Naukowcy z National Institute of Standards and Technology (NIST), Penn State University i University of Kentucky opracowali technologię szybkiego i prostego wykorzystania organicznego półprzewodnika do tworzenia matryc wysoko wydajnych tranzystorów. Dzięki temu odkryciu w przyszłości mogą powstać duże, elastyczne układy elektroniczne.
Uczeni nakłonili molekuły organicznego półprzewodnika do ułożenia się wokół odpowiednio przygotowanych elektrod. W ten sposób samoistnie powstał tranzystor polowy. Pracownicy NIST stworzyli całą matrycę składającą się z wielu takich tranzystorów, które nie tylko charakteryzowały się dobrymi parametrami, ale były również od siebie odizolowane.
David Gundlach, który kierował pracami, mówi, że co prawda matrycę wykonano na krzemowym podłożu, ale nie powinno być żadnych problemów z przeniesieniem jej na podłoża elastyczne.
W swoim artykule naukowcy opisują, w jaki sposób środki chemiczne zastosowane na urządzeniach elektrycznych wpływają na samoorganizację kryształów, zwiększając z jednej strony wydajność urządzeń półprzewodnikowych, a z drugiej zapewniając elektryczną izolację pomiędzy podzespołami.
Olbrzymią zaletą organicznych półprzewodników jest fakt, że można produkować z nich podzespoły elektroniczne w temperaturze pokojowej. Jako podłoże można wykorzystać zatem elastyczne polimery, a nie sztywny krzem.
Dzięki nim powstaną m.in. olbrzymie zwijalne wyświetlacze czy elastyczne płachty z czujnikami służące w medycynie lub badaniach nad środowiskiem naturalnym.