Jump to content
Forum Kopalni Wiedzy

Search the Community

Showing results for tags 'tranzystor'.



More search options

  • Search By Tags

    Type tags separated by commas.
  • Search By Author

Content Type


Forums

  • Nasza społeczność
    • Sprawy administracyjne i inne
    • Luźne gatki
  • Komentarze do wiadomości
    • Medycyna
    • Technologia
    • Psychologia
    • Zdrowie i uroda
    • Bezpieczeństwo IT
    • Nauki przyrodnicze
    • Astronomia i fizyka
    • Humanistyka
    • Ciekawostki
  • Artykuły
    • Artykuły
  • Inne
    • Wywiady
    • Książki

Find results in...

Find results that contain...


Date Created

  • Start

    End


Last Updated

  • Start

    End


Filter by number of...

Joined

  • Start

    End


Group


Adres URL


Skype


ICQ


Jabber


MSN


AIM


Yahoo


Lokalizacja


Zainteresowania

Found 40 results

  1. Naukowcy z Finlandii stworzyli pamięć masową z węglowych nanorurek, której prędkość pracy dorównuje kartom pamięci czy klipsom USB. Odczyt i kasowanie danych odbywa się w ciągu 100 nanosekund, czyli 100 000 razy szybciej, niż wcześniej wyprodukowane nanorurkowe pamięci masowe. Fińskie urządzenie wytrzymuje ponad 10 000 cykli zapisu/kasowania. Päivi Törmä z uniwersytetu w Helsinkach stwierdził: Pod względem prędkości i wytrzymałości, nasza pamięć jest tak dobra jak komercyjne dostępne kości flash. Do stworzenia układów wykorzystano tranzystory polowe z węglowych nanorurek. Zostały one umieszczone na krzemowym podłożu i odizolowane od niego za pomocą 20-nanometrowej warstwy tlenku hafnu. To właśnie użycie tlenku hafnu jest kluczem do szybkiej pracy pamięci. Na niego nałożono kilka kropel roztworu zawierającego nanorurki. Średnica każdej z nich wynosi od 1,2 do 1,5 nanometra, a długość to od 100 do 360 nanometrów. Następnie za pomocą mikroskopu sił atomowych zidentyfikowano odpowiednio ułożone nanorurki, które połączono za pomocą palladu, tworząc w ten sposób dren i źródło. Rolę bramki pełni krzemowe podłoże. W końcu na warstwę nanorurek nałożono kolejną 20-nanometrową warstwę tlenku hafnu, tworząc izolację. Na razie nanorurkowe układy pamięci są w stanie przechowywać dane przez około 42 godziny. To niewiele, dlatego Törmä i jego zespół chcą wydłużyć ten czas. Uważają, że można tego dokonać poprzez dodanie warstwy tlenku pomiędzy bramkę a nanorurki.
  2. IBM poinformował o stworzeniu najbardziej wydajnego grafenowego tranzystora polowego. Urządzenie, które może pracować z najwyższymi notowanymi dotąd częstotliwościami, powstało w ramach finansowanego przez DARPA programu Carbon Electronics for RF Applications (CERA). Jego celem jest opracowanie urządzeń komunikacyjnych przyszłej generacji. Prędkość pracy tranzystora zależy od jego wielkości oraz prędkości przemieszczania się elektronów. Specjaliści IBM-a po raz pierwszy udowodnili, że w grafenie, wraz ze zmniejszaniem urządzenia, można osiągać wyższe częstotliwości pracy. Ostatecznie udało im się stworzyć tranzystor, który pracuje z częstotliwością 26 GHz, a długość jego bramki wynosi 150 nanometrów. Eksperci uważają, że udoskonalając materiał dielektryczny oraz zmniejszając będą w stanie znacznie poprawić wydajność swojego tranzystora. Ich zdaniem, po odpowiednich ulepszeniach i stworzeniu bramki długości 50 nanometrów, uzyskają grafenowy tranzystor pracujący z częstotliwościami liczonymi w terahercach.
