Jump to content
Forum Kopalni Wiedzy
Sign in to follow this  
KopalniaWiedzy.pl

Wyciekło kilka informacji nt. iPhone'a

Recommended Posts

Na blogu Uniwersytetu w Waszyngtonie pojawiło się nieco szczegółów technicznych dotyczących iPhone’a. Autor wpisu zdobył je podczas apple’owskiej Worldwide Developers Conference.

Z ujawnionych danych wynika, że iPhone nie korzysta z technologii Flash i Java, które są szeroko używane w Sieci i urządzeniach mobilnych. Z kolei działanie JavaScriptu będzie ograniczone do 5 sekund, a wielkość stron HTML, które będzie można przeglądać na iPhonie nie może przekroczyć 10 megabajtów.

W poście napisano również, że jednocześnie będzie można uruchomić nie więcej niż osiem dokumentów. Nie wiadomo jednak, o jakie dokumenty chodzi. Czy mowa tutaj np. o witrynach w Internecie, czy np. o witrynach pobieranych z pamięci podręcznej iPhone’a.

Wpis zdradzający szczegóły najnowszego urządzenia Apple’a został już z forum usunięty.
Ken Dulaney, wiceprezes ds. urządzeń mobilnych firmy analitycznej Gartner mówi, że decyzja o rezygnacji z Flasha i Javy to posunięcie typowe dla Apple’a. Firma kolejną rzecz robi po swojemu. Zdaniem Dulaneya brak obu wspomnianych technologii w żaden sposób nie zniechęci developerów do tworzenia programów na iPhone’a.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now
Sign in to follow this  

  • Similar Content

    • By KopalniaWiedzy.pl
      Elpida poinformowała o wyprodukowaniu pierwszego własnego prototypu pamięci ReRAM. Kość wykonano w technologii 50 nanometrów, a jej pojemność wynosi 64 megabity.
      ReRAM (Resistance Random Access Memory) to pamięć nieulotna zbudowana z materiałów, które zmieniają oporność w odpowiedzi na zmiany napięcia elektrycznego. Największą zaletą ReRAM jest niezwykle szybka praca przy bardzo niskim napięciu. Ma ona obie zalety pamięci DRAM, czyli szybką pracę, oraz pamięci flash, czyli możliwość przechowywania danych po odłączeniu zasilania. Czas zapisu danych na ReRAM wynosi około 10 nanosekund, czym dorównuje układom DRAM, jest za to znacznie bardziej wytrzymała niż flash, gdyż umożliwia dokonanie ponad miliona cykli zapisu/odczytu danych. Przed kilkoma miesiącami informowaliśmy o stworzeniu przez Samsunga prototypowej komórki ReRAM, wytrzymującej bilion cykli zapis/odczyt.
      Elpida ma nadzieję, że pierwsze przeznaczone do sprzedaży kości ReRAM rozpocznie produkować już w przyszłym roku. Mają być one wykonane w technologii 30 nm, a ich pojemność ma być liczona w gigabitach. ReRAM może stać się konkurentem powszechnie wykorzystywanych układów flash, szczególnie na rynku urządzeń przenośnych, gdzie duże znaczenie ma ilość energii potrzebnej do obsługi pamięci.
    • By KopalniaWiedzy.pl
      Intel i Micron ogłosiły powstanie pierwszego 128-gigabitowego układu pamięci MLC (multi-level cell) NAND, wykonanego w technologii 20 nanometrów. Jednocześnie obie firmy poinformowały o rozpoczęciu masowej produkcji 64-gigabitowych kości tego typu.
      Nowy układ został stworzony przez firmę IM Flash Technologies (IMFT) - spółkę założoną przez Intela i Microna. Nowa kość jest zgodna ze specyfikacją ONFI 3.0, dzięki czemu zapewnia prędkość przesyłu danych rzędu 333 megatransferów na sekundę (MT/s). Urządzenie może zatem trafić zarówno do telefonów komórkowych jak i dysków SSD.
       
