Epoka grafenu długo nie nadejdzie

[KopalniaWiedzy.pl 332]

Grafen i inne alternatywy dla miedzi będą musiały jeszcze długo poczekać zanim będą powszechnie wykorzystywane w przemyśle półprzewodnikowym. W ubiegłym miesiącu przedstawiciele IBM-a wydali zaskakujące oświadczenie, w którym stwierdzili, że miedź może być wykorzystywane do tworzenia ścieżek w układach wykonywanych w technologii 5 nanometrów i mniejszych. Przed dwoma dniami francuska firma Aveni wyjaśniła, w jaki sposób zastąpienie kwasów zasadami podczas produkcji układów scalonych może spowodować, że miedź będzie można wykorzystać nie tylko w 3-nanometrowym procesie technologicznym, ale – niewykluczone – do granic fizycznych możliwości technologii CMOS.

Obecnie w połączeniach miedzianych ścieżek stosuje się barierę dyfuzyjną z azotku tantalu i kobaltową wyściółkę. Podczas procesu produkcyjnego stosuje się kwasy, które mogą uszkodzić wyściółkę przez co czemu miedź może wchodzić w interakcje z azotkiem tantalu. Tworzą się wówczas tlenki tantalu, może dochodzić do błędów w układzie i do zmniejszenia wydajności linii produkcyjnej. Koncerny półprzewodnikowe poszukują więc alternatywnych materiałów i zastanawiają się nad użyciem rutenu, grafenu czy węglowych nanorurek.

Frederic Raynal, prezes ds. technologicznych firmy Aveni przekonuje, że z powodzeniem można zastąpić kwasy zasadami, wyściółka pozostaje nietknięta i problem wad w układach znika. Raynal zauważa, że molekuły kwasów są duże, przez co trudno jest pracować z kwasami gdy stosujemy procesy technologiczne poniżej 40 nm. Problemu tego nie ma w przypadku zasadowych związków chemicznych, których molekuły są znacznie mniejsze.

Firma Aveni jest obecnie jedynym dostawcą zasadowych związków dla przemysłu półprzewodnikowego. Przedsiębiorstwo współpracuje ze wszystkimi firmami eksperymentującymi z technologią 5 nm z wyjątkiem Intela. Ma jednak nadzieję, że wkrótce Intel też stanie się jego klientem. Aveni obiecuje, że w przyszłym roku opublikuje szczegółowe informacje na temat swojej technologii.

« powrót do artykułu