Jump to content
Forum Kopalni Wiedzy
Sign in to follow this  
KopalniaWiedzy.pl

MRAM nie upowszechni się szybko

Recommended Posts

Firma analityczna Gartner uważa, że magnetorezystywne układy pamięci (MRAM), nie trafią do powszechnego użycia przed 2010 rokiem. Przed kilkoma dniami firma Freescale Semiconductor poinformowała o rozpoczęciu produkcji tego typu kości.

W układach MRAM podczas operacji zapisu i odczytu wykorzystywane jest pole elektromagnetyczne, a nie przepływ prądu przez układ. Takie rozwiązanie powoduje, że układy tego typu chrakteryzują się mniejszym poborem energii niż RAM, podobnie jak pamięci FLASH przechowują dane po wyłączeniu zasilania, a jednocześnie operacje odczytu/zapisu przebiegają w nich znacznie szybciej niż w kościach FLASH. Nic dziwnego więc, że, wobec tak dużych korzyści, wiąże się z nimi spore nadzieje.

Analitycy Gartnera zauważają jednak, że technologia produkcji MRAM jest 1000-krotnie droższa, niż technologie wykorzystywane do tworzenie innych układów pamięci. Ponadto, jak zauważa Richard Gordon z firmy analitycznej, aby nowe pamięci odniosły sukces konieczne jest, by zainteresował się nimi taki gigant jak np. Samsung.

Zdaniem Gartnera MRAM przez najbliższe lata pozostanie produktem niszowym, wykorzystywanym tam, gdzie konieczność użycia szybkich, wytrzymałych pamięci nieulotnych będzie usprawiedliwiała wysokie koszty. Urządzenie Freescale'a kosztuje 25 dolarów, czyli 1000-krotnie więcej za megabajt niż układy NAND. Przy tej cenie całe lata potrwa, zanim trafi ono na masowy rynek – uważają analitycy.

 

Share this post


Link to post
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now
Sign in to follow this  

