Znajdź zawartość

Justin Rattner, główny technolog Intela, ma dokonać w bieżącym tygodniu pierwszej publicznej demonstracji działania intelowskich pamięci zmiennofazowych (PRAM – phase-change RAM). Pokaz będzie miał miejsce podczas odbywającego się właśnie Intel Developer Forum (IDF). Układy PRAM mogą zastąpić nie tylko kości flash, ale i DRAM. Pamięci zmiennofazowe to pamięci nieultone, co znaczy, że po wyłączeniu zasilania zawartość nie jest tracona. Działają więc podobnie jak flash, jednak mają nad tymi kośćmi taką przewagę, że pracują znacznie szybciej. Ich tempo odczytu i zapisu danych dorównuja układom DRAM. PRAM do zapisu danych wykorzystuje szkło chalkogenowe (zawierające tlenowce, a więc siarkę, tlen, tellur, selen lub polon). Szkło takie, pod wpływem temperatury, zmienia swoją strukturę pomiędzy krystaliczną a amorficzną. Oba stany odznaczają się różną opornością elektryczną, reprezentują więc wartości 0 i 1 potrzebne do zapisania danych. Dodatkową przewagą PRAM nad flash jest fakt, że układy flash działają wyłapując elektrony i "więżąc” je w komórce pamięci. Po dłuższym czasie taki elektron zostaje uwięziony na stałe i układ pamięci staje się przez to bezużyteczny. Kości PRAM muszą jeszcze udowodnić swoją przewagę nad DRAM. Jeśli nawet tego dokonają, to DRAM nie zniknie z naszych komputerów i urządzeń elektronicznych. Będą po prostu wykorzystywane w inny sposób niż dotychczas.