasha, jednak to nie pomagało. Tym bardziej, że problem nie ogranicza się tylko do Flasha. Na razie nie wiadomo, co jest przyczyną występowania problemów.
  16. Były wiceprezes ds. badawczych w Seagate Technology, profesor Mark Kryder z Carnegie Mellon Univeristy, założyciel Data Storage System Center oraz jego student Chang Soo Kim przeprowadzili studium nt. przyszłości technologii przechowywania danych. W jego ramach przebadali 13 nieulotnych technologii przechowywania informacji, które są postrzegane jako możliwi następcy dysków twardych (HDD). Obaj specjaliści przeanalizowali rynkowe szanse badanych technologii, prawdopodobieństwo z jakim mogą zastąpić HDD oraz przyszłą cenę terabajta pojemności do roku 2020. Najważniejszą konkluzją ich prac jest stwierdzenie, iż jest bardzo mało prawdopodobne, by jakiekolwiek urządzenia wykorzystujące pamięci nieulotne były w stanie w najbliższym dziesięcioleciu konkurować cenowo z HDD. Zdaniem naukowców "mapa drogowa" rozwoju technologii litograficznych (ITRS - International Technology Roadmap for Semiconductors) pokazuje, że w przyszłej dekadzie nie rozwiną się one na tyle, by zapewnić odpowiednio wysoką gęstość zapisu, co pozwoliłoby na obniżenie ceny technologii alternatywnych tak, by stały się one tańsze od HDD. Największe szanse na konkurowanie z obecnymi dyskami mają technologię pozwalające na zapisanie wielu bitów w pojedynczej komórce oraz takie, które korzystają z pamięci zmiennofazowych (PCRAM) i STT-RAM. W podsumowaniu swojej analizy, naukowcy stwierdzają: Przyjmując, że technologia HDD będzie rozwijała się w takim tempie, jak w przeszłości, w roku 2020 dwutalerzowy 2,5-calowy dysk twardy będzie w stanie przechowywać ponad 40 terabajtów danych, a jego cena wyniesie około 40 dolarów. Na długo przed rokiem 2020 technologia pamięci flash osiągnie granicę, poza którą nie będzie można jej skalować. Istnieje obecnie duże zainteresowanie technologiami pamięci nieulotnych, które zastąpią flash i w przyszłości być może i HDD. W dokumencie tym porównaliśmy trzynaście z nich. Uznając za najważniejszy czynnik gęstość zapisu oraz biorąc pod uwagę wydajność, najbardziej obiecujące wydają się technologie typu racetrack. Jednak zależą one od synchronicznego przemieszczania ścian domen w rejestrach, co już w przeszłości okazało się niepraktyczne i nadal jest dalekie od wdrożenia. Tym bardziej, że nad technologią tą nie pracuje odpowiednia liczba badaczy, którzy mogliby rozwiązać trapiące ją problemy. Obiecująco duże gęstości zapisu można uzyskać w pamięciach korzystających z próbników, tym bardziej, że produkcja ich głowic nie jest mocno ograniczana przez rozwój technologii litograficznych. Z drugiej jednak strony, ich wydajność jest niższa niż wydajność innych technologii i, podobnie jak w pamięciach racetrack, są one dalekie od praktycznego zastosowania. Również nad nimi pracuje mało specjalistów. Pamięci holograficzne mogą potencjalnie mieć wysoką gęstość przy niskich kosztach, jednak jak dotąd sprawdzają się tylko w zastosowaniach polegających na jednorazowym zapisie nośnika, a to zupełnie inny rynek. Układy MRAM i FRAM należą do najdroższych, a ich koszt jest podobny do kości DRAM, dlatego też nie zastąpią układów flash czy dysków twardych. Pamięci polimerowe, molekularne i SEM (Single Electron Memory) charakteryzują się niską gęstością zapisu i krótkimi czasami przechowywania danych, co czyni je nieprzydatnymi w rozważanych zastosowaniach. Z kolei kości typu NRAM wydają się być dobrymi kandydatami, jednak ich prognozowana gęstość, a co za tym idzie i koszt, nie są wystarczająco konkurencyjne. Produkty takie jak RRAM, CBRAM, STTRAM i PCRAM mają małe komórki i potencjalnie nadają się do przechowywania wielu bitów w pojedynczej komórce, dzięki czemu mogą w przyszłości konkurować z dyskami twardymi Wśród nich PCRAM są najbardziej dojrzałe i już trafiły na rynek, a STTRAM wydają się oferować najlepszą wydajność.
