Znajdź zawartość

Amerykańscy naukowcy dokonali ważnego kroku na drodze do opracowania wydajnych, wytrzymałych, nieulotnych pamięci RAM. Rozpowszechnienie się tanich kości tego typu pozwoliłoby np. na błyskawiczne uruchomienie komputera czy rezygnację z tradycyjnego dysku twardego, gdyż dane przechowywane byłyby w układach pamięci. Mowa tutaj o ferroelektrycznych pamięciach o swobodnym dostępie (FeRAM - Ferroelectric Random Access Memory). To nieulotne układy wykorzystujące materiał ferroelektryczny w roli kondensatora przechowującego dane. FeRAM posiadają zalety pamięci RAM i ROM. Zapewniają szybki dostęp do danych, dużą wytrzymałość, charakteryzują się niskim zapotrzebowaniem na energię elektryczną i przechowują dane po odłączeniu zasilania. W obecnie stosowanych układach FeRAM wykorzystuje się cyrkoniano-tytanian ołowiu (PZT). To drogi materiał, który zapewnia jedynie niewielką gęstość zapisu. Dlatego też FeRAM spotykamy przeważnie w wymagających mało energii i oferujących niewielką pojemność urządzeniach, które muszą charakteryzować się duża wytrzymałością, takich jak np. karty chipowe. Amerykańska Narodowa Fundacja Nauki sfinansowała prace grupy, którą kierował Darrell Schlom z Cornell University. W jej skład weszli m.in. naukowcy z NASA, Motoroli i Intela. Udało im się opracować nowy materiał ferroelektryczny dla układów FeRAM. Osiągnęli to poprzez naniesienie tytanianu strontu na krzem. Na razie specjaliści pokazali, że materiał ma właściwości ferroelektryczne i że można go wykorzystać do budowy układów pamięci. Sam Schlom przyznaje jednak, że pozostało jeszcze sporo do zrobienia.