Znajdź zawartość

Francuscy inżynierowie wiercą dren o średnicy 22 cm, za pomocą którego zostanie odpompowana woda spod lodowca Tete-Rousse na górze Mont Blanc. Szacuje się, że w ukrytym jeziorze znajduje się ok. 65 tys. metrów sześciennych wody. Trzeba ją odprowadzić, by zapobiec powodzi w pobliskiej dolinie Saint-Gervais. Na zbiornik natrafiono podczas przeprowadzanej w zeszłym miesiącu rutynowej kontroli. Do powodzi w dolinie Saint-Gervais w Wysokiej Sabaudii, którą uważa się za raj dla miłośników pięknych krajobrazów i narciarzy, doszło już w 1892 roku. Zginęło wtedy 175 osób. Ponieważ obecnie malownicze okolice są chętnie odwiedzane przez turystów, a w dodatku mieszka tu ok. 3000 osób, zagrożenie należy traktować poważnie. W niedostępnym dla oczu jeziorze jest tyle wody, że dolina zginęłaby w odmętach w ciągu zaledwie 15 minut. Ucierpiałoby na tym 900 rodzin. Nic więc dziwnego, że już w lipcu na miejscu zainstalowano system alarmowy. Nicolas Karr z Biura Lasów Państwowych wyjaśnia, że operacja jest trudna, a zarazem delikatna. By dotrzeć do zbiornika, eksperci muszą się najpierw przedostać przez lód o grubości 40-50 m. Wszystko odbywa się na wysokości 3200 m n.p.m. Nie ma dróg, a do rejonu robót można dotrzeć wyłącznie helikopterem. Co więcej, często schodzą tu lawiny. Inżynierowie powinni skończyć przed połową października, ponieważ nie ma pewności, czy później pogoda dopisze. Nie wiadomo, czemu doszło do utworzenia ukrytego zbiornika. Być może wszystkiemu winne są podwyższone temperatury, niewykluczone jednak, że stało się dokładnie na odwrót i wyjątkowo chłodny okres wiosną czy wczesnym latem doprowadził do zablokowania naturalnych dróg odpływu. Ekipa zamierza usunąć z kieszeni 1/3 wody. Nikt nie wie, co się wtedy stanie, dlatego miejscowych wtajemniczono ostatnio w plany ewakuacyjne.

Specjaliści z niemieckiej firmy Namlab GmbH stworzyli podstawy tranzystora polowego, który za pomocą sygnału elektrycznego można rekonfigurować tak, by działał jak tranzystor typu p lub typu n. Koncepcyjny uniwersalny tranzystor został opisany w artykule w Nano Letters. Niemcy zaprezentowali teoretyczne założenia tranzystora, jednak twierdzą, że bez najmniejszych problemów można zbudować takie urządzenie za pomocą technologii CMOS. Nowy tranzystor składa się z pojedynczego nanokabla o strukturze metal-półprzewodnik-metal, otoczonego dwutlenkiem krzemu. Elektrony i dziury przepływają ze źródła na jednym końcu nanokabla przez dwie bramki do drenu. Bramki w różny sposób kontrolują ruch elektronów i dziur. Jedna z nich decyduje o trybie pracy tranzystora wybierając, czy wykorzystuje elektrony czy dziury. Druga z nich kontroluje ich przepływ dobierając odpowiednio rezystancję. Niemcy zaprezentowali zatem całkowicie inne podejście niż spotykamy we współczesnych tranzystorach. Obecnie o tym, czy tranzystor będzie typu p czy n decyduje się na etapie produkcji za pomocą odpowiednich domieszek. Raz wybrany typ nie może już być zmieniony. W rekonfigurowalnym tranzystorze napięcie przyłożone do jednej z bramek decyduje o jego typie. Bariera Schottky’ego, która powstaje na styku metalu i półprzewodnika blokuje albo dziury, albo elektrony. Gdy zablokowane są elektrony, dziury przepływają i mamy do czynienia z tranzystorem typu p. Nieco inne napięcie spowoduje, że zablokowane zostaną dziury, a możliwy będzie ruch elektronów. Taki tranzystor może przeprowadzać operacje logiczne właściwe dla tranzystorów p i n. To z kolei oznacza, że może je zastąpić, co pozwoli na zmniejszenie liczby tranzystorów w układzie bez ograniczania jego funkcjonalności. Za tym idzie możliwość produkcji mniejszych układów scalonych, zużywających mniej energii i łatwiejszych oraz tańszych w chłodzeniu.