  • Similar Content

    • By KopalniaWiedzy.pl
      Naukowcy z North Carolina State University opracowali nowe urządzenie, które może znacząco zmienić rynek pamięci komputerowych, a właścicielom olbrzymich farm serwerowych pozwoli na spore obniżenie rachunków za energię elektryczną. Uczeni stworzyli hybrydowe urządzenie, które może działać jak pamięć ulotna oraz nieulotna i być wykorzystywana w roli głównej pamięci komputera.
      Obecnie wykorzystywane pamięci komputerowe możemy podzielić na szybko działające układy ulotne (DRAM) oraz na powolne nieulotne (flash).
      Wynaleźliśmy urządzenie, które może zrewolucjonizować pamięć komputerową. Nazywamy je podwójnym tranzystorem polowym. Istniejące pamięci nieulotne  korzystają z pojedynczej bramki, która przechowuje ładunek elektryczny. Wykorzystanie podwójnej bramki pozwala na jednoczesne przechowywanie ładunku dla wolniejszej pamięci nieulotnej, jak i dla szybszej - ulotnej - mówi profesor Paul Franzon, współautor nowych pamięci.
      Podwójny tranzystor polowy ma liczne zalety. Pozwoli on np. na błyskawiczne uruchamianie komputera, gdyż wyeliminujemy konieczność odwoływania się do dysku twardego podczas startu. Wszelkie dane potrzebne do uruchomienia systemu będą przechowywane w pamięci nieulotnej. Pozwoli to również na zaoszczędzenie olbrzymich ilości energii, a zatem na obniżenie kosztów działalności, właścicielom farm serwerowych. Farmy takie pochłaniają olbrzymie ilości energii m.in. dlatego, że nawet podczas swojej niewielkiej aktywności, muszą ją bez przerwy dostarczać do układów pamięci. Podwójny FET rozwiązuje ten problem. Dane mogą być przechowywane w części nieulotnej, skąd błyskawicznie można będzie je przesłać do szybko działającej części ulotnej pamięci. Takie rozwiązanie pozwoli na wyłączanie zasilania układów pamięci w czasie, gdy farma nie jest zbyt obciążona, bez spadku wydajności całego systemu.
      Szczegółowe informacje nt. nowych układów pamięci zostaną opublikowane 10 lutego.
    • By KopalniaWiedzy.pl
      Pięciu dużych producentów układów scalonych - IBM, ARM, Freescale, Samsung, ST-Ericsson i Texas Instuments - założyło organizację Linaro, której zadaniem jest inwestowanie w Linuksa i zwiększenie obecności tego systemu w urządzeniach konsumenckich.
      Szybki rozwój oprogramowania open source możemy obserwować urządzeniach konsumenckich, które są bez przerwy połączone z internetem - mówi dyrektor Linaro Tom Lantzsch.
      Linaro pomoże przyspieszyć ten rozwój, zwiększając inwestycje w kluczowe projekty opensource'owe oraz polepszając współpracę pomiędzy przemysłem a społecznościami - dodał.
      Co ciekawe, Linaro, mimo iż ma skupiać się przede wszystkim na architekturze ARM, nie wyklucza współpracy z Intelem. Wręcz przeciwnie, jest zainteresowane również promocją MeeGo.
      Założyciele Linaro zapewniają, że firma co pół roku będzie oferowała nowe wersje narzędzi, jądra i oprogramowania dla układów typu SoC (System-on-Chip).
    • By KopalniaWiedzy.pl
      Zespół naukowców z Francji, Niemiec i USA opracował nowy sposób na nieulotne przechowywanie danych. Metodę nazwali magnetyczną pamięcią wirową kontrolowaną częstotliwością.
      Uczeni użyli nanokropek wykorzystujących właściwości wirów magnetycznych i ich zdolności do przechowywania danych binarnych. Dane można kontrolować za pomocą prostej zmiany częstotliwości wirów.
      Co prawda już wcześniej próbowano używać magnetycznych nanoobiektów do przechowywania informacji, jednak nikt nie opracował metody zmiany kierunku magnetyzacji w pojedynczym nanoobiekcie. Teraz udało się to osiągnąć dzięki połączeniu impulsów mikrofalowych ze statycznym polem magnetycznym.
      Zespół naukowców skojarzył wiry o różnych częstotliwościach (dużej i małej) z - odpowiednio - pozytywną i negatywną polaryzacją. Przy pozytywnej polaryzacji, rdzeń wiru jest ułożony równolegle do pola magnetycznego. Przy negatywnej - jest przeciwrównoległy. Za pomocą niezwykle czułego rezonansowego mikroskopu sił magnetycznych (MRFM) specjaliści byli w stanie kontrolować polaryzację poszczególnych nanokropek.
      Stworzony przez nich prototypowy układ pamięci składa się z macierzy nanokropek oraz elektromagnesu generującego stałe pole magnetyczne prostopadłe do macierzy. Za pomocą końcówki MRFM można badać i kontrolować stan poszczególnych nanokropek. Do jego odczytania należy użyć mikrofalowego pola magnetycznego na tyle słabego, by nie zmieniło polaryzacji nanokropek. Zwiększając jego moc można zmieniać polaryzację, a zatem odczytywać dane. Badacze przeprowadzili setki prób zapisu i wszystkie przebiegły bezbłędnie oraz nie miały wpływu na stan sąsiadujących nanokropek.
      Eksperci chcą teraz udoskonalić swój wynalazek m.in. poprzez wyeliminowanie konieczności używania MRFM, który zawiera ruchome części. Planują zastąpić go lokalnymi czujnikami odczytującymi stan nanokropek. Myślą też o układaniu nanokropek jedna na drugiej i stworzeniu w ten sposób układów składających się z wielu rejestrów.
      Wstępne badania pokazują, że nowa pamięć może działać znacznie szybciej i oferować większą pojemność niż obecnie wykorzystywane nieulotne układy RAM.
    • By KopalniaWiedzy.pl