  17. W czerwcu Samsung Electronics rozpocznie masową produkcję pamięci PRAM (phase change RAM). Układy PRAM to zmiennofazowe kości RAM. Wykorzystują one materiały, które zmieniają swoją strukturę pomiędzy krystaliczna a amorficzną. Obszary krystaliczne reprezentują "1", a amorficzne "0". Pamięci PRAM są układami nieulotnymi, a więc umożliwiają przechowywanie danych po odłączeniu napięcia. Ponadto, jako że aby zapisać w nich dane nie trzeba kasować starych informacji, pracują 30-krotnie szybciej niż standardowe pamięci flash. Są przy tym prostsze w produkcji niż flash i 10-krotnie bardziej trwałe od tego typu układów.
  18. Analityk Arun Taneja z firmy Taneja Group ocenia, że rynek dysków SSD staje się rynkiem masowym. Po latach niszowego rozwoju, znaleźliśmy się w punkcie, w którym na masową skalę zaczynają pojawiać się dobrze pracujące, tanie SSD... Każda firma, działająca na rynku pamięci masowych prowadzi prace nad tą technologią - dodaje. Tylko w marcu swoje produkty SSD pokazały Sun, Texas Memory Systems, Dell, Pillar Data Systems, Compellent, Fusion-io i EMC. Firma STEC, wytwórca kości flash wykorzystywanych przez wielu innych producentów, informuje, że w 2008 roku przychody ze sprzedaży produktów z linii ZeuslOPS SSD sięgnęły kwoty 53 milionów dolarów. To trzykrotnie więcej niż w całym roku 2007. Co więcej, przedsiębiorstwo spodziewa się, że już w pierwszej połowie bieżącego roku sprzeda ZeuslOPS SSD za większą kwotę niż wspomniane 53 miliony. Co prawda gigabajt pamięci flash jest około 20-krotnie droższy niż gigabajt pojemności wydajnego HDD. Jednak jej zalety - wysoka wydajność oraz energooszczędność - powodują, że dyski SSD stają się coraz bardziej popularne. Są coraz chętniej kupowane przez właścicieli centrów bazodanowych, którzy oszczędzają dzięki nim energię oraz mogą lepiej dostosować urządzenia do swoich potrzeb. W centrach bazodanowych często bowiem znajduje się więcej dysków HDD niż jest potrzebne dla zaspokojenia potrzeb przechowywania danych. Dzięki zwiększaniu ich liczby można skrócić czas dostępu do danych. To samo można obecnie uzyskać za pomocą mniejszej liczby SSD. Dzięki oszczędności energii i szybszej pracy, która powoduje, że nie trzeba kupować nadmiarowych urządzeń, zakup SSD staje się opłacalny. Głównym problemem pozostaje wciąż brak kontrolerów pozwalających zintegrować dyski SSD z już istniejącymi HDD. Obecnie w praktyce administratorzy centrów bazodanowych muszą zastępować jedne dyski drugimi. Na rynku konsumenckim SSD są ciągle o 10 do 15 razy droższe od HDD o analogicznej pojemności.
  19. Naukowcy z Finlandii stworzyli pamięć masową z węglowych nanorurek, której prędkość pracy dorównuje kartom pamięci czy klipsom USB. Odczyt i kasowanie danych odbywa się w ciągu 100 nanosekund, czyli 100 000 razy szybciej, niż wcześniej wyprodukowane nanorurkowe pamięci masowe. Fińskie urządzenie wytrzymuje ponad 10 000 cykli zapisu/kasowania. Päivi Törmä z uniwersytetu w Helsinkach stwierdził: Pod względem prędkości i wytrzymałości, nasza pamięć jest tak dobra jak komercyjne dostępne kości flash. Do stworzenia układów wykorzystano tranzystory polowe z węglowych nanorurek. Zostały one umieszczone na krzemowym podłożu i odizolowane od niego za pomocą 20-nanometrowej warstwy tlenku hafnu. To właśnie użycie tlenku hafnu jest kluczem do szybkiej pracy pamięci. Na niego nałożono kilka kropel roztworu zawierającego nanorurki. Średnica każdej z nich wynosi od 1,2 do 1,5 nanometra, a długość to od 100 do 360 nanometrów. Następnie za pomocą mikroskopu sił atomowych zidentyfikowano odpowiednio ułożone nanorurki, które połączono za pomocą palladu, tworząc w ten sposób dren i źródło. Rolę bramki pełni krzemowe podłoże. W końcu na warstwę nanorurek nałożono kolejną 20-nanometrową warstwę tlenku hafnu, tworząc izolację. Na razie nanorurkowe układy pamięci są w stanie przechowywać dane przez około 42 godziny. To niewiele, dlatego Törmä i jego zespół chcą wydłużyć ten czas. Uważają, że można tego dokonać poprzez dodanie warstwy tlenku pomiędzy bramkę a nanorurki.
