Znajdź zawartość

Uczeni z Tajwanu proponują, by do budowy układów pamięci flash wykorzystać jeden z najrzadszych metali - irydu. Pozwoliłoby to zwiększyć prędkość pracy i gęstość zapisu. Włączenie nanokryształów irydu w główne części bramek układów flash pozwala na osiągnięcie zarówno świetnych właściwości samych pamięci jak i poprawia stabilność w wysokich temperaturach w jakich są przetwarzane urządzenia półprzewodnikowe - stwierdził Wen-Shou Tseng, który kieruje pracami zespołu badawczego z Tajwańskiego Centrum Standardów. Tajwańczycy wybrali do swoich badań iryd, gdyż z jednej strony mocno wiąże elektrony, a z drugiej topi się dopiero w temperaturze 2500 stopni Celsjusza. Wiele układów scalonych jest podczas produkcji poddawanych temperaturom rzędu 900 stopni, a zatem nie ma obawy, że iryd nie przetrwa przetwarzania. Mimo, że iryd jest niezwykle rzadki, nie powinniśmy obawiać się, że produkcja pamięci flash może wyczerpać jego zasoby. Do każdej bramki wystarczy jedna trylionowa (1018) część grama. Propozycja Tajwańczyków może być najprostszym rozwiązaniem problemów, z którymi borykają się producenci układów flash. Chcąc zwiększyć ich pojemność oraz prędkość pracy, muszą coraz bardziej miniaturyzować poszczególne elementy. Jednak wkrótce nie będzie możliwe dalsze zmniejszanie bramek, gdyż nie będą w stanie przechowywać ładunku elektrycznego. Wykorzystanie irydu to być może najprostszy sposób na dalszy postęp technologiczny pamięci flash. W innym wypadku niewykluczone, że konieczne będzie zmiana architektury bramki.

O kolejnym osiągnięciu, dzięki któremu powstaną jeszcze nowocześniejsze pamięci krzemowe, informuje firma Toshiba. Opracowana przez nią struktura z podwójną warstwą tunelowania umożliwi budowanie pamięci flash w technologii 10 nm. Tak duża gęstość upakowania elementów (najnowocześniejsze obecnie mikroprocesory wykonane są w technologii 45 "aż" nanometrów) pozwoli budować układy pamięci flash o pojemności nawet 100 Gbit (12,5 gigabajta). Zastosowana przez Japończyków struktura SONOS (ang. Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor) zawiera warstwę nanokryształów krzemu o grubości 1,2 nm, znajdującą się między dwiema warstwami tlenków grubymi na 1 nm. Struktura ta. Mimo sporych zmian w stosunku do tradycyjnych technologii, zapewnia dużą prędkość działania oraz trwałość zapisu danych wynoszącą 10 lat – tyle, co typowe pamięci nieulotne. Niestety, obiecywane gęstości to jedynie wartości docelowe, jakie zostaną osiągnięto dopiero po kilku generacjach mniej pojemnych kostek flash. Jednak już teraz widać, że w branży pamięci masowych coraz większe znaczenie nośników krzemowych. Dyski twarde budowane na bazie pamięci flash zyskują nie tylko na pojemności czy wydajności (w której spory udział mają bardzo krótkie czasy dostępu do danych). Dzięki spadającym cenom stają się one też coraz bardziej popularne, a nieustannie doskonalona technologia sprawia, że żywotność i niezawodność tych urządzeń zagraża "twardzielom" bazującym na wirujących nośnikach magnetycznych.