-
Podobna zawartość
-
przez KopalniaWiedzy.pl
Dyski SSD Intela zdobyły największe uznanie firmy analitycznej DRAMeXchange Technology. Jej specjaliści sprawdzili szeroką gamę dostępnych na rynku produktów. Podczas badań zauważono olbrzymie "nierówności" wśród SSD. Kolosalne różnice, wpływające na ocenę całego urządzenia, były obserwowane w jakości kontrolerów, pamięci flash i wbudowanego oprogramowania (firmware'u).
Już wcześniej specjaliści, jak na przykład Tom Coughlin z firmy konsultingowej Coughlin Associates, zauważając różnice w jakości SSD zalecali swoim klientom, by raczej kupowali urządzenia dużych, znanych firm. Badania DRAMeXchange potwierdzają, że było to słuszne zalecenie.
Wykazały one, że najlepsze kontrolery produkują Intel i Samsung, jeśli zaś chodzi o firmy projektujące układy scalone, to zaufać można amerykańskiej SandForce, południowokoreańskiej Indilinx oraz tajwańskiej JMicron Technology.
DRAMeXchange przetestowało 40 różnych SSD, skupiając się głównie na modelach korzystających z tańszych układów MLC (multi-level cell) NAND. Technologia MLC oferuje wyższą gęstość zapisu i pozwala na produkcję tańszych układów. Z kolei zalety SLC to większa wytrzymałość układów. większy zakres temperatur, w których mogą pracować, niższy pobór mocy oraz szybszy odczyt i kasowanie danych.
Badane SSD podzielono na dwie grupy. W pierwszej znalazły się urządzenia o pojemności od 100 do 160 gigabajtów. Ten ranking wyglądał następująco:
1. Intel X25-M SSDSA2M160G2GC (160 GB)
2. OCZ Vertex PRO (120GB)
3. A-Data SSD S599 (100 GB)
4. G.SKILL Phoenix (100 GB)
5. MX-Technology MXSSD2MDS (100 GB)
6. Micron REALSSD C300 (128 GB)
7. Starex (128 GB)
8. Apogee Mars FlashSSD (128 GB)
9. Corsair CMFSSD-128GD1 X128 (128 GB)
10. Super SSpeed SSD (128 GB)
Do drugiej kategorii zaliczono urządzenia o pojemności od 60 do 80 GB, jednak szczególnie skupiono się na urządzeniach 64-gigabajtowych, gdyż ich cena najbardziej odpowiada klientom.
1. Intel X25-M SSDSAM080G2GC (80 GB)
2. OCZ Agility EX (60 GB)
3. KingFast KF251MCI (64 GB)
4. A-Data SSD S592 (64 GB)
5. Starex (64 GB)
6. Gingle V3 (64 GB)
7. PQI SSD S528 (64 GB)
8. Corsair CMFSSD-64GBG2D P64 (64 GB)
9. RiData X-series NSSD-X25-64-C07M-PN (64 GB)
10. RunCore RCP-IV-S2564-C (64 GB).
-
przez KopalniaWiedzy.pl
Na Uniwersytecie Stanowym Karoliny Północnej powstał materiał, który umożliwi przechowywanie informacji z 20 płyt HD DVD na powierzchni około 1 cm2. Nowy materiał jest dziełem zespołu pracującego pod kierunkiem doktora Jagdisha Naryana i profesora Johna C. C. Fana.
Naukowcy wykorzystali technologię domieszkowania, podczas której do materiału dodaje się obce jony lub atomy, zmieniając właściwości materiału.
Amerykańscy uczeni dodali do tlenku magnezu metaliczny nikiel. Uzyskany w ten sposób materiał zawierał klastry atomów niklu, których rozmiary nie przekraczały 10 nanometrów kwadratowych. To 10-krotnie mniej, niż można uzyskać przy obecnie wykorzystywanych technikach. W ten sposób możliwe będzie 50-krotne zwiększenie pojemności układów scalonych. W układzie, który dotychczas mieścił 20 gigabajtów danych, będzie możliwe zapisanie terabajta informacji.
-
przez KopalniaWiedzy.pl
Kingston zaprezentował pierwszy zestaw układów pamięci o pojemności 12 gigabajtów stworzony z myślą o współpracy z intelowskimi procesorami z rodziny Core i7. Zestaw składa się z trzech 4-gigabajtowych kości taktowanych zegarem 1600 MHz. Ich timingi wynoszą 9-9-9-27. Urządzenia z serii HyperX pracują przy napięciu 1,65V.
