Skocz do zawartości
Forum Kopalni Wiedzy
KopalniaWiedzy.pl

Aktywne chłodzenie układów pamięci

Rekomendowane odpowiedzi

Znany producent układów pamięci, firma OCZ, pokazał dzisiaj nowy zestaw do chłodzenia układów RAM. Mogą go potrzebować kości pracujące z wysokimi częstotliwościami zegara.

Xtreme Thermal Convection (XTC) zbudowany jest z aluminium, a producent zastosował w nim dwa wentylatory o średnicy 60 mm każdy. Urządzenie jest kompatybilne zarówno z kośćmi DDR jak i DDR2. Bez najmniejszego problemu można je przyczepić do standardowych złączy DIMM i zatrudnić do chłodzenia układów.

XTC objęty jest roczną gwarancją. OCZ nie ujawniło ceny swojego najnowszego produktu.

 

Udostępnij tę odpowiedź


Odnośnik do odpowiedzi
Udostępnij na innych stronach

Jeśli chcesz dodać odpowiedź, zaloguj się lub zarejestruj nowe konto

Jedynie zarejestrowani użytkownicy mogą komentować zawartość tej strony.

Zarejestruj nowe konto

Załóż nowe konto. To bardzo proste!

Zarejestruj się

Zaloguj się

Posiadasz już konto? Zaloguj się poniżej.