  3. Podczas Memristor and Memristor System Symposium, które odbyło się w Berkeley, zademonstrowano pierwszy w historii układ będący połączeniem memrystorów z tranzystorami. Memrystor, po raz pierwszy pokazany w maju bieżącego roku, to czwarty typ podstawowego obwodu elektrycznego. Pokazany właśnie przez HP chip dowodzi, że układ stworzony z tranzystorów i memrystorów działa tak, jak kość złożona z dużej liczby samych tranzystorów. Tak więc wykorzystanie memrystorów pozwala na stworzenie znacznie mniejszych i zużywających mniej energii kości, które wydajnością nie ustępują tradycyjnym układom tranzystorowym. Memrystory pozwolą więc przez kolejne lata zachować ważność Prawu Moore'a. Stan Williams, jeden z twórców memrystora, mówi, że jego zintegrowanie z tranzystorami było znacznie łatwiejsze, niż przypuszczano. Ponieważ memrystory buduje się z tych samych materiałów, które wykorzystuje się obecnie w układach scalonych, okazało się, że zintegrowanie ich z tranzystorami jest bardzo łatwe. Memrystory działają jak oporniki, ale w przeciwieństwie do nich potrafią zmieniać oporność w zależności od ilości i kierunku przyłożonego napięcia. Ponadto zapamiętują oporność po odłączeniu zasilania. Dzięki temu pojedynczy memrystor może spełniać rolę wielu tranzystorów. Jest też obiecującą, szybszą, tańszą, mniejszą i bardziej energooszczędną alternatywą dla pamięci flash. Specjaliści mają nadzieję, że memrystor zrewolucjonizuje też budowę układów FPGA (Field Programmable Gate Array). To programowalne układy scalone, które można na bieżąco przystosowywać do zadań, które mają wykonywać. FPGA są obecnie używane przede wszystkim do projektowania innych kości, pozwalają bowiem producentowi przetestować architekturę kości. Są jednak drogie w produkcji, duże i wolno pracują, dlatego też nie są zbyt rozpowszechnione. Dzięki memrystorom być może uda się wyprodukować FPGA pozbawione jego wad, a zachowujące zalety. Przez najbliższe lata naukowcy będą badali i udoskonalali memrystory. Wiliams uważa, że pierwsze układy scalone z memrystorami trafią do sprzedaży w ciągu trzech lat.
  4. Na Uniwersytecie Kalifornijskim w Los Angeles (UCLA) opracowano metodę pozyskiwania dużych płacht grafenu o niemal doskonałych właściwościach. Słowo "dużych" odnosi się oczywiście do skali nano, gdyż płachty te mają grubość 0,6 nanometra, a ich długość i szerokość wynoszą 20x40 mikrometrów. To największe dotychczas uzyskane płachty. Profesor Yang Yang i jego zespół umieścili następnie swoje płachty na krzemowym podłożu i stworzyli z nich prototypowe tranzystory polowe. Po uzyskaniu co najmniej 50 takich tranzystorów naukowcy odkryli, że pracują one przy natężeniu kilku miliamperów. Stworzony przez nich grafen sprawuje się zatem około 1000-krotnie lepiej niż grafen produkowany za pomocą obecnie stosowanych metod. Sądzimy, że to zupełnie zmienia warunki gry i w przyszłości umożliwi nam stworzenie grafenowej elektroniki - mówi Yang. Specjaliści wiążą z grafenem olbrzymie nadzieje. Elektrony wędrują w nim dziesiątki razy szybciej niż w krzemie, więc grafen może posłużyć do stworzenia mniejszych, szybszych i mniej energochłonnych podzespołów elektronicznych. Grafen może też zastąpić tlenek indowo-cynowy w elektrodach oraz krzem w wyświetlaczach ciekłokrystalicznych. Istnieje kilka metod pozyskiwania grafenu. Najprostsza to odrywanie grafenu od powierzchni grafitu za pomocą taśmy