Znajdź zawartość

Wkrótce będziemy świadkami końca epoki 3,5-calowych dyskietek. Firma Sony, jeden z największych na świecie producentów tych nośników danych, poinformowała, że w marcu przyszłego roku zakończy sprzedaż dyskietek na japońskim rynku. Obecnie do Sony należy 70% rynku w Kraju Kwitnącej Wiśni. Decyzja jest też o tyle symboliczna, że to właśnie Sony opracowało ten format dyskietki i wypuściło go na rynek w 1981 roku. Dyskietka 3,5 cala w ciągu kilku lat stała się najpopularniejszym na świecie mobilnym nośnikiem danych. Szczyt jej popularności przypadł na lata 2001-2002, kiedy to na japońskim rynku Sony sprzedało 47 milionów dyskietek. W ubiegłym roku sprzedaż spadła do 12 milionów sztuk. Już w ubiegłym miesiącu japońska firma zakończyła sprzedaż tego typu sprzętu na większości rynków. Dyskietki Sony można jeszcze kupić w kilku krajach świata, w tym w Indiach.

Naukowcy z Finlandii stworzyli pamięć masową z węglowych nanorurek, której prędkość pracy dorównuje kartom pamięci czy klipsom USB. Odczyt i kasowanie danych odbywa się w ciągu 100 nanosekund, czyli 100 000 razy szybciej, niż wcześniej wyprodukowane nanorurkowe pamięci masowe. Fińskie urządzenie wytrzymuje ponad 10 000 cykli zapisu/kasowania. Päivi Törmä z uniwersytetu w Helsinkach stwierdził: Pod względem prędkości i wytrzymałości, nasza pamięć jest tak dobra jak komercyjne dostępne kości flash. Do stworzenia układów wykorzystano tranzystory polowe z węglowych nanorurek. Zostały one umieszczone na krzemowym podłożu i odizolowane od niego za pomocą 20-nanometrowej warstwy tlenku hafnu. To właśnie użycie tlenku hafnu jest kluczem do szybkiej pracy pamięci. Na niego nałożono kilka kropel roztworu zawierającego nanorurki. Średnica każdej z nich wynosi od 1,2 do 1,5 nanometra, a długość to od 100 do 360 nanometrów. Następnie za pomocą mikroskopu sił atomowych zidentyfikowano odpowiednio ułożone nanorurki, które połączono za pomocą palladu, tworząc w ten sposób dren i źródło. Rolę bramki pełni krzemowe podłoże. W końcu na warstwę nanorurek nałożono kolejną 20-nanometrową warstwę tlenku hafnu, tworząc izolację. Na razie nanorurkowe układy pamięci są w stanie przechowywać dane przez około 42 godziny. To niewiele, dlatego Törmä i jego zespół chcą wydłużyć ten czas. Uważają, że można tego dokonać poprzez dodanie warstwy tlenku pomiędzy bramkę a nanorurki.