Znajdź zawartość

TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) i Nvidia ogłosiły, że powstały już pierwsze w pełni działające próbki procesora graficznego z wbudowaną pamięcią DRAM. Szczegółów GPU nie ujawniono, jednak sam fakt jego wyprodukowania wskazuje na rosnące zainteresowanie technologią eDRAM. Z oświadczenia obu firm wiadomo jedynie, że pamięć została wykonana w technologii 65 nanometrów. Technologia eDRAM pozwala na upakowanie w kości większej ilości pamięci, niż stosowana powszechnie SRAM. Idzie za tym możliwość wykonania większej liczby operacji w tym samym czasie czy dodanie do kości dodatkowych funkcji. Pojedyncza komórka pamięci eDRAM produkowana przez TSMC jest czterokrotnie mniejsza niż komórka SRAM. Nvidia od stycznia szuka specjalistów, którzy potrafią zaprojektować pamięci eDRAM dla procesorów graficznych. Obecnie nie wiadomo, kiedy GPU z tego typu pamięcią trafią na rynek.

Podczas International Solid State Circuits Conference (ISSCC) IBM pokazał najszybszą w historii kość pamięci. Dzięki zastosowaniu nowej technologii układ eDRAM (Embedded Dynamic Random Access Memory) Błękitnego Giganta charakteryzuje się nie tylko najkrótszym czasem dostępu do danych, ale również ponadtrzykrotnie większą pojemnością niż analogiczne produkty konkurencji. W sprzedaży nowa kość znajdzie się już w przyszłym roku. Układ wykonany jest w technologii Silicon-on-Insulator (SOI). Wielkość komórki pamięci układu wynosi 0,126 mikrometra kwadratowego, a opóźnienie to zaledwie 1,5 ns. Przedstawiciele IBM-a stwierdzili, że jej zastosowanie pozwoli na podwojenie wydajności firmowych procesorów. Takiego przyrostu mocy nie można uzyskać, jak zapewnił doktor Subramanian Iyer z IBM-a, za pomocą zwykłego przejścia na kolejny proces technologiczny. IBM jest bardzo innowacyjną firmą na polu mikroelektroniki. Dokonała przełomowych badań nad materiałami o wysokiej stałej dielektrycznej (high-k), wielordzeniowymi procesorami, wykorzystaniem miedzi w układach scalonych. Jej dziełem jest też technologia budowy tranzystorów krzemowo-germanowych, technologia eFUSE, która pozwala układowi scalonemu na automatyczne dostosowywanie się do zmiennych warunków pracy. Za 40-letni wkład w rozwój mikroelektroniki IBM został odznaczony przez Biały Dom Narodowym Medalem Technologicznym.