klejącej. Uzyskuje się w ten sposób niewielkie ilości grafenu w bardzo małych kawałkach. Tymczasem, aby móc zastosować grafen w elektronice, konieczne jest uzyskanie dużych jednorodnych płacht, którymi możnaby pokryć krzemowe podłoże. Wówczas grafen znajdzie zastosowanie w technikach litograficznych. Przed dwoma laty opracowano sposób na pozyskiwanie większych niż dotąd kawałków grafenu. Najpierw utleniono grafit, a nastepnie rozpuszczono go w wodzie. Tlen doprowadzał do oderwania się od grafitu grafenowych płacht, które następnie były umieszczane na podłożu. Później za pomocą wysokiej temperatury lub środków chemicznych pozbywano się tlenu. W ten sposób uzyskiwano na podłożu grafenowe płachty o grubości 1-2 nanometrów i szerokości kilku centymetrów. Jednak przy takiej metodzie produkcji pomiędzy grafenem a podłożem pozostawało uwięzionych sporo atomów tlenu, co niekorzystnie wpływało na elektryczne właściwości grafenu. Yang i jego grupa udoskonalili tę metodę. Utleniony grafit rozpuścili w hydrazynie. To z jednej strony pozwoliło na uzyskanie grafenowych płacht, a jednocześnie usunęło niemal wszystkie atomy tlenu. Następnie grafen został umieszczony na krzemie, chociaż można go też umieścić na podłożu elastycznym. Manish Chhowalla, autor wcześniejszej metody pozyskiwania grafenu, chwali naukowców z UCLA mówiąc, że najważniejszym ich osiągnięciem jest skuteczne usunięcie niemal wszystkich grup tlenowych. Niemal wszystkich, gdyż uzyskali grafen o grubości 0,6 nanometra. Tymczasem czysty grafen ma grubość 0,34 nm. Wiadomo zatem, że część tlenu pozostała nieusunięta. To z kolei oznacza, że właściwości elektryczne uzyskanych podzespołów można jeszcze polepszyć. Naukowcom z UCLA udało się jednolicie pokryć grafenem fragment krzemowego plastra o wymiarach 1,5x1,5 cm. Następnie umieścili tam złote elektrody, uzyskując tranzystory. Osiągnęli więc sporo. Znacznie ulepszyli właściwości elektryczne grafenu i pokryli nim dużą powierzchnię. Dużo zostało jeszcze do zrobienia. Muszą znaleźć sposób na uzyskanie czystego grafenu o grubości 0,34 nanometra i opracować metodę, która pozwoli na jednolite pokrywanie nim co najmniej 12-calowych plastrów krzemowych. Dopóki im się to nie uda, przemysł elektroniczny nie będzie mógł wdrożyć ich wynalazku.
  5. Naukowcy z Brookhaven National Laboratory stworzyli supercienkie nadprzewodniki, które w przyszłości mogą posłużyć do produkcji bardzo wydajnych podzespołów elektronicznych. Fizyk Ivan Bozovic wraz z zespołem skonstruowali nadprzewodnik o grubości 1-2 nanometrów. Działa on w temperaturze -223 stopni Celsjusza, czyli dość wysokiej jak na tę klasę materiałów. Nowy nadprzewodnik zbudowano łącząc ze sobą dwa materiały, z których żaden nie jest nadprzewodnikiem. Jednak miejsce ich styku ma w niskich temperaturach właściwości nadprzewodzące. Zespół Bozovicajuż w 2002 roku zauważył, że jeśli połączymy dwie supercienkie warstwy nieidentycznych materiałów bazujących na miedzi, to stworzymy w ten sposób nadprzewodnik, który będzie działał w temperaturach wyższych o 25% od temperatury, w której materiały te osobno są nadprzewodnikami. Wówczas uczeni nie rozumieli natury tego zjawiska. W ramach dalszych badań stworzyli ponad 200 jedno-, dwu- i trójwarstwowych struktur, w których na wszelkie możliwe sposoby łączyli różnej grubości materiały izolujące, nadprzewodzące i metale. Największym wyzwaniem