Zaloguj się, aby obserwować tę zawartość
Obserwujący
0
OCZ zaprzestanie produkcji kości DRAM
dodany przez
KopalniaWiedzy.pl, w Technologia
-
Podobna zawartość
-
przez KopalniaWiedzy.pl
Elpida Memory, trzeci co do wielkości producent układów DRAM, złożył w tokijskim sądzie wniosek o upadłość. Zadłużenie firmy sięgnęło 5,5 miliarda dolarów.
W latach 2006-2007 znacząco zwiększono zdolności produkcyjne układów pamięci, co doprowadziło do nadmiernej podaży i gwałtownego spadku cen, trwającego do dzisiaj. Jak informuje iSuppli, obecnie ceny układów DRAM są o 50% niższe niż przed rokiem. Jakby tego było mało w roku 2008 rozpoczął się kryzys ekonomiczny, a silny jen oraz powodzie w Tajlandii dopełniły dzieła. Elpida nie była w stanie poradzić sobie z tak dużym nagromadzeniem niekorzystnych czynników.
Na razie nie wiadomo, co stanie się z Elpidą. Jeśli firma całkowicie wstrzyma produkcję, to ceny układów pamięci wzrosną co zmusi producentów komputerów do podniesienia cen maszyn lub ograniczenia ilości stosowanej pamięci. Kłopoty mogą czekać również rynek urządzeń mobilnych, na którym margines zysku jest niewielki, więc zatrzymanie produkcji przez dużego dostawcę może oznaczać albo podniesienie cen, albo znaczący spadek zysku.
W czwartym kwartale ubiegłego roku do Elpidy należało 15,4% rynku DRAM. Większymi graczami byli tylko Samsung (53%) i Hynix (22,9%).
-
przez KopalniaWiedzy.pl
Elpida poinformowała o wyprodukowaniu pierwszego własnego prototypu pamięci ReRAM. Kość wykonano w technologii 50 nanometrów, a jej pojemność wynosi 64 megabity.
ReRAM (Resistance Random Access Memory) to pamięć nieulotna zbudowana z materiałów, które zmieniają oporność w odpowiedzi na zmiany napięcia elektrycznego. Największą zaletą ReRAM jest niezwykle szybka praca przy bardzo niskim napięciu. Ma ona obie zalety pamięci DRAM, czyli szybką pracę, oraz pamięci flash, czyli możliwość przechowywania danych po odłączeniu zasilania. Czas zapisu danych na ReRAM wynosi około 10 nanosekund, czym dorównuje układom DRAM, jest za to znacznie bardziej wytrzymała niż flash, gdyż umożliwia dokonanie ponad miliona cykli zapisu/odczytu danych. Przed kilkoma miesiącami informowaliśmy o stworzeniu przez Samsunga prototypowej komórki ReRAM, wytrzymującej bilion cykli zapis/odczyt.
Elpida ma nadzieję, że pierwsze przeznaczone do sprzedaży kości ReRAM rozpocznie produkować już w przyszłym roku. Mają być one wykonane w technologii 30 nm, a ich pojemność ma być liczona w gigabitach. ReRAM może stać się konkurentem powszechnie wykorzystywanych układów flash, szczególnie na rynku urządzeń przenośnych, gdzie duże znaczenie ma ilość energii potrzebnej do obsługi pamięci.
-
przez KopalniaWiedzy.pl
Intel i Micron ogłosiły powstanie pierwszego 128-gigabitowego układu pamięci MLC (multi-level cell) NAND, wykonanego w technologii 20 nanometrów. Jednocześnie obie firmy poinformowały o rozpoczęciu masowej produkcji 64-gigabitowych kości tego typu.
Nowy układ został stworzony przez firmę IM Flash Technologies (IMFT) - spółkę założoną przez Intela i Microna. Nowa kość jest zgodna ze specyfikacją ONFI 3.0, dzięki czemu zapewnia prędkość przesyłu danych rzędu 333 megatransferów na sekundę (MT/s). Urządzenie może zatem trafić zarówno do telefonów komórkowych jak i dysków SSD.
W styczniu przyszłego roku IMFT udostępni zainteresowanym firmom próbki kości, a w I połowie 2012 zostanie uruchomiona masowa produkcja nowych NAND.
-
przez KopalniaWiedzy.pl
OCZ Technology zaprezentowało dyski SSD z rodziny Octane SATA 3.0 i SATA 2.0. To pierwsze 2,5-calowe SSD o pojemności 1 terabajta.
Urządzenia Octane korzystają z platformy Endilinx Everest, co zapewnia odczyt z prędkością 560 MB/s oraz 45 000 operacji wejścia/wyjścia na sekundę.
Dyski wyposażono w dwurdzeniowe procesory i do 512 megabajtów pamięci cache. W sprzedaży znajdą się modele o pojemności 128, 256, 215 i 1024 gigabajtów. Prędkość odczytu urządzeń Octane (SATA 3.0) wyniesie 560 MB/s, a prędkość zapisu - 400 MB/s. W przypadku urządzeń Octane-S2 (SATA 2.0) wartości te będą wynosiły, odpowiednio, 275 i 265 megabajtów na sekundę.
Octane trafią na rynek 1 listopada.
-
-
Ostatnio przeglądający 0 użytkowników
Brak zarejestrowanych użytkowników przeglądających tę stronę.