Znajdź zawartość

O kolejnym osiągnięciu, dzięki któremu powstaną jeszcze nowocześniejsze pamięci krzemowe, informuje firma Toshiba. Opracowana przez nią struktura z podwójną warstwą tunelowania umożliwi budowanie pamięci flash w technologii 10 nm. Tak duża gęstość upakowania elementów (najnowocześniejsze obecnie mikroprocesory wykonane są w technologii 45 "aż" nanometrów) pozwoli budować układy pamięci flash o pojemności nawet 100 Gbit (12,5 gigabajta). Zastosowana przez Japończyków struktura SONOS (ang. Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor) zawiera warstwę nanokryształów krzemu o grubości 1,2 nm, znajdującą się między dwiema warstwami tlenków grubymi na 1 nm. Struktura ta. Mimo sporych zmian w stosunku do tradycyjnych technologii, zapewnia dużą prędkość działania oraz trwałość zapisu danych wynoszącą 10 lat – tyle, co typowe pamięci nieulotne. Niestety, obiecywane gęstości to jedynie wartości docelowe, jakie zostaną osiągnięto dopiero po kilku generacjach mniej pojemnych kostek flash. Jednak już teraz widać, że w branży pamięci masowych coraz większe znaczenie nośników krzemowych. Dyski twarde budowane na bazie pamięci flash zyskują nie tylko na pojemności czy wydajności (w której spory udział mają bardzo krótkie czasy dostępu do danych). Dzięki spadającym cenom stają się one też coraz bardziej popularne, a nieustannie doskonalona technologia sprawia, że żywotność i niezawodność tych urządzeń zagraża "twardzielom" bazującym na wirujących nośnikach magnetycznych.