Trzykanałowe układy tworzą najbardziej pojemny zestaw z rodziny HyperX. Są jednocześnie najdroższym spośród dostępnych na rynku pakietem pamięci. Trzeba za nie zapłacić 1400 dolarów.
-
przez KopalniaWiedzy.pl
Badacze z Lawrence Berkeley National Laboratory dowiedli, że pole elektryczne może posłużyć do przełączania stanów w multiferroikach. To z kolei umożliwi wykorzystanie w przyszłości tych materiałów do przechowywania danych zarówno za pomocą zjawisk magnetycznych jak i spintronicznych.
Multiferroiki to materiały charakteryzujące się jednocześnie więcej niż jedną cechą materiałów ferroikowych. Ich cztery podstawowe właściwości to ferromagnetyzm, ferroelektryczność, ferroelastyczność i ferrotoroidalność.
Najpierw jego zespół wzbogacił żelazian bizmutu o akceptory jonów wapnia, gdyż zwiększają one ilość prądu, który może przepłynąć przez BiFeO3. Spowodowało to powstanie pozytywnie naładowanych wakancji tlenowych. Po przyłożeniu pola elektrycznego, wakancje te stały się ruchome. Powędrowały do góry materiału, tworząc złącze typu n, a nieruchome jony wapnia utworzyły w dolnej części materiału złącze typu p. Po odwróceniu kierunku pola elektrycznego obszary p i n zamieniły się miejscami. Z kolei zastosowanie pola elektrycznego o średnim natężeniu pozwoliło na wykasowanie obszarów p i n.
Na takiej samej zasadzie działają współczesne urządzenia CMOS, gdzie przyłożenie napięcia pozwala na kontrolowanie właściwości przepływu elektronów i zmienia oporność z wysokiej (izolator) na niską (przewodnik) - zauważa Ramesh. W typowym urządzeniu CMOS różnica w oporności obu stanów jest milionkrotna. W żelazianie bizmutu osiągnięto dotychczas tysiąckrotną różnicę pomiędzy stanami on i off. To i tak dwa razy więcej, niż najlepszy wynik uzyskany za pomocą pola magnetycznego. Wystarczy też, by urządzenia z żelazianu bizmutu działały.
-
przez KopalniaWiedzy.pl
Firma Metaram przygotowała technologię, która pozwala w łatwy sposób dwu- a nawet czterokrotnie zwiększyć ilość pamięci RAM dostępną dla serwera. Pierwszymi klientami MetaRAM zostały Hynix i SmartModular.
Układy pamięci od pewnego czasu nie nadążają za rozwojem procesorów. Na rynku mamy już 2-, 4- i 8-rdzeniowe CPU przeznaczone dla serwerów i układy te są w stanie wykonać jednocześnie tak wiele zadań, że muszą oczekiwać, na pamięć, która nie dorównuje im wydajnością. W efekcie spada wydajność całego systemu. Musimy pamiętać też i o tym, że nie możemy bez końca dokładać kolejnych kości pamięci.
Twórców serwerów ogranicza tu przede wszystkim konstrukcja płyty głównej, która ma określoną liczbę slotów.
Rozwiązaniem problemu jest zastosowanie układu MetaSDRAM, który jest pośrednikiem pomiędzy kośćmi pamięci a kontrolerem. Jego zastosowanie powoduje, że producenci mogą na pojedynczej kości umieścić nawet czterokrotnie więcej układów scalonych, gdyż MetaRAM zajmuje się przetwarzaniem dodatkowych sygnałów elektrycznych. Odbywa się to oczywiście kosztem większych opóźnień i poboru mocy (w przypadku układu FB-DIMM jest to opóźnienie rzędu 40-50 nanosekund), jednak korzyści zdecydowanie przewyższają koszty.
Obecnie na serwerowej płycie głównej, która wyposażona została w cztery sloty pamięci, możemy zastosować 128 gigabajtów RAM. Dzięki nowym układom zmieści się tam nawet 512 GB RAM. Co więcej, zastosowanie rozwiązania MetaRAM wiąże się z olbrzymimi oszczędnościami gotówki. Firma SmartModular zwykle sprzedaje 8-gigabajtowy serwerowy układ DIMM za około 5000 USD. Kość o tej samej pojemności, wyposażona w chip MetaRAM wyceniona została na 1500 dolarów.
Układy MetaRAM współpracują zarówno z technologią DDR2 jak i DDR3. Powstają one w fabrykach TSMC i zostały wycenione na 200 USD za chip dla 8-gigabajtowych DIMM i na 450 USD dla 16-gigabajtowych układów pamięci.
-
-
Ostatnio przeglądający 0 użytkowników
Brak zarejestrowanych użytkowników przeglądających tę stronę.