Jump to content
Forum Kopalni Wiedzy

Search the Community

Showing results for tags 'samoorganizująca się monowarstwa'.



More search options

  • Search By Tags

    Type tags separated by commas.
  • Search By Author

Content Type


Forums

  • Nasza społeczność
    • Sprawy administracyjne i inne
    • Luźne gatki
  • Komentarze do wiadomości
    • Medycyna
    • Technologia
    • Psychologia
    • Zdrowie i uroda
    • Bezpieczeństwo IT
    • Nauki przyrodnicze
    • Astronomia i fizyka
    • Humanistyka
    • Ciekawostki
  • Artykuły
    • Artykuły
  • Inne
    • Wywiady
    • Książki

Find results in...

Find results that contain...


Date Created

  • Start

    End


Last Updated

  • Start

    End


Filter by number of...

Joined

  • Start

    End


Group


Adres URL


Skype


ICQ


Jabber


MSN


AIM


Yahoo


Lokalizacja


Zainteresowania

Found 1 result

  1. Na Uniwersytecie Tokijskim powstała pamięć flash zbudowana z taniego, elastycznego materiału organicznego. Może ona posłużyć do budowy olbrzymich czujników czy wyświetlaczy z wbudowaną pamięcią. Organiczny flash to dzieło zespołu profesora Takeo Someya. Składa się nań macierz 26x26 komórek pamięci z naftalanu polietylenu (PEN). Materiał można wyginać tak, że powstaje łuk o promieniu 6 milimetrów bez szkody dla właściwości elektrycznych czy mechanicznych pamięci. Nowe urządzenie nazwano organicznym flashem, gdyż jest to pamięć nieulotna, składająca się z takich samych bramek, jak te, które tworzą krzemowy flash. Układy flash korzystają z bramek swobodnych, które są izolowane dielektrykiem, dzięki czemu mogą przez lata przechowywać ładunek, a więc i zapisane w nim informacje. Profesor Someya mówi, że prawdziwym wyzwaniem było właśnie znalezienie odpowiedniego materiału do izolowania bramek w elastycznych pamięciach. Musiał być on na tyle cienki, by pozwolić na przejście ładunku do bramki, a jednocześnie na tyle odporny, by nie roztapiać się podczas procesu produkcji. W końcu udało się go stworzyć z dwunanometrowej samoorganizującej się monowarstwy (SAM) oraz czteronanometrowej warstwy tlenku aluminium, którą stworzono utleniając powierzchnię aluminiowej swobodnej bramki. Wyprodukowana przez Japończyków pamięć wykorzystuje napięcie około 6 woltów do kasowania danych, a do odczytu korzysta z napięcia 1 V. Pamięć wytrzymuje ponad 1000 cykli zapisu/odczytu i jest w stanie przechowywać dane przez 24 godziny. Naukowcy sądzą, że czas przechowywania danych uda się zwiększyć wykorzystując SAM z od dłuższych molekułach i zmniejszając rozmiar tranzystorów.
×
×
  • Create New...