Zaloguj się, aby obserwować tę zawartość
Obserwujący
0
Iryd nadzieją dla pamięci flash
dodany przez
KopalniaWiedzy.pl, w Technologia
-
Podobna zawartość
-
przez KopalniaWiedzy.pl
Specjaliści z niemieckiej firmy Namlab GmbH stworzyli podstawy tranzystora polowego, który za pomocą sygnału elektrycznego można rekonfigurować tak, by działał jak tranzystor typu p lub typu n.
Koncepcyjny uniwersalny tranzystor został opisany w artykule w Nano Letters. Niemcy zaprezentowali teoretyczne założenia tranzystora, jednak twierdzą, że bez najmniejszych problemów można zbudować takie urządzenie za pomocą technologii CMOS.
Nowy tranzystor składa się z pojedynczego nanokabla o strukturze metal-półprzewodnik-metal, otoczonego dwutlenkiem krzemu. Elektrony i dziury przepływają ze źródła na jednym końcu nanokabla przez dwie bramki do drenu. Bramki w różny sposób kontrolują ruch elektronów i dziur. Jedna z nich decyduje o trybie pracy tranzystora wybierając, czy wykorzystuje elektrony czy dziury. Druga z nich kontroluje ich przepływ dobierając odpowiednio rezystancję.
Niemcy zaprezentowali zatem całkowicie inne podejście niż spotykamy we współczesnych tranzystorach. Obecnie o tym, czy tranzystor będzie typu p czy n decyduje się na etapie produkcji za pomocą odpowiednich domieszek. Raz wybrany typ nie może już być zmieniony.
W rekonfigurowalnym tranzystorze napięcie przyłożone do jednej z bramek decyduje o jego typie. Bariera Schottky’ego, która powstaje na styku metalu i półprzewodnika blokuje albo dziury, albo elektrony. Gdy zablokowane są elektrony, dziury przepływają i mamy do czynienia z tranzystorem typu p. Nieco inne napięcie spowoduje, że zablokowane zostaną dziury, a możliwy będzie ruch elektronów.
Taki tranzystor może przeprowadzać operacje logiczne właściwe dla tranzystorów p i n. To z kolei oznacza, że może je zastąpić, co pozwoli na zmniejszenie liczby tranzystorów w układzie bez ograniczania jego funkcjonalności. Za tym idzie możliwość produkcji mniejszych układów scalonych, zużywających mniej energii i łatwiejszych oraz tańszych w chłodzeniu.
-
przez KopalniaWiedzy.pl
Ostatnie badania przeprowadzone przez Argonne National Laboratory i Carnegie Institution pozwolą na znaczne udoskonalenie nanomateriałów. To z kolei przyczyni się do powstania lepszych ogniw słonecznych, czujników czy urządzeń do obrazowania medycznego.
Uczeni opracowali bowiem technikę umożliwiającą obserwowanie tworzenia się nanocząsteczek w czasie rzeczywistym. Wzrost nanokryształów to fundament nanotechnologii. Zrozumienie tego procesu pozwoli na precyzyjne dopasowywanie i tworzenie nanocząsteczek o fascynujących właściwościach - mówi Yugang Sun, chemik z Argonne. Wygląd i zachowanie się nanocząstek zależy od ich kształtu, wielkości, teksktury i właściwości chemicznych powierzchni. Te cech są kształtowane podczas wzrostu, dlatego też tak ważną rzeczą jest możliwość obserwowania nanokryształów podczas tworzenia się.
Dokładne kontrolowanie nanocząsteczek jest bardzo trudne. A jeszcze trudniejsze jest wyprodukowanie takich samych nanocząstek podczas dwóch procesów produkcyjnych, gdyż wciąż nie posiadamy zbyt wielu informacji o warunkach ich kształtowania się. Temperatura, ciśnienie, wilgotność, obecność zanieczyszczeń - wszystkie one mają wpływ na wzrost nanocząstek, a wciąż odkrywamy nowe czynniki - dodaje Sun.
Możliwość prowadzenia obserwacji jest konieczna do określenia wszystkich wspomniany czynników. Problem jednak w tym, że mikroskopia elektronowa, używana do obserwacji w skali nano, wymaga zastosowania próżni. A wiele nanokryształów rośnie w środowisku płynnym. Dotychczas możliwe było zastosowanie pewnych technik pozwalających na obserwację, jeśli grubość warstwy płynu nie przekraczała 100 nanometrów, jednak to technika bardzo niedoskonała, gdyż takie warunki odbiegają od warunków, w jakich rosną nanokryształy.
Teraz amerykańscy naukowcy wykorzystali bardzo intensywane promieniowanie X do obserwacji wzrostu kryształów. Co prawda promienie X wpływają na ten proces, jednak po długotrwałym naświetlaniu, a zatem jest wystarczająco dużo czasu, by bez obawy zakłócenia wzrostu przyjrzeć się, jak powstają nanokryształy.
-
przez KopalniaWiedzy.pl
Kolor koszulki bramkarza może wpłynąć na skuteczność strzału napastnika. Okazuje się, że w rzucie karnym rzadziej udaje się mu zdobyć gola, jeśli w bramce stoi osoba w czerwonym stroju.