było udowodnienie, że zjawisko nadprzewodnictwa nie pojawia się jako prosty wynik mieszania dwóch materiałów i powstania między nimi trzeciej warstwy o różnych właściwościach chemicznych i fizycznych - mówi Bozovic. Dowód taki przeprowadzili współpracujący z nim naukowcy z Cornell University, którzy pokazali, że obie użyte warstwy pozostały osobnymi strukturami. Uczeni z Brookhaven twierdzą, że jest jeszcze zbyt wcześnie, by mówić o tym, gdzie nowe materiały mogą być zastosowane. Na pewno jednym z potencjalnych pól ich eksploatacji jest elektronika. Zapewne będzie możliwe stworzenie tranzystora, który za pomocą impulsu elektrycznego będzie przełączany pomiędzy stanem nadprzewodnika a opornika. Układy scalone stworzone z takich tranzystorów działałyby znacznie szybciej niż obecne, a jednocześnie zużywałyby mniej energii.
  6. Bell Labs, jedna z najbardziej zasłużonych instytucji badawczych w przemyśle IT, rezygnuje z badań nad układami scalonymi. Od sześciu lat, kiedy to z Bell Labs wydzielono grupę zajmującą się półprzewodnikami, wydział badań materiałowych i fizyki urządzeń chylił się ku upadkowi. Jego pozostałością jest niewielki oddział prowadzący badania nad obliczeniami kwantowymi, nanotechnologią i wysoko wydajną elektroniką. Bell Labs zatrudnia obecnie około 1000 naukowców, a budżet placówki wynosi około 2 miliardów dolarów. O wadze tej instytucji może świadczyć chociażby fakt, że jej pracownicy sześciokrotnie odbierali Nagrody Nobla z fizyki. Jeśli popatrzymy na historię Bell Labs i cofniemy się do lat 40. ubiegłego wieku, kiedy to rozpoczynały się badania nad półprzewodnikami, zobaczymy, że wiele z nich było prowadzonych przez Bell Labs - mówi Lance Wilson, dyrektor w ABI Research. Obecnie jednak badania takie prowadzone są na całym świecie, zarówno przez firmy prywatne jak i przez uczelnie. W tej dziedzinie nikt nie ma własnej niszy na wyłączność. Nie istnieje też żadna instytucja, której wycofanie się z badań nad półprzewodnikami doprowadziłoby do upadku jakiejś dziedziny - dodaje. W przeszłości jednak to właśnie w Bell Labs doszło do przełomu, który na zawsze zmienił świat. To tutaj Shockley, Bardeen i Brattain stworzyli pierwszy działający tranzystor, a współpracujący z nimi Morgan Sparks udowodnił, że można wykorzystać go w praktyce. Bell Labs, które należą obecnie do firmy Alcatel-Lucent, będą prowadziły badania nad łącznością bezprzewodową, sieciami komptuerowymi, optyką, obliczeniami kwantowymi i nanotechnologią. Obecnie laboratoria podzielone są na osiem grup badawczych zajmujących się technologiami fizycznymi, technologiami obliczeniowymi, optyką, dostępem przewodowym, dostępem bezprzewodowym, sieciami, infrastrukturą usługową oraz aplikacjami.
  7. Niemiecka firma AMO, we współpracy z brytyjskimi naukowcami z University of Manchester, stworzyła grafenowy przełącznik. Grafen, dwuwymiarowa struktura węgla, być może w przyszłości zastąpi w elektronice krzem. Materiał ten pozwala na 100-krotnie szybszy przepływ elektronów, niż ma to miejsce w krzemie. Stąd też grafenowy tranzystor może być, teoretycznie, nawet 100 razy bardziej wydajny od swojego krzemowego odpowiednika. Problem w tym, że w grafenie ładunki elektryczne poruszają się z taką łatwością, iż trudno je zatrzymać. A tranzystor, żeby był użyteczny, musi sterować przepływem ładunków elektrycznych, a więc je zatrzymywać bądź przepuszczać. Niemcy