  20. Firma Freescale, duży producent półprzewodników, bardzo wierzy w rozwój pamięci magnetorezystywnych (MRAM). Jej wiara jest na tyle silna, że przedsiębiorstwo ogłosiło, iż powoła do życia osobną firmę zajmującą się tylko i wyłącznie badaniem nad MRAM-em. Do nowo powstałego przedsiębiorstwa o nazwie EverSpin, zostanie przekazana cała technologia i własność intelektualna dotycząca MRAM, która obecnie należy do Freescale'a. Ponadto fundusz inwestycyjny Lux Capital przekaże jej 20 milionów dolarów na rozwój. Pamięci MRAM (ang. Magnetoresistive Random Access Memory) odznaczają się cechami, które mogą istotnie odmienić sposób, w jaki korzystamy z komputerów oraz wszelkich urządzeń cyfrowych. W obecnej postaci można już nimi bezpośrednio zastąpić pamięci statyczne (ang. Static RAM), odznaczające się sporą prędkością pracy, ale też dużym zużyciem mocy oraz stosunkowo niewielką pojemnością. Zaletą MRAM-ów jest nie tylko duża prędkość działania, ale też o połowę mniejsze zapotrzebowanie na energię elektryczną, a co najważniejsze – możliwość przechowywania informacji po wyłączeniu zasilania. Ich zastosowanie w komputerze pozwoliłoby na natychmiastowe przejście systemu do stanu hibernacji oraz powrót z niego. Wystarczy, że urządzenie po prostu wyłączymy lub włączymy niczym żarówkę. Podobne możliwości co MRAM-y oferują popularne pamięci flash, ale te pierwsze górują nad konkurentami nieograniczoną żywotnością oraz zdecydowanie większą prędkością działania.
  21. Firma iSuppli informuje o wzroście sprzedaży pamięci flash typu NAND. W związku z rosnącym zapotrzebowaniem na elektronikę użytkową, w trzecim kwartale bieżącego roku sprzedano o 37% więcej układów NAND niż w drugim kwartale. Jednocześnie ich cena spadła o 18%, gdyż fabryki wyprodukowały więcej kości, niż rynek był w stanie wchłonąć. Największym producentem układów NAND flash pozostaje Samsung. Do koreańskiej firmy należy 40% rynku, co oznacza spadek jej udziałów o 5 punktów procentowych. Na drugim miejscu, z 27% udziałami w rynku uplasowała się Toshiba. Wysiłki jej prezesa, Shozo Saito, który obiecał, że do 2008 roku to japoński koncern będzie największym producentem NAND flash, spełzły na niczym. Trzecie miejsce na rynku należy do Hyniksa, który zanotował największy, bo 79-procentowy wzrost sprzedaży. Samsung, Toshiba i Hynix posiadają łącznie 87% rynku NAND flash. Jednak mniejsi gracze również świetnie sobie radzili. Sprzedaż Microna wzrosła o 75,5% do wartości 285,4 miliona dolarów, a Intel zanotował 47,9-procentowy wzrost sprzedaży, do 132 milionów USD.
  22. Naukowcy z University of Pennsylvania opracowali nanokable, które są w stanie przechowywać dane przez 100 000 lat i odczytywać je tysiąckrotnie szybciej, niż obecnie wykorzystywane układy flash czy miniaturowe dyski twarde. Ponadto do pracy potrzebują mniej energii i zajmują mniej miejsca. Nanokable są dziełem Ritesha Agarwala, Se-Ho Lee i Yeonwoonga Junga. Stworzone zostały z tellurku germanowo-antymonowego (Ge2Sb2Te5). Jest to materiał zmiennofazowy, który pod wpływem prądu elektrycznego zmienia swoją strukturę pomiędzy stanem amorficznym a krystalicznym. Kolejną olbrzymią zaletą wspomnianych nanokabli jest fakt, iż miniaturowe struktury o średnicy zaledwie 100 atomów można tworzyć bez wykorzystywania drogich technik litograficznych. Naukowcy wykorzystali proces chemiczny, podczas którego poszczególne składniki samodzielnie krystalizują w niskiej temperaturze i obecności metalowego katalizatora. Utworzone w ten sposób nanokable miały od 30 do 50 nanometrów średnicy i długość 10 mikrometrów. Zostały następnie przeniesione na krzemowe podłoże i utworzono z nich urządzenie zdolne do przechowywania danych. Testy wykazały, że potrzebuje ono do pracy jedynie 0,7 mW na bit informacji. Informacje są odczytywane, kasowane i zapisywane w ciągu 50 nanosekund, czyli 1000-krotnie szybciej, niż ma to miejsce w przypadku flash. Z wyliczeń wynika, że urządzenie może osiągnąć gęstość zapisu rzędu terabita na cal i jest w stanie przechowywać dane przez 100 000 lat. Wiele firm pracuje nad technologiami, które zastąpiłyby wykorzystywane powszechnie pamięci flash. Spotykamy się z nimi w wielu miejscach: w aparatach fotograficznych, kartach pamięci, klipsach USB itp. Układy flas mają liczne zalety. Są układami nieulotnymi, co oznacza, iż po wyłączeniu zasilania dane nadal są przechowywane. Są stosunkowo tanie i energooszczędne. Mają jednak i wady, a do najpoważniejszych z nich można zaliczyć stosunkowo długi czas zapisu/odczytu, który powoduje, że np. aparaty fotograficzne nie mogą szybko wykonywać zdjęć, gdyż pamięci flash nie nadążają z zapisywaniem danych. Dlatego też trwają prace nad bardzo obiecującymi pamięciami zmiennofazowymi. Są one bardziej wydajne, odporne i mają prostszą konstrukcję, niż układy flash. Ich główną wadą jest fakt, iż trudno jest produkować je w skali właściwej dla współczesnych technik litograficznych nie niszcząc przy tym ich właściwości. Uczonym z University of Pennsylvania udało się pokonać tę trudność. Może to oznaczać, iż w najbliższym czasie będziemy świadkami rewolucji na rynku nieulotnych pamięci.