Zaloguj się

  • Podobna zawartość

    • przez KopalniaWiedzy.pl
      Naukowcy z North Carolina State University opracowali nowe urządzenie, które może znacząco zmienić rynek pamięci komputerowych, a właścicielom olbrzymich farm serwerowych pozwoli na spore obniżenie rachunków za energię elektryczną. Uczeni stworzyli hybrydowe urządzenie, które może działać jak pamięć ulotna oraz nieulotna i być wykorzystywana w roli głównej pamięci komputera.
      Obecnie wykorzystywane pamięci komputerowe możemy podzielić na szybko działające układy ulotne (DRAM) oraz na powolne nieulotne (flash).
      Wynaleźliśmy urządzenie, które może zrewolucjonizować pamięć komputerową. Nazywamy je podwójnym tranzystorem polowym. Istniejące pamięci nieulotne  korzystają z pojedynczej bramki, która przechowuje ładunek elektryczny. Wykorzystanie podwójnej bramki pozwala na jednoczesne przechowywanie ładunku dla wolniejszej pamięci nieulotnej, jak i dla szybszej - ulotnej - mówi profesor Paul Franzon, współautor nowych pamięci.
      Podwójny tranzystor polowy ma liczne zalety. Pozwoli on np. na błyskawiczne uruchamianie komputera, gdyż wyeliminujemy konieczność odwoływania się do dysku twardego podczas startu. Wszelkie dane potrzebne do uruchomienia systemu będą przechowywane w pamięci nieulotnej. Pozwoli to również na zaoszczędzenie olbrzymich ilości energii, a zatem na obniżenie kosztów działalności, właścicielom farm serwerowych. Farmy takie pochłaniają olbrzymie ilości energii m.in. dlatego, że nawet podczas swojej niewielkiej aktywności, muszą ją bez przerwy dostarczać do układów pamięci. Podwójny FET rozwiązuje ten problem. Dane mogą być przechowywane w części nieulotnej, skąd błyskawicznie można będzie je przesłać do szybko działającej części ulotnej pamięci. Takie rozwiązanie pozwoli na wyłączanie zasilania układów pamięci w czasie, gdy farma nie jest zbyt obciążona, bez spadku wydajności całego systemu.
      Szczegółowe informacje nt. nowych układów pamięci zostaną opublikowane 10 lutego.
    • przez KopalniaWiedzy.pl
      Zespół naukowców z Francji, Niemiec i USA opracował nowy sposób na nieulotne przechowywanie danych. Metodę nazwali magnetyczną pamięcią wirową kontrolowaną częstotliwością.
      Uczeni użyli nanokropek wykorzystujących właściwości wirów magnetycznych i ich zdolności do przechowywania danych binarnych. Dane można kontrolować za pomocą prostej zmiany częstotliwości wirów.
      Co prawda już wcześniej próbowano używać magnetycznych nanoobiektów do przechowywania informacji, jednak nikt nie opracował metody zmiany kierunku magnetyzacji w pojedynczym nanoobiekcie. Teraz udało się to osiągnąć dzięki połączeniu impulsów mikrofalowych ze statycznym polem magnetycznym.
      Zespół naukowców skojarzył wiry o różnych częstotliwościach (dużej i małej) z - odpowiednio - pozytywną i negatywną polaryzacją. Przy pozytywnej polaryzacji, rdzeń wiru jest ułożony równolegle do pola magnetycznego. Przy negatywnej - jest przeciwrównoległy. Za pomocą niezwykle czułego rezonansowego mikroskopu sił magnetycznych (MRFM) specjaliści byli w stanie kontrolować polaryzację poszczególnych nanokropek.
      Stworzony przez nich prototypowy układ pamięci składa się z macierzy nanokropek oraz elektromagnesu generującego stałe pole magnetyczne prostopadłe do macierzy. Za pomocą końcówki MRFM można badać i kontrolować stan poszczególnych nanokropek. Do jego odczytania należy użyć mikrofalowego pola magnetycznego na tyle słabego, by nie zmieniło polaryzacji nanokropek. Zwiększając jego moc można zmieniać polaryzację, a zatem odczytywać dane. Badacze przeprowadzili setki prób zapisu i wszystkie przebiegły bezbłędnie oraz nie miały wpływu na stan sąsiadujących nanokropek.
      Eksperci chcą teraz udoskonalić swój wynalazek m.in. poprzez wyeliminowanie konieczności używania MRFM, który zawiera ruchome części. Planują zastąpić go lokalnymi czujnikami odczytującymi stan nanokropek. Myślą też o układaniu nanokropek jedna na drugiej i stworzeniu w ten sposób układów składających się z wielu rejestrów.
      Wstępne badania pokazują, że nowa pamięć może działać znacznie szybciej i oferować większą pojemność niż obecnie wykorzystywane nieulotne układy RAM.
    • przez KopalniaWiedzy.pl
      Niedawno informowaliśmy o tanim SSD firmy OCZ. Tymczasem Intel, uznany za najlepszego producenta tego typu urządzeń, zaoferował niedrogi 40-gigabajtowy dysk SSD. Urządzenie X25-V Value SATA SSD kosztuje w hurcie (po 1000 sztuk) 125 dolarów. Jest ono przeznaczone dla netbooków lub pecetów, w których SSD pełni rolę dysku rozruchowego, a właściwym magazynem danych jest tradycyjny HDD.
      Urządzenie Intela jest o 10-20 procent tańsze od rozwiązań konkurencji.
      Czterdziestogigabajtowy dysk wystarczy do zainstalowania systemu operacyjnego, pakietu biurowego i kilku aplikacji.
      X25-V pojawiły się już w sprzedaży detalicznej. Na Amazon.com można je kupić w cenie 126,45 USD.
    • przez KopalniaWiedzy.pl
      Dyski SSD Intela zdobyły największe uznanie firmy analitycznej DRAMeXchange Technology. Jej specjaliści sprawdzili szeroką gamę dostępnych na rynku produktów. Podczas badań zauważono olbrzymie "nierówności" wśród SSD. Kolosalne różnice, wpływające na ocenę całego urządzenia, były obserwowane w jakości kontrolerów, pamięci flash i wbudowanego oprogramowania (firmware'u).
      Już wcześniej specjaliści, jak na przykład Tom Coughlin z firmy konsultingowej Coughlin Associates, zauważając różnice w jakości SSD zalecali swoim klientom, by raczej kupowali urządzenia dużych, znanych firm. Badania DRAMeXchange potwierdzają, że było to słuszne zalecenie.