zauważyli, że jeśli do grafenu zostanie przyłożone pole elektryczne, powoduje ono zmianę właściwości chemicznych materiału, a to z kolei prowadzi do zmiany jego przewodnictwa. Stworzyli więc strukturę podobną do tranzystora: dwie elektrody połączyli za pomocą grafenu, a pomiędzy nimi umieścili trzecią, która była od grafenu oddzielona cienką warstwą dwutlenku krzemu. Gdy do środkowej elektrody przyłożyli napięcie -5 wolt, zauważyli, że przewodność grafenu zmniejszyła się o sześć rzędów wielkości, prowadząc do zatrzymania przepływu prądu. Po przyłożeniu napięcia +5 wolt, przewodność wróciła do normy. Niemcy zbadali dziesiątki podobnie działających urządzeń. Jeden z eksperymentów daje nadzieję, że z grafenu będzie można produkować pamięci nieulotne. Max Lemme, jeden z badaczy, stwierdza, że o ile obecnie wykorzystywane materiały do produkcji układów pamięci są ograniczone wielkością komórki pamięci, w przypadku grafenu niewykluczone jest, że komórka ta mogłaby osiągnąć wielkość pojedynczej molekuły. Sądzę, że możemy ją zmniejszyć do rozmiarów 1 nanometr na 1 nanometr - powiedział. Na razie jednak nie mamy co liczyć na pojawienie się grafenowej elektroniki. Przełączanie stanów w "tranzystorach" jest zbyt powolne, a przed zastosowaniem grafenu do produkcji układów pamięci trzeba najpierw sprawdzić, czy materiał ten jest w stanie wytrzymać setki tysięcy cykli zapisu i odczytu. Naukowcy wciąż też nie wiedzą, jaki jest mechanizm wspomnianych powyżej zmian właściwości grafenu. Przypuszczają, że pole elektryczne powoduje, iż do grafenu przyłącza się grupa hydroksylowa (OH), która zmienia go w tlenek grafenu. To całkowicie kontrolowana reakcja. Nie powoduje ona zniszczenia struktury grafenu. Po prostu odłączamy i dołączamy molekułę, zmieniając właściwości elektryczne materiału - mówi Andre Geim z University of Manchester.
  8. Berliński Instytut Wysokich Częstotliwości im. Ferdinanda Brauna (Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik - FBH) opracował technologię, która pozwala na tworzenie układów scalonych pracujących z częstotliwościami powyżej 200 gigaherców. Co więcej, nowa technologia umożliwia tworzenie trójwymiarowych układów. Aktywnymi elementami w nowej kości są tranzystory wykonane z arsenku galowo-indowego (InGaAs). Najpierw na podkład nakładane są cienkie warstwy fosforku indu oraz InGaAs. Grubość każdej z nich jest mniejsza niż 10 nanometrów. Następnie całość przygotowuje się za pomocą standardowych procesów wytrawiania i metalizacji. Później frontowa część tak przygotowanej warstwy jest mocowana do ceramicznego nośnika, a dotychczasowy podkład zostaje usunięty. W efekcie otrzymujemy odpowiednio ułożone warstwy fosforku indu i InGaAS umieszczone na ceramicznym podłożu i mamy dostęp do tylnej części, na którą możemy teraz nakładać kolejne warstwy tworząc trójwymiarową strukturę. Wolfgang Heinrich, szef wydziału zajmującego się w FBH badaniem nad mikrofalami wyjaśnia, że dzięki usunięciu krzemowego podkładu wyeliminowano negatywny wpływ tego materiału na właściwości dielektryczne tranzystorów. Dzięki temu uzyskano częstotliwość ich pracy powyżej 200 GHz. Niemieccy naukowcy twierdzą, że teoretycznie częstotliwość taktowania układów wykonanych w nowej technologii może wynieść nawet 480 GHz. Heinrich poinformował, że Instytut nie podjął jeszcze decyzji, czy wspomniana technologia w ogóle trafi na rynek. Przyznał jednak, że toczą się w tej sprawie rozmowy z co najmniej jedną zainteresowaną instytucją.