Naukowcy z University of Chichester zaprezentowali wyniki swoich badań na dorocznej konferencji Brytyjskiego Towarzystwa Psychologicznego. Sugerowali oni, że czerwień wywołuje na poziomie podświadomym skojarzenia z porażką, przez co uderzający gorzej się spisuje.
Doktorzy Iain Greenlees i Michael Eynon sprawdzali, jak w przypadku 40 piłkarzy z drużyny uniwersyteckiej wyglądała skuteczność strzału i w jakim stopniu spodziewali się oni sukcesu, stojąc przed bramkarzem ubranym w czarną, niebieską, zieloną, żółtą lub czerwoną koszulkę.
Każdy z napastników wykonywał w sumie 20 karnych: 10 przeciwko bramkarzowi w czarnym T-shircie i 10 przeciwko bramkarzowi w stroju innego koloru. Sportowcy mieli oszacować, ile strzałów na 10 im wyjdzie i podać subiektywną pewność tej wyceny.
Psycholodzy stwierdzili, że choć nie było różnicy w podawanych wartościach, najmniej bramek padało w starciu z bramkarzem w czerwonej koszulce (54-proc. skuteczność). Nieco lepiej kształtowała się strzelność przeciwko golkiperowi w żółci (69%). Nie odnotowano różnic w wynikach spotkań z bramkarzami w niebieskim i zielonym stroju: strzelcom udawało się ich zmylić w, odpowiednio, 72 i 75% przypadków.
Odkrycia te wspierają pomysł, że czerwone ubrania dają sportowcowi lub drużynie niewielką, ale znaczącą przewagę (przy jednym rzucie karnym na 5). Ma to również implikacje dla sportów, w których kolory narożników są losowane, np. w boksie – podsumowuje Greenlees.
-
przez KopalniaWiedzy.pl
Badacze IBM-a zaprezentowali najszybszy tranzystor grafenowy na świecie. Urządzenie pracuje z częstotliwością 100 GHz i powstało w ramach finansowanego przez DARPA programu Carbon Electronics for RF Appplications (CERA), którego zadaniem jest opracowanie urządzenie komunikacyjnych kolejnej generacji.
Grafenowy tranzystor został wyprodukowany za pomocą technologii kompatybilnej z obecnie używanymi technikami produkcji elektroniki krzemowej, co oznacza, że stosunkowo łatwo będzie można wdrożyć go do masowej produkcji.
Od dłuższego już czasu wiadomo, że grafen jest niezwykle obiecującym materiałem, w którym elektrony poruszają się znacznie szybciej niż w krzemie. Teraz udało się udowodnić, że z grafenu można tworzyć bardzo wydajne podzespoły.
Tranzystor powstał dzięki technice sublimacji krzemowej, za pomocą której niedawno stworzono 100-milimetrowy plaster grafenowy. Tranzystor IBM-a korzystał z metalowej bramki, polimerowego izolatora i tlenku o wysokiej stałej dielektrycznej. Był dość spory, gdyż długość bramki wynosiła aż 240 nanometrów, co oznacza, że możliwy jest dalszy postęp.
Jednak najbardziej istotny w pracach IBM-a jest fakt, że, pomimo iż tranzystory grafenowe dopiero raczkują, już pracują z wyższą częstotliwością, niż układy krzemowe o tej samej długości bramki. W krzemie udało się bowiem osiągnąć około 40 GHz.
-
przez KopalniaWiedzy.pl
O kolejnym osiągnięciu, dzięki któremu powstaną jeszcze nowocześniejsze pamięci krzemowe, informuje firma Toshiba. Opracowana przez nią struktura z podwójną warstwą tunelowania umożliwi budowanie pamięci flash w technologii 10 nm. Tak duża gęstość upakowania elementów (najnowocześniejsze obecnie mikroprocesory wykonane są w technologii 45 "aż" nanometrów) pozwoli budować układy pamięci flash o pojemności nawet 100 Gbit (12,5 gigabajta). Zastosowana przez Japończyków struktura SONOS (ang. Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor) zawiera warstwę nanokryształów krzemu o grubości 1,2 nm, znajdującą się między dwiema warstwami tlenków grubymi na 1 nm. Struktura ta. Mimo sporych zmian w stosunku do tradycyjnych technologii, zapewnia dużą prędkość działania oraz trwałość zapisu danych wynoszącą 10 lat – tyle, co typowe pamięci nieulotne. Niestety, obiecywane gęstości to jedynie wartości docelowe, jakie zostaną osiągnięto dopiero po kilku generacjach mniej pojemnych kostek flash. Jednak już teraz widać, że w branży pamięci masowych coraz większe znaczenie nośników krzemowych. Dyski twarde budowane na bazie pamięci flash zyskują nie tylko na pojemności czy wydajności (w której spory udział mają bardzo krótkie czasy dostępu do danych). Dzięki spadającym cenom stają się one też coraz bardziej popularne, a nieustannie doskonalona technologia sprawia, że żywotność i niezawodność tych urządzeń zagraża "twardzielom" bazującym na wirujących nośnikach magnetycznych.
-
-
Ostatnio przeglądający 0 użytkowników
Brak zarejestrowanych użytkowników przeglądających tę stronę.