Znajdź zawartość

Już w 2013 roku do sklepów mają trafić pierwsze chipy zbudowane na memrystorach. Zastąpią one układy flash i wyznaczą początek rewolucji na rynku układów pamięci. Stan Williams z HP, współtwórca memrystora, występując podczas International Electronic Forum 2011 stwierdził, że w ciągu 18 miesięcy jego firma rozpocznie sprzedaż kości, które zastąpią flash. Na tym jednak nie koniec. Być może w 2014, a na pewno w 2015 stworzymy konkurencję dla DRAM, a później zastąpimy SRAM - powiedział Williams. O zastąpieniu flasha już zdecydowaliśmy. Teraz pracujemy nad DRAM i sądzimy, że nowe układy będą zużywały na każdy bit o dwa rzędy wielkości mniej energii potrzebnej do przełączania układu - dodał. Opracowana przez HP technologia pozwala na umieszczenie układu pamięci bezpośrednio na procesorze. Dzięki temu dane w ogóle nie opuszczają układu scalonego. To oznacza, że otrzymujemy poprawę szybkości działania odpowiadającą 20 latom obowiązywania Prawa Moore'a - stwierdził Williams. Dodał przy tym, że możliwe jest umieszczanie dowolnej liczby warstw podzespołów o grubości 5 nanometrów każda. W jednej takiej warstwie może znaleźć się nawet 500 miliardów memrystorów. Przedstawiciel HP zapowiada wielkie zmiany na rynku. Jesteśmy największym na świecie kupcem pamięci DRAM i drugim co do wielkości nabywcą układów flash. Chcemy całkowicie przeorganizować nasz łańcuch dostaw. Mamy zamiar licencjonować naszą technologię każdemu chętnemu. Jednak trzeba będzie poczekać w kolejce. Bardzo wiele osób jest tym zainteresowanych. Zdecydowaliśmy się na taki krok, gdyż, szczerze mówiąc, nie widzimy zbyt wielu innowacji na tym rynku - zapowiedział. Memrystor zwany jest inaczej opornikiem pamięci. Zapamiętuje on skąd i ile informacji przepływa, sam usprawnia swoje działanie tak, by przepływ był jak najbardziej wydajny. Potrafi też zmieniać oporność w zależności od wartości i kierunku przyłożonego napięcia. Zapamiętuje również oporność po odłączeniu zasilania. Dzięki tym właściwościom pojedynczy memrystor może działać jak wiele (od 7 do 12) tranzystorów, pozwoli też na skonstruowanie mniejszej, tańszej, szybszej i bardziej energooszczędnej pamięci flash. Niewykluczone, że memrystory pozwolą również na zrewolucjonizowanie rynku układów FPGA - czyli programowalnych układów scalonych, które na bieżąco można dostosowywać do zadań, które mają wykonać. FPGA są niezwykle drogie, duże i powolne. Być może dzięki memrystorom pozbędziemy się ich wad, a zachowamy zalety. Jakby jeszcze tego było mało badacze z HP stwierdzili, że memrystory są bardziej przydatne niż przypuszczano. Okazało się bowiem, że są one w stanie nie tylko zapamiętywać dane, ale również przeprowadzać obliczenia. To z kolei oznacza, że zamiast budować osobne procesory możliwe będzie wykonywanie obliczeń przez same kości pamięci.

TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) i Nvidia ogłosiły, że powstały już pierwsze w pełni działające próbki procesora graficznego z wbudowaną pamięcią DRAM. Szczegółów GPU nie ujawniono, jednak sam fakt jego wyprodukowania wskazuje na rosnące zainteresowanie technologią eDRAM. Z oświadczenia obu firm wiadomo jedynie, że pamięć została wykonana w technologii 65 nanometrów. Technologia eDRAM pozwala na upakowanie w kości większej ilości pamięci, niż stosowana powszechnie SRAM. Idzie za tym możliwość wykonania większej liczby operacji w tym samym czasie czy dodanie do kości dodatkowych funkcji. Pojedyncza komórka pamięci eDRAM produkowana przez TSMC jest czterokrotnie mniejsza niż komórka SRAM. Nvidia od stycznia szuka specjalistów, którzy potrafią zaprojektować pamięci eDRAM dla procesorów graficznych. Obecnie nie wiadomo, kiedy GPU z tego typu pamięcią trafią na rynek.

Firma United Microelectronics Corp. (UMC), jeden z największych producentów półprzewodników, poinformowała o wyprodukowaniu układu SRAM w technologii 45 nanometrów. Nie wiadomo jednak, kiedy produkcja tego typu kości ruszy na pełną skalę. Stworzenie działającego układu SRAM jest pierwszym krokiem do zaproponowania partnerom handlowym produkcji ich układów w takiej technologii. W porównaniu z technologią 65 nanometrów 45-nanometrowe układy charakteryzują się o 50 procent mniejszą komórką oraz o 30% większą wydajnością układu. Intel już pod koniec stycznia bieżącego roku stworzył 45-nanometrowy SRAM i zapowiedział, że w trzecim lub czwartym kwartale 2007 roku rozpocznie sprzedaż własnych kości stworzonych w tym procesie technologicznym.