  9. W wieku 91 lat zmarł Morgan Sparks, twórca pierwszego gotowego do wykorzystania w praktyce tranzystora. Sparks przez 30 lat pracował w Bell Laboratories. Był on współpracownikiem Williama Shockleya, Johna Bardeena i Waltera Brattaina, którzy zbudowali pierwszy w historii tranzystor. Sparks nie był bezpośrednio zaangażowany w prace nad nim. Jednak to właśnie on w 1951 roku stworzył pierwszy mikrowatowy tranzystor bipolarny, dzięki czemu tranzystor mógł opuścić laboratorium i zaistnieć jako praktycznie wykorzystywane urządzenie. Z czasem tranzystory zastąpiły lampy elektronowe i stały się podstawą współczesnej elektroniki. Sparks zajmował z czasem kierownicze stanowiska w Bell Laboratories i Western Electric Comapny. Przez dziewięć lat był też szefem Sandia National Laboratories. Po przejściu w 1981 roku na emeryturę, był dziekanem na University of New Mexico oraz zasiadał w radach wielu organizacji.
  10. Brytyjscy naukowcy z University of Manchester stworzyli najmniejszy tranzystor na świecie. Do jego zbudowania wykorzystali grafen. Tranzystor jest wspólnym dziełem doktora Kostyi Novoselova i profesora Andre Geima, jednego z wynalazców grafenu. To kolejny wynalazek tej dwójki. Tym razem ich tranzystor ma grubość 1 atomu i szerokość 10. Obecnie wciąż udaje się zmniejszyć rozmiary podzespołów elektronicznych budowanych z tradycyjnych materiałów, jednak wiadomo, że taka sytuacja nie będzie trwała bez końca. Głównym problemem jest stabilność materiałów, jeśli wytworzone z nich elementy są mniejsze niż 10 nanometrów (przypomnijmy, że nanometr to 1/1000000 milimetra, a grubość ludzkiego włosa to około 100 000 nanometrów). Obecnie wykorzystywane półprzewodniki tracą przy takiej skali stabilność i zaczynają przemieszczać się po powierzchni w sposób niekontrolowany. Przypomina to ruch kropelek wody na rozgarznej blasze. Brytyjscy naukowcy udowodnili właśnie, że grafen pozostaje stabilny, gdy wytnie się z niego elementy o rozmiarach mniejszych niż 10 nanometrów. Ich tranzystor nie tylko ma szerokość 1 nanometra, ale działa w temperaturze pokojowej. To bardzo ważne, gdyż wcześniej uzyskiwano podobne tranzystory, ale mogły one pracować tylko w bardzo niskich temperaturach. Grafen, od czasu jego odkrycia przed trzema laty, wzbudza olbrzymie zainteresowanie i wiąże się z nim coraz większe nadzieje. Wszystko wskazuje na to, że będzie on materiałem przyszłości, który zastąpi krzem. Profesor Geim jest jednak ostrożny. Jest zbyt wcześnie by obiecywać, że w przyszłości grafen posłuży np. do budowy superkomputerów. W naszej pracy skupiliśmy się tylko na sprawdzeniu, czy istnieją szanse na to, że powstaną tak małe tranzystory. Niestety, obecnie nie dysponujemy technologią, która rzeczywiście pozwoliłaby nam tworzyć podzespoły z dokładnością co do jednego nanometra. Ale to problem, z którym zmaga się cała "pokrzemowa" elektronika przyszłości. Przynajmniej wiemy, że mamy materiał, który podoła temu zadaniu - mówi naukowiec.
