Jump to content
Forum Kopalni Wiedzy
Sign in to follow this  
KopalniaWiedzy.pl

Samoniszczące się pamięci MRAM

Recommended Posts

Pamięci MRAM czyli magnetorezystywne układy RAM, mają już w niedalekiej przyszłości zastąpić kości flash. Ich zwolennicy twierdzą też, że już w 2010 roku zaczną powoli wypierać układy DRAM.

Informacje przechowywane są w układach MRAM nawet po odłączeniu zasilania (działają więc podobnie jak kości flash), na cienkich magnetycznych warstwach. Otwarcie obudowy takiego układu oznacza, że będziemy mieli dostęp do każdej z warstw i posiadając odpowiedni sprzęt oraz umiejętności, będziemy w stanie odczytać zapisane na nich informacje. Budzi to niepokój szczególnie tam, gdzie przechowywane są tajne dane, takie jak hasła czy klucze szyfrujące.

Philips postanowił zaradzić temu problemowi i proponuje układy MRAM, które automatycznie niszczą zawartość po otwarciu obudowy.

Każda z warstw przechowujących dane w kościach MRAM Philipsa owinięta zostanie cienką warstwą metalu, nad którym znajdzie się magnes. Tak długo, jak metal otula warstwę służącą do przechowywania danych, zawarte na niej informacje są bezpieczne. Otwarcie obudowy układu spowoduje jednak, że zabezpieczający metal zostaje usunięty z warstw, które ma chronić, a wówczas oddziaływanie pola magnetycznego pobliskich magnesów spowoduje, że informacje ulegną natychmiastowemu wymazaniu.

System działa pasywnie, co oznacza, że odłączenie prądu nie spowoduje przerwy w działaniu "magnesów-niszczycieli".

 

Share this post


Link to post
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now
Sign in to follow this  

  • Similar Content

    • By KopalniaWiedzy.pl
      Elpida Memory, trzeci co do wielkości producent układów DRAM, złożył w tokijskim sądzie wniosek o upadłość. Zadłużenie firmy sięgnęło 5,5 miliarda dolarów.
      W latach 2006-2007 znacząco zwiększono zdolności produkcyjne układów pamięci, co doprowadziło do nadmiernej podaży i gwałtownego spadku cen, trwającego do dzisiaj. Jak informuje iSuppli, obecnie ceny układów DRAM są o 50% niższe niż przed rokiem. Jakby tego było mało w roku 2008 rozpoczął się kryzys ekonomiczny, a silny jen oraz powodzie w Tajlandii dopełniły dzieła. Elpida nie była w stanie poradzić sobie z tak dużym nagromadzeniem niekorzystnych czynników.
      Na razie nie wiadomo, co stanie się z Elpidą. Jeśli firma całkowicie wstrzyma produkcję, to ceny układów pamięci wzrosną co zmusi producentów komputerów do podniesienia cen maszyn lub ograniczenia ilości stosowanej pamięci. Kłopoty mogą czekać również rynek urządzeń mobilnych, na którym margines zysku jest niewielki, więc zatrzymanie produkcji przez dużego dostawcę może oznaczać albo podniesienie cen, albo znaczący spadek zysku.
      W czwartym kwartale ubiegłego roku do Elpidy należało 15,4% rynku DRAM. Większymi graczami byli tylko Samsung (53%) i Hynix (22,9%).
    • By KopalniaWiedzy.pl
      Elpida poinformowała o wyprodukowaniu pierwszego własnego prototypu pamięci ReRAM. Kość wykonano w technologii 50 nanometrów, a jej pojemność wynosi 64 megabity.
      ReRAM (Resistance Random Access Memory) to pamięć nieulotna zbudowana z materiałów, które zmieniają oporność w odpowiedzi na zmiany napięcia elektrycznego. Największą zaletą ReRAM jest niezwykle szybka praca przy bardzo niskim napięciu. Ma ona obie zalety pamięci DRAM, czyli szybką pracę, oraz pamięci flash, czyli możliwość przechowywania danych po odłączeniu zasilania. Czas zapisu danych na ReRAM wynosi około 10 nanosekund, czym dorównuje układom DRAM, jest za to znacznie bardziej wytrzymała niż flash, gdyż umożliwia dokonanie ponad miliona cykli zapisu/odczytu danych. Przed kilkoma miesiącami informowaliśmy o stworzeniu przez Samsunga prototypowej komórki ReRAM, wytrzymującej bilion cykli zapis/odczyt.
      Elpida ma nadzieję, że pierwsze przeznaczone do sprzedaży kości ReRAM rozpocznie produkować już w przyszłym roku. Mają być one wykonane w technologii 30 nm, a ich pojemność ma być liczona w gigabitach. ReRAM może stać się konkurentem powszechnie wykorzystywanych układów flash, szczególnie na rynku urządzeń przenośnych, gdzie duże znaczenie ma ilość energii potrzebnej do obsługi pamięci.
    • By KopalniaWiedzy.pl
      Intel i Micron ogłosiły powstanie pierwszego 128-gigabitowego układu pamięci MLC (multi-level cell) NAND, wykonanego w technologii 20 nanometrów. Jednocześnie obie firmy poinformowały o rozpoczęciu masowej produkcji 64-gigabitowych kości tego typu.
      Nowy układ został stworzony przez firmę IM Flash Technologies (IMFT) - spółkę założoną przez Intela i Microna. Nowa kość jest zgodna ze specyfikacją ONFI 3.0, dzięki czemu zapewnia prędkość przesyłu danych rzędu 333 megatransferów na sekundę (MT/s). Urządzenie może zatem trafić zarówno do telefonów komórkowych jak i dysków SSD.
       