      W styczniu przyszłego roku IMFT udostępni zainteresowanym firmom próbki kości, a w I połowie 2012 zostanie uruchomiona masowa produkcja nowych NAND.
    • By KopalniaWiedzy.pl
      Google przegrał walkę o niedopuszczenie emaila, który świadczy na niekorzyść koncernu, jako dowodu w sądowym sporze z Oracle'em. Sędzia William Alsup podtrzymał wcześniejszy wyrok, zgodnie z którym list elektroniczny jednego z inżynierów Google'a może zostać wykorzystany w sprawie.
      We wspomnianym e-mailu, autorstwa Tima Lindholma, czytamy: to o co nas w rzeczywistości poprosili (Larry Page i Sergey Brin) to sprawdzenie, jakie istnieją techniczne alternatywy dla wykorzystania Javy w Androidzie i Chrome. Przyjrzeliśmy się wielu alternatywom i sądzimy, że wszystkie są do niczego. Doszliśmy do wniosku, że trzeba renegocjować licencję Javy tak, by spełniała nasze potrzeby.
      Oracle oskarża Google'a o naruszenie patentów i praw autorskich dotyczących Javy. Do naruszenia miało dojść w wirtualnej maszynie Dalvik, wykorzystywanej w systemie Android. Z listu Lindholma wynika, że Google świetnie zdawało sobie sprawę, iż Android narusza prawo.
      Google próbował niedopuścić do przedstawienia maila przed sądem argumentując, że przekazano go Oracle'owi przypadkiem. List został napisany bowiem już po tym, jak Oracle zgłosiło do Google'a pretensje i zagroził pozwem sądowym, a prawo stanowi, że oskarżony nie musi ujawniać korespondencji ze swoimi prawnikami, jeśli prosi w niej o radę w danej sprawie.
      Istnieje dziewięć wersji maila. Osiem z nich to szkice, które automatycznie zapisały się na komputerze Lindholma gdy ten tworzył list. Google przypadkiem przekazało listy Oracle'owi, gdyż po wniesieniu oskarżenia firma miała obowiązek ujawnienia materiałów dotyczących procesu. Szkice nie zostały oznaczone jako poufne, ani nie wypełniono w nich pola adresu, więc przedstawiciele Google'a nie wiedzieli, że przekazują mail, który w ostatecznej wersji trafił do szefa wydziału zajmującego się Androidem, Andy'ego Rubina, oraz do jednego z prawników Google'a.
      Sędzia Alsup odrzucił wniosek Google'a, zauważając, że w tekście maila wymieniony jest tylko Rubin. Oznaczenie dokumentu jako uprzywilejowanego i poufnego lub wysłanie go do prawnika nie oznacza, że automatycznie jest on uprzywilejowany - stwierdził Alsup.
      Google poniósł więc poważną porażkę. Ława przysięgłych może bowiem uznać e-mail za dowód, że doszło do świadomego naruszenia praw Oracle'a, a to z kolei będzie oznaczało surowszą karę. Takiego zdania jest sam sędzia Alsup, który, gdy e-mail został po raz pierwszy ujawniony, ostrzegł prawników Google'a, że może się on stać przyczyną przegrania procesu.
    • By KopalniaWiedzy.pl
      Już w 2013 roku do sklepów mają trafić pierwsze chipy zbudowane na memrystorach. Zastąpią one układy flash i wyznaczą początek rewolucji na rynku układów pamięci.
      Stan Williams z HP, współtwórca memrystora, występując podczas International Electronic Forum 2011 stwierdził, że w ciągu 18 miesięcy jego firma rozpocznie sprzedaż kości, które zastąpią flash. Na tym jednak nie koniec.
      Być może w 2014, a na pewno w 2015 stworzymy konkurencję dla DRAM, a później zastąpimy SRAM - powiedział Williams.
      O zastąpieniu flasha już zdecydowaliśmy. Teraz pracujemy nad DRAM i sądzimy, że nowe układy będą zużywały na każdy bit o dwa rzędy wielkości mniej energii potrzebnej do przełączania układu - dodał. Opracowana przez HP technologia pozwala na umieszczenie układu pamięci bezpośrednio na procesorze. Dzięki temu dane w ogóle nie opuszczają układu scalonego. To oznacza, że otrzymujemy poprawę szybkości działania odpowiadającą 20 latom obowiązywania Prawa Moore'a - stwierdził Williams. Dodał przy tym, że możliwe jest umieszczanie dowolnej liczby warstw podzespołów o grubości 5 nanometrów każda. W jednej takiej warstwie może znaleźć się nawet 500 miliardów memrystorów.
