Znajdź zawartość

IBM i TDK wspólnie pracują nad nowym rodzajem pamięci nieulotnej o nazwie spin torque transfer RAM (STT-RAM). Jednocześnie IBM przyznał, że nie widzi przyszłości przed technologią MRAM, nad którą dotychczas pracował. W układach STT-RAM prąd elektryczny przykładany jest do magnesu i zmienia kierunek pola magnetycznego. To z kolei decyduje o zmianie oporności, a różne poziomy oporności są interpretowane jako 1 lub 0. IBM i TDK obiecują, że w ciągu najbliższych 4 lat stworzą prototypowy układ STT-RAM wykonany w technologii 65 nanometrów. Nad pamięciami STT-RAM pracuje też firma Grandis, która chce zacząć ich sprzedaż już pod koniec przyszłego roku. IBM pracował dotychczas nad pamięciami magnetorezystywnymi (MRAM) jednak okazało się, że wyprodukowanie tego typu układów w technologiach posługujących się wielkościami bramki mniejszymi niż 65 nanometrów jest bardzo trudne. Błękitny Gigant nie zaoferował się na rynku układów MRAM, a firma Freescale Semiconductor, która ma w swojej ofercie kości MRAM nie sądzi, by technologia ta przetrwała długo. Obecnie prace nad pamięciami RAM przyszłej generacji idą więc w dwóch kierunkach. Jeden to STT-RAM, a drugi to układy zmiennofazowe. Ta druga technologia polega na podgrzewaniu do kilkuset stopni Celsjusza poszczególnych komórek pamięci. Materiał, z których są one zbudowane, zmienia wówczas swoją strukturę z krystalicznej na amorficzną. Struktura krystaliczna jest interpretowana jako 1, a amorficzna jako 0. Obie technologie, STT-RAM i pamięci zmiennofazowe, mają swoje plusy. STT-RAM pracują szybciej, a zmiennofazowe są bardziej gęste, pozwalają więc zapisać więcej informacji. Zaawansowane prace nad pamięciami zmiennofazowymi prowadzą Intel i STMicroelectronics, które powołały do życia firmę Numonyx. Z nieoficjalnych informacji wynika, że pierwsze układy zmiennofazowe mają wkrótce trafić na rynek.