Zaloguj się, aby obserwować tę zawartość
Obserwujący
0
Cztery gigabajty dla graczy
dodany przez
KopalniaWiedzy.pl, w Technologia
-
Podobna zawartość
-
przez KopalniaWiedzy.pl
W ofercie firmy Super Talent znalazły się cztery klipsy USB korzystające z łącza w wersji 3.0. Dwa z nich wyposażono w pamięć podręczną DRAM, dzięki czemu, jak zapewnia producent, wydajność przy obsłudze dużej liczby niewielkich plików wzrosła o 300%. Super Talent informuje, że np. jeśli chcemy skopiować 40 plików MP3 na klips USB, to dzięki dodaniu pamięci podręcznej, operacja ta zostanie przeprowadzona 260% szybciej, a zatem potrwa nie 13 (w przypadku łącza USB 3.0), a jedynie 5 sekund. Im mniejsze pliki kopiujemy, tym większe korzyści odnosimy z zastosowania pamięci podręcznej.
Jeden z menedżerów Super Talenta stwierdził: Nie mówimy już o 10-krotnym zwiększeniu wydajności w porównaniu do USB 2.0. Teraz mówimy o rzeczywistym zwiększeniu prędkości pracy nawet o 110 razy w porównaniu z tym, do czego dotychczas użytkownicy mieli dostęp.
Do sklepów trafią zatem urządzenia USB 3.0 Express Drive 16 GB (sugerowana cena detaliczna to 59 USD), USB 3.0 Express Drive 32 GB (99 USD), USB 3.0 Express RAM CACHE Drive 32 GB (129 USD) oraz USB 3.0 Express RAM CACHE Drive 64 GB (209 USD). W pamięć podręczną wyposażono dwa ostatnie z wymienionych klipsów.
-
przez KopalniaWiedzy.pl
Na Uniwersytecie Stanowym Karoliny Północnej powstał materiał, który umożliwi przechowywanie informacji z 20 płyt HD DVD na powierzchni około 1 cm2. Nowy materiał jest dziełem zespołu pracującego pod kierunkiem doktora Jagdisha Naryana i profesora Johna C. C. Fana.
Naukowcy wykorzystali technologię domieszkowania, podczas której do materiału dodaje się obce jony lub atomy, zmieniając właściwości materiału.
Amerykańscy uczeni dodali do tlenku magnezu metaliczny nikiel. Uzyskany w ten sposób materiał zawierał klastry atomów niklu, których rozmiary nie przekraczały 10 nanometrów kwadratowych. To 10-krotnie mniej, niż można uzyskać przy obecnie wykorzystywanych technikach. W ten sposób możliwe będzie 50-krotne zwiększenie pojemności układów scalonych. W układzie, który dotychczas mieścił 20 gigabajtów danych, będzie możliwe zapisanie terabajta informacji.
-
przez KopalniaWiedzy.pl
Już wkrótce ceny układów pamięci DDR2 i DDR3 mogą się zrównać, a to oznacza niechybny koniec DDR2. Obecnie producenci sprzedają 1-gigabitowe kostki DDR2 w cenie powyżej 1,60 USD, a podobne układy DDR3 kosztują około 1,90 USD. Eksperci przewidują, że już wkrótce cena układów wyrówna się na poziomie niższym niż 2 dolary z kość.
Obserwowany wzrost cen DDR2 pozwala obecnie zarobić nieco więcej tajwańskim producentom, którzy wytwarzają przede wszystkim tego typu kości. Jednak, gdy tylko ceny się wyrównają, wzrośnie popyt na DDR3, a spadnie na DDR2. Ci, którzy będą chcieli przetrwać na rynku, będą musieli zrezygnować z produkcji DDR2.
Firma analityczna InSpectrum przewiduje, że poziom produkcji DDR2 i DDR3 niemal wyrówna się już w czwartym kwartale bieżącego roku, kiedy to producenci komputerów będą wykorzystywali nowsze układy w co trzeciej maszynie.
-
przez KopalniaWiedzy.pl
Kingston zaprezentował pierwszy zestaw układów pamięci o pojemności 12 gigabajtów stworzony z myślą o współpracy z intelowskimi procesorami z rodziny Core i7. Zestaw składa się z trzech 4-gigabajtowych kości taktowanych zegarem 1600 MHz. Ich timingi wynoszą 9-9-9-27. Urządzenia z serii HyperX pracują przy napięciu 1,65V.
Trzykanałowe układy tworzą najbardziej pojemny zestaw z rodziny HyperX. Są jednocześnie najdroższym spośród dostępnych na rynku pakietem pamięci. Trzeba za nie zapłacić 1400 dolarów.
-
przez KopalniaWiedzy.pl
Badacze z Lawrence Berkeley National Laboratory dowiedli, że pole elektryczne może posłużyć do przełączania stanów w multiferroikach. To z kolei umożliwi wykorzystanie w przyszłości tych materiałów do przechowywania danych zarówno za pomocą zjawisk magnetycznych jak i spintronicznych.
Multiferroiki to materiały charakteryzujące się jednocześnie więcej niż jedną cechą materiałów ferroikowych. Ich cztery podstawowe właściwości to ferromagnetyzm, ferroelektryczność, ferroelastyczność i ferrotoroidalność.
Najpierw jego zespół wzbogacił żelazian bizmutu o akceptory jonów wapnia, gdyż zwiększają one ilość prądu, który może przepłynąć przez BiFeO3. Spowodowało to powstanie pozytywnie naładowanych wakancji tlenowych. Po przyłożeniu pola elektrycznego, wakancje te stały się ruchome. Powędrowały do góry materiału, tworząc złącze typu n, a nieruchome jony wapnia utworzyły w dolnej części materiału złącze typu p. Po odwróceniu kierunku pola elektrycznego obszary p i n zamieniły się miejscami. Z kolei zastosowanie pola elektrycznego o średnim natężeniu pozwoliło na wykasowanie obszarów p i n.
Na takiej samej zasadzie działają współczesne urządzenia CMOS, gdzie przyłożenie napięcia pozwala na kontrolowanie właściwości przepływu elektronów i zmienia oporność z wysokiej (izolator) na niską (przewodnik) - zauważa Ramesh. W typowym urządzeniu CMOS różnica w oporności obu stanów jest milionkrotna. W żelazianie bizmutu osiągnięto dotychczas tysiąckrotną różnicę pomiędzy stanami on i off. To i tak dwa razy więcej, niż najlepszy wynik uzyskany za pomocą pola magnetycznego. Wystarczy też, by urządzenia z żelazianu bizmutu działały.
-
-
Ostatnio przeglądający 0 użytkowników
Brak zarejestrowanych użytkowników przeglądających tę stronę.