  11. Naukowcy z National Institute of Standards and Technology (NIST), Penn State University i University of Kentucky opracowali technologię szybkiego i prostego wykorzystania organicznego półprzewodnika do tworzenia matryc wysoko wydajnych tranzystorów. Dzięki temu odkryciu w przyszłości mogą powstać duże, elastyczne układy elektroniczne. Uczeni nakłonili molekuły organicznego półprzewodnika do ułożenia się wokół odpowiednio przygotowanych elektrod. W ten sposób samoistnie powstał tranzystor polowy. Pracownicy NIST stworzyli całą matrycę składającą się z wielu takich tranzystorów, które nie tylko charakteryzowały się dobrymi parametrami, ale były również od siebie odizolowane. David Gundlach, który kierował pracami, mówi, że co prawda matrycę wykonano na krzemowym podłożu, ale nie powinno być żadnych problemów z przeniesieniem jej na podłoża elastyczne. W swoim artykule naukowcy opisują, w jaki sposób środki chemiczne zastosowane na urządzeniach elektrycznych wpływają na samoorganizację kryształów, zwiększając z jednej strony wydajność urządzeń półprzewodnikowych, a z drugiej zapewniając elektryczną izolację pomiędzy podzespołami. Olbrzymią zaletą organicznych półprzewodników jest fakt, że można produkować z nich podzespoły elektroniczne w temperaturze pokojowej. Jako podłoże można wykorzystać zatem elastyczne polimery, a nie sztywny krzem. Dzięki nim powstaną m.in. olbrzymie zwijalne wyświetlacze czy elastyczne płachty z czujnikami służące w medycynie lub badaniach nad środowiskiem naturalnym.
  12. Układy elektroniczne z tworzyw sztucznych mają być dość powolne i duże, ale za to niezwykle tanie, a przez to – powszechnie dostępne. Zanim jednak w sklepach pojawią się płatki śniadaniowe w "elektronicznych" opakowaniach, na których będą odtwarzane reklamówki, konieczne jest udoskonalenie technologii wytwarzania plastikowych obwodów. Jedną z ciekawszych metod usuwania defektów z takich tranzystorów odkryli naukowcy zatrudnieni w szwajcarskim Federal Institute of Technology. Polega ona na... tygodniowej bezczynności. Leżakowanie okazało się skuteczne w wypadku tranzystorów wykonanych z pentacenu – związku organicznego o właściwościach półprzewodnika. Do tej pory substancja ta sprawiała jednak problemy, wynikające ze sporej liczby defektów w strukturze materiału. Niedoskonałości powodowały znaczne pogorszenie parametrów tranzystora. Jak jednak poinformował zespół pod kierownictwem Wolfganga Kalba, kilkudniowe przebywanie tranzystorów w próżni i temperaturze pokojowej powoduje, że defekty znikają. Poddanie tranzystorów kuracji umozliwiło m.in. dwukrotne zwiększenie ruchliwości ładunków, a o rząd wielkości spadła rezystancja na złączach. Zdaniem naukowców, zaobserwowane przez nich zjawisko to efekt układania się cząsteczek pentacenu pod wpływem ich naturalnych drgań, zachodzących w temperaturze pokojowej.
  13. Firma Kovio Inc. pokazała podczas konferencji Printed Electronics krzemowy atrament służący do drukowania układów elektronicznych. Substancję można wykorzystywać do produkcji TFT. Dzięki atramentowi powstają tranzystory równie wydajne jak tranzystory polikrzemowe. Ich wytworzenie jest jednak o 30% tańsze, wymaga zużycia o 95% środków chemicznych i o 75% mniej energii. Kovio twierdzi, że np. metki radiowe (RFID), które obecnie kosztują 15 centów za sztukę, mogą już w przyszłym roku kosztować 5 centów, jeśli będą drukowane przy użyciu firmowej technologii. Amir Mashkoori, prezes Kovio, mówi, że jego firma jest producentem pierwszego na świecie całkowicie drukowanego krzemowego tranzystora. Możemy produkować tranzystory typu p i n dla obwodów CMOS. Obecnie pracujemy w technologii 20 mikronów. Mamy również działającą w warunkach