  23. Microsoft udostępnił Release Candidate programu Silverlight. Gotowa wersja ma być dostępna jesienią. Silverlight ma być konkurencją dla oprogramowania Flash, które stało się nieformalnym standardem w dziedzinie strumieniowego przekazywania wideo na stronach WWW. Microsoft próbuje zachęcić serwisy publikujące wideo do używania Silverlighta zamiast lub obok Flasha. Koncern twierdzi, że głównymi przewagami jego technologii nad Flashem jest wyższa jakość obrazu oraz możliwość zmiany rozmiaru okna, w którym wyświetlany jest klip. Microsoft zapowiada, że w wersji Silverlight 1.1 dołączy wsparcie dla Dynamic Languages Runtime, dzięki czemu programiści będą mogli wykorzystać narzędzia platformy .Net oraz języki skryptowe do tworzenia aplikacji dla Silverlighta.
  24. Na blogu Uniwersytetu w Waszyngtonie pojawiło się nieco szczegółów technicznych dotyczących iPhone’a. Autor wpisu zdobył je podczas apple’owskiej Worldwide Developers Conference. Z ujawnionych danych wynika, że iPhone nie korzysta z technologii Flash i Java, które są szeroko używane w Sieci i urządzeniach mobilnych. Z kolei działanie JavaScriptu będzie ograniczone do 5 sekund, a wielkość stron HTML, które będzie można przeglądać na iPhonie nie może przekroczyć 10 megabajtów. W poście napisano również, że jednocześnie będzie można uruchomić nie więcej niż osiem dokumentów. Nie wiadomo jednak, o jakie dokumenty chodzi. Czy mowa tutaj np. o witrynach w Internecie, czy np. o witrynach pobieranych z pamięci podręcznej iPhone’a. Wpis zdradzający szczegóły najnowszego urządzenia Apple’a został już z forum usunięty. Ken Dulaney, wiceprezes ds. urządzeń mobilnych firmy analitycznej Gartner mówi, że decyzja o rezygnacji z Flasha i Javy to posunięcie typowe dla Apple’a. Firma kolejną rzecz robi po swojemu. Zdaniem Dulaneya brak obu wspomnianych technologii w żaden sposób nie zniechęci developerów do tworzenia programów na iPhone’a.
  25. W bieżącym tygodniu podczas konferencji MIX 07 Microsoft udostępni część kodu swojej technologii Silverlight. Jednocześnie ukaże się zapowiadana wcześniej wersja beta oprogramowania. Silverlight dotychczas znany był pod nazwą Windows Presentation Foundation Everywhere (WPF/E). To technologia konkurencyjna wobe Flash firmy Adobe, która ma umożliwić odtwarzanie plików muzycznych, filmowych i uruchamianie interaktywnych aplikacji sieciowych. Silverlight był rozwijany przez dwa lata i został napisany stworzonym przez Microsoft języku XAML. Współpracuje on z przeglądarkami Internet Explorer, Firefox i Safari, zarówno w systemie Windows jak i Mac OS X. Wersja instalacyjna programu zajmuje mniej niż 2 megabajty. Podobnie jak Flashowi towarzyszą mu narzędzia dla projektantów i developerów oprogramowania. Koncern z Redmond próbuje szerzej wejść na rynek internetowego przekazu multimedialnego. Jego format Windows Media Video jest bardzo popularny, szczególnie w przypadku plików pobieranych na dysk, a dopiero później odtwarzanych. Jednak rynek strumieniowego przekazywania wideo jest dominowany przez Flash Playera firmy Adobe, z którego korzystają na przykład MySpace i YouTube.
×
×
  • Create New...