      Japończycy z Narodowego Insytutu Zaawansowanych Nauk Przemysłowych i Technologii (AIST) opracowali nowy element do magnetorezystancji tunelowej (TMR). Tego typu podzespoły są niezbędne do zwiększenia pojemności pamięci magnetorezystywnych (MRAM). Szczegóły budowy nowego TMR poznamy podczas rozpoczętej właśnie 11th Joint MMM-Intermag Conference.
      Element pozwoli na zwiększenie pojemności MRAM powyżej 10 gigabitów.
      Jednym z głównych problemów, z jakim spotykają się naukowcy badający pamięci magnetorezystywne jest fakt,że wraz ze zmniejszaniem TMR prąd zapisujący dane wpływa destabilizująco na ich przechowywanie. Prowadzi on bowiem do zmiany kierunku namagnesowania wolnej warstwy TMR i, często, utraty danych. Można temu zaradzić zwiększając grubość wolnej warstwy, jednak wówczas konieczne jest przyłożenie większego napięcia podczas zapisu.
      Japończycy rozwiązali problem wykorzystując wolną warstwę pokrytą laminatem. W ich propozycji warstwa niemagnetyczna (ruten) pokryta jest dwoma warstwami ferromagnetyka (CoFeB). Połączenie między warstwami ferromagnetyka można kontrolować zmieniając grubość warstwy rutenu tak, by upewnić się, że pola magnetyczne obu laminatów mają ten sam kierunek. Dzięki temu odporność na zakłócenia zwiększono pięciokrotnie, przy jedynie 80-procentowym wzroście natężenia prądu.
    • By KopalniaWiedzy.pl
      Były wiceprezes ds. badawczych w Seagate Technology, profesor Mark Kryder z Carnegie Mellon Univeristy, założyciel Data Storage System Center oraz jego student Chang Soo Kim przeprowadzili studium nt. przyszłości technologii przechowywania danych. W jego ramach przebadali 13 nieulotnych technologii przechowywania informacji, które są postrzegane jako możliwi następcy dysków twardych (HDD). Obaj specjaliści przeanalizowali rynkowe szanse badanych technologii, prawdopodobieństwo z jakim mogą zastąpić HDD oraz przyszłą cenę terabajta pojemności do roku 2020.
      Najważniejszą konkluzją ich prac jest stwierdzenie, iż jest bardzo mało prawdopodobne, by jakiekolwiek urządzenia wykorzystujące pamięci nieulotne były w stanie w najbliższym dziesięcioleciu konkurować cenowo z HDD. Zdaniem naukowców "mapa drogowa" rozwoju technologii litograficznych (ITRS - International Technology Roadmap for Semiconductors) pokazuje, że w przyszłej dekadzie nie rozwiną się one na tyle, by zapewnić odpowiednio wysoką gęstość zapisu, co pozwoliłoby na obniżenie ceny technologii alternatywnych tak, by stały się one tańsze od HDD. Największe szanse na konkurowanie z obecnymi dyskami mają technologię pozwalające na zapisanie wielu bitów w pojedynczej komórce oraz takie, które korzystają z pamięci zmiennofazowych (PCRAM) i STT-RAM.
      W podsumowaniu swojej analizy, naukowcy stwierdzają: Przyjmując, że technologia HDD będzie rozwijała się w takim tempie, jak w przeszłości, w roku 2020 dwutalerzowy 2,5-calowy dysk twardy będzie w stanie przechowywać ponad 40 terabajtów danych, a jego cena wyniesie około 40 dolarów.
      Na długo przed rokiem 2020 technologia pamięci flash osiągnie granicę, poza którą nie będzie można jej skalować. Istnieje obecnie duże zainteresowanie technologiami pamięci nieulotnych, które zastąpią flash i w przyszłości być może i HDD. W dokumencie tym porównaliśmy trzynaście z nich.
      Uznając za najważniejszy czynnik gęstość zapisu oraz biorąc pod uwagę wydajność, najbardziej obiecujące wydają się technologie typu racetrack. Jednak zależą one od synchronicznego przemieszczania ścian domen w rejestrach, co już w przeszłości okazało się niepraktyczne i nadal jest dalekie od wdrożenia. Tym bardziej, że nad technologią tą nie pracuje odpowiednia liczba badaczy, którzy mogliby rozwiązać trapiące ją problemy. Obiecująco duże gęstości zapisu można uzyskać w pamięciach korzystających z próbników, tym bardziej, że produkcja ich głowic nie jest mocno ograniczana przez rozwój technologii litograficznych. Z drugiej jednak strony, ich wydajność jest niższa niż wydajność innych technologii i, podobnie jak w pamięciach racetrack, są one dalekie od praktycznego zastosowania. Również nad nimi pracuje mało specjalistów.
      Pamięci holograficzne mogą potencjalnie mieć wysoką gęstość przy niskich kosztach, jednak jak dotąd sprawdzają się tylko w zastosowaniach polegających na jednorazowym zapisie nośnika, a to zupełnie inny rynek.
      Układy MRAM i FRAM należą do najdroższych, a ich koszt jest podobny do kości DRAM, dlatego też nie zastąpią układów flash czy dysków twardych.
      Pamięci polimerowe, molekularne i SEM (Single Electron Memory) charakteryzują się niską gęstością zapisu i krótkimi czasami przechowywania danych, co czyni je nieprzydatnymi w rozważanych zastosowaniach.
      Z kolei kości typu NRAM wydają się być dobrymi kandydatami, jednak ich prognozowana gęstość, a co za tym idzie i koszt, nie są wystarczająco konkurencyjne.
      Produkty takie jak RRAM, CBRAM, STTRAM i PCRAM mają małe komórki i potencjalnie nadają się do przechowywania wielu bitów w pojedynczej komórce, dzięki czemu mogą w przyszłości konkurować z dyskami twardymi Wśród nich PCRAM są najbardziej dojrzałe i już trafiły na rynek, a STTRAM wydają się oferować najlepszą wydajność.
×
×
  • Create New...