laboratoryjnych technologię 10 mikronów. To właśnie od takiego tranzystora zaczynał Intel w 1971 roku. Pierwszy mikroprocesor tej firmy składał się z nieco ponad 2000 tranzystorów. Nasze metki RFID, gdy rozpoczniemy pod koniec 2008 roku ich masową produkcję, będą wykorzystywały nieco mniej niż 2000 tranzystorów. Kovio buduje już własną fabrykę. Zastosowany w niej proces technologiczny będzie korzystał ze zbyt wysokich temperatur, by można było do produkcji używać substratów z tworzyw sztucznych. Kovio wykorzysta stalową folię. Jednak główną zaletą technologii Kovio jest możliwość rezygnacji z niezwykle drogiego wyposażenia i budowania clean roomu. Układy scalone tworzone przy użyciu krzemowego atramentu mogą być nadrukowywane na materiale w rolkach, co znacząco obniży koszty produkcji. Fabryka będzie kosztowała około 10 milionów dolarów. Wybudowanie analogicznego zakładu produkującego układy scalone tradycyjnymi metodami to wydatek rzędu miliarda USD. Co prawda układy scalone produkowane tradycyjnie działają znacznie szybciej, niż układy Kovio. Jednak te ostatnie oznaczają olbrzymi postęp wobec dotychczas opracowanych alternatywnych technologii i już teraz pracują wystarczająco szybko, by nadawać się do produkcji metek RFID i innych prostych obwodów. Kovio to niewielka firma, która zatrudnia obecnie 31 osób, z czego 22 inżynierów. Ma ponad 10 inwestorów: od funduszu inwestycyjnego Kleiner Perkins Cufield & Byers po takich gigantów jak Panasonic.
  14. Naukowcy z University of Illinois pobili swój własny rekord. Zaprezentowali bowiem najszybszy tranzystor na świecie. Urządzenie pracuje z częstotliwością 845 gigaherców (!)i jest o około 300 GHz szybsze, niż dotychczasowy rekordzista. Tranzystor zbudowany został z fosforku indu (InP) oraz arsenku galowo-indowego (GaInAs). Urządzenie jest wyjątkowo cienkie, ma zaledwie 12,5 nanometra grubości. Tak niewielkie rozmiary pozwalają mu szybciej ładować i rozładowywać się. Amerykańscy badacze są więc coraz bliżej postawionego sobie celu – zbudowania tranzystora, który będzie pracował z częstotliwością 1 THz (teraherca).
  15. Miliony wirusów w układzie scalonym to raczej przerażająca wizja dla każdego właściciela komputera. Co innego, gdy nie są to wirusy komputerowe, a prawdziwe mikroorganizmy. Zespół profesora Yang Yang z Uniwersytetu Kalifornijskiego w Los Angeles pracuje nad układami scalonymi, do budowy których chce użyć wirusa mozaiki tytoniu. Ten mikroorganizm to pierwszy z wirusów odkrytych przez człowieka. Amerykańscy akademicy chcą wykorzystać jego fragmenty o długości 30 nanometrów i pokryć je cząsteczkami platyny. Dzięki niemu zbudowali bardzo szybko pracujący tranzystor. Z milionów tranzystorów powstanie układ scalony zdolny do zastąpienia pamięci flash. Yang Yang zapewnia, że aparat cyfrowy wyposażony w układy nowego typu byłby w stanie np. wyświetlić zdjęcie w ciągu kilku mikrosekund, a nie, jak obecnie, w ciągu milisekund. Uczeni umieścili pokryty platyną (zużyli na to 16 nanocząsteczek tego metalu) fragment wirusa na polimerowej matrycy pomiędzy dwoma elektrodami. Przyłożenie napięcia spowodowało, że z cząsteczek platyny uwolnione zostały elektrony, które połączyły się z białkiem na powierzchni wirusa i przełączyły go w stan ON. Gdy napięcie spadło poniżej pewnej wartości, elektrony powróciły do platyny, a tranzystor przełączył się w stan OFF.
×
×
  • Create New...