Samsung prezentuje superszybkie układy pamięci

[KopalniaWiedzy.pl 320]

Samsung Electronics poinformował o zbudowaniu 2-gigabitowej kości flash OneNAND w technologii 60 nanometrów. Koncern twierdzi, że jest to najbardziej wydajny układ tego typu.

Prędkość zapisu dotychczasowych układów nie przekraczała 9,3 megabita na sekundę. Najnowsza kość Samsunga charakteryzuje się natomiast prędkością zapisu rzędu 17 Mb/s.

Nowa kość trafi m.in. do telefonów komórkowych, aparatów cyfrowych, kart pamięci, pecetów czy odbiorników telewizyjnych.

Kości typu OneNAND są w stanie niezależnie współpracować z systemem. Pozwala to na zwiększanie pojemności pamięci urządzenia, w którym zostały zainstalowane, przy jednoczesnym zwiększeniu prędkości przesyłu danych. I tak zastosowanie 8 najnowszych 2-gigabitowych układów Samsunga oznacza, że wyposażone w nie urządzenie będzie dysponowało pamięcią o pojemności 2 gigabajtów (16 gigabitów = 2 gigabajty), a dane będą zapisywane do pamięci z prędkością 136 megabitów na sekundę (8*17 megabitów/s).

Układy OneNAND mogą być również wykorzystywane jako bufory pamięci. Taką rolę będą pełniły m.in. w hybrydowych dyskach twardych.