Znajdź zawartość

Elpida poinformowała o wyprodukowaniu pierwszego własnego prototypu pamięci ReRAM. Kość wykonano w technologii 50 nanometrów, a jej pojemność wynosi 64 megabity. ReRAM (Resistance Random Access Memory) to pamięć nieulotna zbudowana z materiałów, które zmieniają oporność w odpowiedzi na zmiany napięcia elektrycznego. Największą zaletą ReRAM jest niezwykle szybka praca przy bardzo niskim napięciu. Ma ona obie zalety pamięci DRAM, czyli szybką pracę, oraz pamięci flash, czyli możliwość przechowywania danych po odłączeniu zasilania. Czas zapisu danych na ReRAM wynosi około 10 nanosekund, czym dorównuje układom DRAM, jest za to znacznie bardziej wytrzymała niż flash, gdyż umożliwia dokonanie ponad miliona cykli zapisu/odczytu danych. Przed kilkoma miesiącami informowaliśmy o stworzeniu przez Samsunga prototypowej komórki ReRAM, wytrzymującej bilion cykli zapis/odczyt. Elpida ma nadzieję, że pierwsze przeznaczone do sprzedaży kości ReRAM rozpocznie produkować już w przyszłym roku. Mają być one wykonane w technologii 30 nm, a ich pojemność ma być liczona w gigabitach. ReRAM może stać się konkurentem powszechnie wykorzystywanych układów flash, szczególnie na rynku urządzeń przenośnych, gdzie duże znaczenie ma ilość energii potrzebnej do obsługi pamięci.

Elpida Memory, jeden z największych na świecie producentów układów pamięci, informuje o stworzeniu 30-nanometrowego procesu produkcyjnego dla 4-gigabitowych kości DDR3 Mobile RAM (LPDDR3). Dzięki niemu tego typu układy będą mogły przesyłać dane z maksymalną prędkością 6,4 Gbps. Nowe kości będą pracowały przy napięciu 1,2 wolta. W porównaniu z układami LPDDR2 będą używały niemal 25% energii mniej, co pozwoli na wydłużenie czasu pracy urządzeń mobilnych. Nowe kości Elpidy trafią do producentów urządzeń jeszcze w bieżącym roku. Jeśli będą oni zainteresowani ich wykorzystywaniem, w drugiej połowie bieżącego roku Elpida rozpocznie produkcję na szerszą skalę. Firma nie wyklucza też produkcji 8- i 16-gigabitowych układów.

Elpida i Rambus ogłosiły powstanie najbardziej wydajnych układów pamięci DRAM na świecie. Kości XDR pracują z częstotliwością 4,8 gigaherca i zapewniają transfer danych rzędu 9,6 gigabita na sekundę. Tak szybkie układy przydadzą się w urządzeniach HDTV, konsolach do gier, stacjach roboczych czy serwerach. W tej chwili Elpida udostępniła układy o pojemności 512 megabajtów. Wyprodukowano je w technologii 70 nanometrów. Kości wykorzystują kilka technologii Rambusa, takich jak DRSL (DIfferential Rambus Signaling Level), która minimalizuje zakłócenia sygnału, czy ODR (Octal Data Rate), umożliwiająca przesyłanie 8 bitów danych w jednym cyklu zegara. Dzięki temu układ taktowany zegarem o częstotliwości 600 MHz pracuje z częstotliwością 4,8 GHz. Wydajność najnowszych kości Elpidy jest sześciokrotnie wyższa niż standardowych układów DDR2-800.

Kolejny menedżer Samsunga powędruje do więzienia w związku z oskarżeniami o konspirację w celu ustalania cen na układy DRAM. Young Hwan Park, były wiceprezes ds. sprzedaży w Samsungu został uznany winnym zarzucanych mu czynów i skazany na 10 miesięcy więzienia oraz 250 tysięcy dolarów grzywny. Park to piąty przedstawiciel kierownictwa koreańskiej firmy, który więzieniem zapłaci za złamanie liczącej ponad 100 lat Ustawie Shermana. Amerykański Departament Sprawiedliwości od trzech lat prowadzi śledztwo w sprawie ustalania cen na rynku pamięci DRAM. Urząd oskarżył do tej pory czterech producentów (Samsung, Hynix, Elpida, Infineon) oraz 18 osób. W listopadzie 2005 roku do przestępstwa przyznał się Samsung, największy producent DRAM na świecie, i został skazany na 300 milionów USD grzywny. Hynix, drugi pod względem wielkości produkcji, został skazany w maju 2005 na grzywnę w wysokości 185 milionów dolarów. Elpida zapłaciła w styczniu tego samego roku 84 miliony dolarów. Najwcześniej do popełnienia przestępstwa przyznał się niemiecki Infineon. W październiku 2004 sąd wymierzył firmie karę w wysokości 160 milionów USD.

Amerykański Departament Sprawiedliwości (DoJ) wezwał przedstawicieli AMD i Nvidii przed sąd. Będą oni świadkami w toczącym się śledztwie dotyczącym możliwych naruszeń prawa antymonopolowego na rynku kart i procesorów graficznych. Obie firmy podkreślają, że nie są o nic oskarżone i wyrażają chęć współpracy z wymiarem sprawiedliwości. Departament nie ujawnia, czego dotyczy śledztwo, ale jeden z analityków przypuszcza, że może chodzić o nielegalne ustalanie cen produktów. W ciągu ostatnich kilkunastu miesięcy DoJ ukarał wysokimi grzywnami kilka czołowych firm (Samsunga, Hyniksa, Infineona i Elpidę), które ustalały ceny pamięci DRAM, a obecnie prowadzi podobne śledztwo przeciwko producentom układów SRAM.