Naukowcy z University of Illinois pobili swój własny rekord. Zaprezentowali bowiem najszybszy tranzystor na świecie. Urządzenie pracuje z częstotliwością 845 gigaherców (!)i jest o około 300 GHz szybsze, niż dotychczasowy rekordzista.
Tranzystor zbudowany został z fosforku indu (InP) oraz arsenku galowo-indowego (GaInAs).
Urządzenie jest wyjątkowo cienkie, ma zaledwie 12,5 nanometra grubości. Tak niewielkie rozmiary pozwalają mu szybciej ładować i rozładowywać się.
Amerykańscy badacze są więc coraz bliżej postawionego sobie celu – zbudowania tranzystora, który będzie pracował z częstotliwością 1 THz (teraherca).