18-nanometrowe DRAM już w przyszłym roku

[KopalniaWiedzy.pl 358]

Samsung, Micron i SK Hynix rozpoczną w przyszłym roku produkcję układów DRAM w procesie 18 nanometrów. Samsung już zakończył prace nad procesem 1X-nano D-RAM i obecnie weryfikuje możliwości masowej produkcji w tej technologii. Koreańczycy rozpoczną masową produkcję jeszcze w I kwartale przyszłego roku.

Z kolei SK Hynix będzie zwiększał produkcję 20-nanometrowych układów DRAM i kończy prace nad technologią 1X-nano. Firma ma nadzieję, że będzie gotowa w pierwszej połowie przyszłego roku, a proces 18 nanometrów zostanie wdrożony przed końcem 2016 roku.

Podobne plany ma Micron, który również ma nadzieję na rozpoczęcie w przyszłym roku produkcji w technologii 18 nanometrów. Eksperci uważają jednak, że proces wykorzystywany przez Microna jest o 1 lub 2 generacje mniej rozwinięty od rozwiązań Samsunga i Hyniksa. Ocenia się, że rozmiar płytki w 20-nanometrowych kościach DRAM Microna jest większy od płytki w 20-nanometrowych układach konkurencyjnych firm. Odpowiada on raczej wielkości 25-nanometrowych DRAM Samsunga.

« powrót do artykułu