Molekuły POM przyszłością pamięci flash?

[KopalniaWiedzy.pl 322]

Nowa molekuła może być odpowiedzią na ograniczoną pojemność układów flash. Komponenty MOS (metal-oxide-semiconductor) wykorzystywane do produkcji pamięci flash są ograniczone fizycznym limitem wielkości komórki pamięci. Bardzo trudno bowiem jest je zmniejszyć poniżej 10 nanometrów, co ogranicza liczbę komórek, jakie można umieścić na tradycyjnym krzemowym układzie.

Naukowcy od pewnego czasu pracują nad molekułami, które mogłyby zastąpić konwencjonalne rozwiązania. Jednak stworzenie nowych molekuł również jest trudne. Wiele z nich jest nieodporna na zmiany temperatury i charakteryzuje się zbyt dużą opornością.

Uczeni z Glasgow University oraz hiszpańskiego Universitat Rovira i Virgili znaleźli możliwe rozwiązanie tego problemu – wykorzystali molekuły POM (polyoxometalate). Tradycyjne układy flash korzystają z tranzytorów, które po wyłączeniu prądu pamiętają, czy były ustawione w stanie włączonym czy wyłączonym. Nam udało się zaprojektować, zsyntetyzować i opisać molekuły POM, które potrafią uwięzić i przechować ładunek, działając jak pamięć RAM typu flash, a jednocześnie wzbogacić swój rdzeń o selen, tworząc rodzaj pamięci, który nazwaliśmy 'write-once-erase' - mówi profesor Lee Cronin z Glasgow. Klastry POM zapewniają stabilność, elektroniczną aktywność, a ich właściwości elektroniczne można odpowiednio dostrajać, co czyni je przydatnymi do produkcji układów pamięci. Jedną z głównych ich zalet jest fakt, że można je produkować za pomocą narzędzi już używanych w przemyśle, zatem klastry POM można wytwarzać bez potrzeby inwestowania w nowe linie produkcyjne.

« powrót do artykułu