      W styczniu przyszłego roku IMFT udostępni zainteresowanym firmom próbki kości, a w I połowie 2012 zostanie uruchomiona masowa produkcja nowych NAND.
    • By KopalniaWiedzy.pl
      Już w 2013 roku do sklepów mają trafić pierwsze chipy zbudowane na memrystorach. Zastąpią one układy flash i wyznaczą początek rewolucji na rynku układów pamięci.
      Stan Williams z HP, współtwórca memrystora, występując podczas International Electronic Forum 2011 stwierdził, że w ciągu 18 miesięcy jego firma rozpocznie sprzedaż kości, które zastąpią flash. Na tym jednak nie koniec.
      Być może w 2014, a na pewno w 2015 stworzymy konkurencję dla DRAM, a później zastąpimy SRAM - powiedział Williams.
      O zastąpieniu flasha już zdecydowaliśmy. Teraz pracujemy nad DRAM i sądzimy, że nowe układy będą zużywały na każdy bit o dwa rzędy wielkości mniej energii potrzebnej do przełączania układu - dodał. Opracowana przez HP technologia pozwala na umieszczenie układu pamięci bezpośrednio na procesorze. Dzięki temu dane w ogóle nie opuszczają układu scalonego. To oznacza, że otrzymujemy poprawę szybkości działania odpowiadającą 20 latom obowiązywania Prawa Moore'a - stwierdził Williams. Dodał przy tym, że możliwe jest umieszczanie dowolnej liczby warstw podzespołów o grubości 5 nanometrów każda. W jednej takiej warstwie może znaleźć się nawet 500 miliardów memrystorów.
      Przedstawiciel HP zapowiada wielkie zmiany na rynku. Jesteśmy największym na świecie kupcem pamięci DRAM i drugim co do wielkości nabywcą układów flash. Chcemy całkowicie przeorganizować nasz łańcuch dostaw. Mamy zamiar licencjonować naszą technologię każdemu chętnemu. Jednak trzeba będzie poczekać w kolejce. Bardzo wiele osób jest tym zainteresowanych. Zdecydowaliśmy się na taki krok, gdyż, szczerze mówiąc, nie widzimy zbyt wielu innowacji na tym rynku - zapowiedział.
      Memrystor zwany jest inaczej opornikiem pamięci. Zapamiętuje on skąd i ile informacji przepływa, sam usprawnia swoje działanie tak, by przepływ był jak najbardziej wydajny. Potrafi też zmieniać oporność w zależności od wartości  i kierunku przyłożonego napięcia. Zapamiętuje również oporność po odłączeniu zasilania. Dzięki tym właściwościom pojedynczy memrystor może działać jak wiele (od 7 do 12) tranzystorów, pozwoli też na skonstruowanie mniejszej, tańszej, szybszej i bardziej energooszczędnej pamięci flash. Niewykluczone, że memrystory pozwolą również na zrewolucjonizowanie rynku układów FPGA - czyli programowalnych układów scalonych, które na bieżąco można dostosowywać do zadań, które mają wykonać. FPGA są niezwykle drogie, duże i powolne. Być może dzięki memrystorom pozbędziemy się ich wad, a zachowamy zalety.
      Jakby jeszcze tego było mało  badacze z HP stwierdzili, że memrystory są bardziej przydatne niż przypuszczano. Okazało się bowiem, że są one w stanie nie tylko zapamiętywać dane, ale również przeprowadzać obliczenia. To z kolei oznacza, że zamiast budować osobne procesory możliwe będzie wykonywanie obliczeń przez same kości pamięci.
×
×
  • Create New...