Znajdź zawartość

Samsung rozpoczął produkcję zmiennofazowych pamięci RAM (PRAM). Układy o pojemności 512 megabitów przeznaczone są dla telefonów komórkowych i innych niewielkich urządzeń zasilanych bateriami. Jeśli Samsungowi szybko uda się wdrożyć produkcję na dużą skalę, to wyprzedzi na rynku firmę Numonyx, wspólne przedsięwzięcie Intela i STMicroelectronics. Zmiennofazowe układy RAM (PRAM - phase-change random access memory) to pamięci nieulotne, co oznacza, że przechowywane w nich informacje nie zostają utracone po odłączeniu zasilania. Pojedyncza komórka pamięci PRAM zbudowana jest z diod i trójwymiarowej struktury tranzystorów. Samsung informuje też, że pojedyncza komórka pamięci PRAM ma powierzchnię jedynie 0,0467 mikrometra kwadratowego, a więc jest obecnie najmniejszą powierzchnią zdolną do przechowywania informacji, w której sąsiadujące ze sobą komórki nie zakłócają się wzajemnie. Dodatkową zaletą PRAM jest fakt, że przeciwieństwie do używanych obecnie układów flash, stare dane nie muszą zostać najpierw wykasowane, by można było zapisać nowe informacje. Samo kasowanie odbywa się też znacznie szybciej. Nowy układ usuwa informacje ponad 10-krotnie szybciej niż kości NOR flash, a 5-megabitowe bloki danych są usuwane i ponownie zapisywane w czasie 7-krotnie krótszym. Koreańska firma obiecuje, że dzięki wykorzystaniu PRAM urządzenia zasilane bateriami będą pracowały o 20% dłużej. Układy zostaną stworzone w 60-nanometrowym procesie produkcyjnym. Ich cena nie jest znana.

W czerwcu Samsung Electronics rozpocznie masową produkcję pamięci PRAM (phase change RAM). Układy PRAM to zmiennofazowe kości RAM. Wykorzystują one materiały, które zmieniają swoją strukturę pomiędzy krystaliczna a amorficzną. Obszary krystaliczne reprezentują "1", a amorficzne "0". Pamięci PRAM są układami nieulotnymi, a więc umożliwiają przechowywanie danych po odłączeniu napięcia. Ponadto, jako że aby zapisać w nich dane nie trzeba kasować starych informacji, pracują 30-krotnie szybciej niż standardowe pamięci flash. Są przy tym prostsze w produkcji niż flash i 10-krotnie bardziej trwałe od tego typu układów.

Justin Rattner, główny technolog Intela, ma dokonać w bieżącym tygodniu pierwszej publicznej demonstracji działania intelowskich pamięci zmiennofazowych (PRAM – phase-change RAM). Pokaz będzie miał miejsce podczas odbywającego się właśnie Intel Developer Forum (IDF). Układy PRAM mogą zastąpić nie tylko kości flash, ale i DRAM. Pamięci zmiennofazowe to pamięci nieultone, co znaczy, że po wyłączeniu zasilania zawartość nie jest tracona. Działają więc podobnie jak flash, jednak mają nad tymi kośćmi taką przewagę, że pracują znacznie szybciej. Ich tempo odczytu i zapisu danych dorównuja układom DRAM. PRAM do zapisu danych wykorzystuje szkło chalkogenowe (zawierające tlenowce, a więc siarkę, tlen, tellur, selen lub polon). Szkło takie, pod wpływem temperatury, zmienia swoją strukturę pomiędzy krystaliczną a amorficzną. Oba stany odznaczają się różną opornością elektryczną, reprezentują więc wartości 0 i 1 potrzebne do zapisania danych. Dodatkową przewagą PRAM nad flash jest fakt, że układy flash działają wyłapując elektrony i "więżąc” je w komórce pamięci. Po dłuższym czasie taki elektron zostaje uwięziony na stałe i układ pamięci staje się przez to bezużyteczny. Kości PRAM muszą jeszcze udowodnić swoją przewagę nad DRAM. Jeśli nawet tego dokonają, to DRAM nie zniknie z naszych komputerów i urządzeń elektronicznych. Będą po prostu wykorzystywane w inny sposób niż dotychczas.

Samsung Electronics pokazał nowy typ układów pamięci, które mają działać szybciej od obecnie stosowanych kości flash. Zmiennofazowe układy RAM (PRAM - phase-change random access memory) to pamięci nieulotne, co oznacza, że przechowywane w nich informacje nie zostają utracone po odłączeniu zasilania. Koreańska firma twierdzi, że działają one około 30-krotnie szybciej niż kości flash. Układy PRAM będą o około 50% mniejsze niż kości NOR. Ponadto ich proces produkcyjny składa się z 20% mniej etapów, niż proces, w którym powstają pamięci NOR. Pierwsze moduły PRAM trafią na rynek w 2008 roku. Na razie Samsung zaprezentował prototypowy układ o pojemności 512 megabitów. Pojedyncza komórka pamięci PRAM zbudowana jest z diod i trójwymiarowej struktury tranzystorów. Samsung informuje też, że pojedyncza komórka pamięci PRAM ma powierzchnię jedynie 0,0467 mikrometra kwadratowego, a więc jest obecnie najmniejszą powierzchnią zdolną do przechowywania informacji, w której sąsiadujące ze sobą komórki nie zakłócają się wzajemnie. Dodatkową zaletą PRAM jest fakt, że przeciwieństwie do używanych obecnie układów flash, stare dane nie muszą zostać najpierw wykasowane, by można było zapisać nowe informacje.