      Wykazały one, że najlepsze kontrolery produkują Intel i Samsung, jeśli zaś chodzi o firmy projektujące układy scalone, to zaufać można amerykańskiej SandForce, południowokoreańskiej Indilinx oraz tajwańskiej JMicron Technology.
      DRAMeXchange przetestowało 40 różnych SSD, skupiając się głównie na modelach korzystających z tańszych układów MLC (multi-level cell) NAND. Technologia MLC oferuje wyższą gęstość zapisu i pozwala na produkcję tańszych układów. Z kolei zalety SLC to większa wytrzymałość układów. większy zakres temperatur, w których mogą pracować, niższy pobór mocy oraz szybszy odczyt i kasowanie danych.
      Badane SSD podzielono na dwie grupy. W pierwszej znalazły się urządzenia o pojemności od 100 do 160 gigabajtów. Ten ranking wyglądał następująco:
      1. Intel X25-M SSDSA2M160G2GC (160 GB)
      2. OCZ Vertex PRO (120GB)
      3. A-Data SSD S599 (100 GB)
      4. G.SKILL Phoenix (100 GB)
      5. MX-Technology MXSSD2MDS (100 GB)
      6. Micron REALSSD C300 (128 GB)
      7. Starex (128 GB)
      8. Apogee Mars FlashSSD (128 GB)
      9. Corsair CMFSSD-128GD1 X128 (128 GB)
      10. Super SSpeed SSD (128 GB)
      Do drugiej kategorii zaliczono urządzenia o pojemności od 60 do 80 GB, jednak szczególnie skupiono się na urządzeniach 64-gigabajtowych, gdyż ich cena najbardziej odpowiada klientom.
      1. Intel X25-M SSDSAM080G2GC (80 GB)
      2. OCZ Agility EX (60 GB)
      3. KingFast KF251MCI (64 GB)
      4. A-Data SSD S592 (64 GB)
      5. Starex (64 GB)
      6. Gingle V3 (64 GB)
      7. PQI SSD S528 (64 GB)
      8. Corsair CMFSSD-64GBG2D P64 (64 GB)
      9. RiData X-series NSSD-X25-64-C07M-PN (64 GB)
      10. RunCore RCP-IV-S2564-C (64 GB).
    • przez KopalniaWiedzy.pl
      Były wiceprezes ds. badawczych w Seagate Technology, profesor Mark Kryder z Carnegie Mellon Univeristy, założyciel Data Storage System Center oraz jego student Chang Soo Kim przeprowadzili studium nt. przyszłości technologii przechowywania danych. W jego ramach przebadali 13 nieulotnych technologii przechowywania informacji, które są postrzegane jako możliwi następcy dysków twardych (HDD). Obaj specjaliści przeanalizowali rynkowe szanse badanych technologii, prawdopodobieństwo z jakim mogą zastąpić HDD oraz przyszłą cenę terabajta pojemności do roku 2020.
      Najważniejszą konkluzją ich prac jest stwierdzenie, iż jest bardzo mało prawdopodobne, by jakiekolwiek urządzenia wykorzystujące pamięci nieulotne były w stanie w najbliższym dziesięcioleciu konkurować cenowo z HDD. Zdaniem naukowców "mapa drogowa" rozwoju technologii litograficznych (ITRS - International Technology Roadmap for Semiconductors) pokazuje, że w przyszłej dekadzie nie rozwiną się one na tyle, by zapewnić odpowiednio wysoką gęstość zapisu, co pozwoliłoby na obniżenie ceny technologii alternatywnych tak, by stały się one tańsze od HDD. Największe szanse na konkurowanie z obecnymi dyskami mają technologię pozwalające na zapisanie wielu bitów w pojedynczej komórce oraz takie, które korzystają z pamięci zmiennofazowych (PCRAM) i STT-RAM.
      W podsumowaniu swojej analizy, naukowcy stwierdzają: Przyjmując, że technologia HDD będzie rozwijała się w takim tempie, jak w przeszłości, w roku 2020 dwutalerzowy 2,5-calowy dysk twardy będzie w stanie przechowywać ponad 40 terabajtów danych, a jego cena wyniesie około 40 dolarów.
      Na długo przed rokiem 2020 technologia pamięci flash osiągnie granicę, poza którą nie będzie można jej skalować. Istnieje obecnie duże zainteresowanie technologiami pamięci nieulotnych, które zastąpią flash i w przyszłości być może i HDD. W dokumencie tym porównaliśmy trzynaście z nich.
      Uznając za najważniejszy czynnik gęstość zapisu oraz biorąc pod uwagę wydajność, najbardziej obiecujące wydają się technologie typu racetrack. Jednak zależą one od synchronicznego przemieszczania ścian domen w rejestrach, co już w przeszłości okazało się niepraktyczne i nadal jest dalekie od wdrożenia. Tym bardziej, że nad technologią tą nie pracuje odpowiednia liczba badaczy, którzy mogliby rozwiązać trapiące ją problemy. Obiecująco duże gęstości zapisu można uzyskać w pamięciach korzystających z próbników, tym bardziej, że produkcja ich głowic nie jest mocno ograniczana przez rozwój technologii litograficznych. Z drugiej jednak strony, ich wydajność jest niższa niż wydajność innych technologii i, podobnie jak w pamięciach racetrack, są one dalekie od praktycznego zastosowania. Również nad nimi pracuje mało specjalistów.
      Pamięci holograficzne mogą potencjalnie mieć wysoką gęstość przy niskich kosztach, jednak jak dotąd sprawdzają się tylko w zastosowaniach polegających na jednorazowym zapisie nośnika, a to zupełnie inny rynek.
      Układy MRAM i FRAM należą do najdroższych, a ich koszt jest podobny do kości DRAM, dlatego też nie zastąpią układów flash czy dysków twardych.
      Pamięci polimerowe, molekularne i SEM (Single Electron Memory) charakteryzują się niską gęstością zapisu i krótkimi czasami przechowywania danych, co czyni je nieprzydatnymi w rozważanych zastosowaniach.
      Z kolei kości typu NRAM wydają się być dobrymi kandydatami, jednak ich prognozowana gęstość, a co za tym idzie i koszt, nie są wystarczająco konkurencyjne.
      Produkty takie jak RRAM, CBRAM, STTRAM i PCRAM mają małe komórki i potencjalnie nadają się do przechowywania wielu bitów w pojedynczej komórce, dzięki czemu mogą w przyszłości konkurować z dyskami twardymi Wśród nich PCRAM są najbardziej dojrzałe i już trafiły na rynek, a STTRAM wydają się oferować najlepszą wydajność.
  • Ostatnio przeglądający   0 użytkowników

    Brak zarejestrowanych użytkowników przeglądających tę stronę.

×
×
  • Dodaj nową pozycję...