Toshiba zapowiada 64-warstwowe 3D NAND

[KopalniaWiedzy.pl 322]

Toshiba ogłosiła, że w trzecim kwartale bieżącego roku rozpocznie produkcję pierwszych 64-warstwowych układów 3D NAND. To wyzwanie rzucone Samsungowi, który podobne układy będzie produkował kwartał później.

Pierwsze kości 3D NAND powstały w 2013 roku w fabrykach Samsunga. W układach tego typu komórki pamięci są ułożone warstwami, co poprawia pojemność oraz tempo transferu danych. Toshiba zaczęła wytwarzać 3D NAND dopiero w ubiegłym roku. Korzysta jednak przy tym z technologii SONOS (semiconductor-oxide-nitride-oxide-semiconductor, półprzewodnik-tlenek-azotek-tlenek-półprzewodnik) podczas gdy Samsung wykorzystuje TANOS (Titanium, Alumina, Nitride, Oxide, Silicon - tytan, tlenek glinu, azotek, tlenek, krzem). Technika Toshiby pozwala łatwiej zwiększać liczbę warstw, jest jednak ogólnie bardziej skomplikowana i mniej produktywna.

« powrót do artykułu