      Przedstawiciel HP zapowiada wielkie zmiany na rynku. Jesteśmy największym na świecie kupcem pamięci DRAM i drugim co do wielkości nabywcą układów flash. Chcemy całkowicie przeorganizować nasz łańcuch dostaw. Mamy zamiar licencjonować naszą technologię każdemu chętnemu. Jednak trzeba będzie poczekać w kolejce. Bardzo wiele osób jest tym zainteresowanych. Zdecydowaliśmy się na taki krok, gdyż, szczerze mówiąc, nie widzimy zbyt wielu innowacji na tym rynku - zapowiedział.
      Memrystor zwany jest inaczej opornikiem pamięci. Zapamiętuje on skąd i ile informacji przepływa, sam usprawnia swoje działanie tak, by przepływ był jak najbardziej wydajny. Potrafi też zmieniać oporność w zależności od wartości  i kierunku przyłożonego napięcia. Zapamiętuje również oporność po odłączeniu zasilania. Dzięki tym właściwościom pojedynczy memrystor może działać jak wiele (od 7 do 12) tranzystorów, pozwoli też na skonstruowanie mniejszej, tańszej, szybszej i bardziej energooszczędnej pamięci flash. Niewykluczone, że memrystory pozwolą również na zrewolucjonizowanie rynku układów FPGA - czyli programowalnych układów scalonych, które na bieżąco można dostosowywać do zadań, które mają wykonać. FPGA są niezwykle drogie, duże i powolne. Być może dzięki memrystorom pozbędziemy się ich wad, a zachowamy zalety.
      Jakby jeszcze tego było mało  badacze z HP stwierdzili, że memrystory są bardziej przydatne niż przypuszczano. Okazało się bowiem, że są one w stanie nie tylko zapamiętywać dane, ale również przeprowadzać obliczenia. To z kolei oznacza, że zamiast budować osobne procesory możliwe będzie wykonywanie obliczeń przez same kości pamięci.
    • By KopalniaWiedzy.pl
      Na Purdue University powstaje nowy rodzaj układów pamięci, które mają być szybsze od obecnie istniejących rozwiązań, a jednocześnie zużywać znacznie mniej energii niż kości flash. Pamięci łączą krzemowe nanokable z polimerem „ferroelektrycznym", który zmienia polaryzację pod wpływem pola elektrycznego.
      Nowa technologia jest dopiero w powijakach, przyznaje doktorant Saptarshi Das, który pracuje pod kierunkiem profesora Joerga Appenzellera. Nazwano ją FeTRAM (ferroelectric transistor random access memory) - pamięć o swobodnym dostępie z tranzystorem ferroelektrycznym.
      FeTRAM to pamięć nieulotna, a więc jej zawartość nie zostaje utracona po odłączeniu zasilania. Układy FeTRAM mogą zużywać nawet 100-krotnie mniej energii niż kości flash. Jednak, jak zauważa Das, obecnie zużywają więcej niż teoretyczne minimum, gdyż znajdują się w początkowych fazach rozwoju.
      FeTRAM spełnia wszystkie wymagania stawiane przed nośnikami pamięci. Pozwala na wielokrotny zapis i odczyt, zużywa mało energii, umożliwia upakowanie dużej ilości kości na małej przestrzeni i jest kompatybilna z technologią CMOS, co oznacza, że wdrożenie jej do produkcji nie powinno nastręczać większych trudności.
      FeTRAM jest podobna do wykorzystywanej komercyjnie na niewielką skalę technologii FeRAM. Obie używają materiałów ferroelektrycznych, jednak w FeRAM zastosowano ferroelektryczne kondensatory, co powoduje, że odczyt zapisanych danych wiąże się z ich usunięciem z układu pamięci. W przypadku FeTRAM, dzięki tranzystorom, te same dane można odczytywać wielokrotnie.
×
×
  • Create New...