Pamięć do 1000 razy szybsza

[KopalniaWiedzy.pl 314]

Profesor Aaron Lindenberg stoi na czele 19-osobowego zespołu naukowego ze SLAC National Accelerator Laboratory, z którego badań wynika, że opracowywana właśnie technologia bazująca na nowej klasie półprzewodników pozwoli na skonstruowanie układów pamięci pracujących nawet 1000-krotnie szybciej niż obecne. Tysiąckrotne zwiększenie prędkości w połączeniu z niskim zużyciem energii wkazuje drogę dla przyszłych pokoleń pamięci, które przewyższą wszystko, czym dysponujemy dotychczas - stwierdził Lindenberg.

Naukowcy skupili się na materiałach zmiennofazowych, czyli takich, które mogą zmieniać swoją strukturę z uporządkowanej krystalicznej pozwalającej na przepływ elektronów na nieuporządkowaną amorficzną, blokującą elektrony. Grupa Lindenberga opracowała technologię pozwalającą na wielokrotną błyskawiczną zmianę pomiędzy oboma stanami. Do przełączania posłużyły krótkie impulsy cieplne generowane elektronicznie bądź optycznie. Materiały zmiennofazowe są bardzo atrakcyjne dla producentów pamięci, gdyż utrzymują swoją fazę do czasu, aż nie dostarczymy im energii. Można więc budować z nich pamięci nieulotne, które zachowują dane po odłączeniu zasilania. Jednak przechowywanie danych to tylko jedna z pożądanych cech. Drugą jest szybkość pracy. Nikt wcześniej nie badał zachodzących tam procesów w tak krótkich skalach czasowych - mówi Lindenberg.

Grupa Lindenberga skupiła się na niezwykle krótkim okresie, w którym struktura amorficzna staje się krystaliczną, czyli gdy "0" przeistacza się w "1". Przez bardzo krótką chwilę elektrony są w stanie przepływać przez strukturę amorficzną. Stan taki naukowcy nazwali "amorphous-on". Skomplikowana infrastruktura badawcza pozwoliła im stwierdzić, że po wysłaniu impulsu faza "amorphous-on" pojawia się już w czasie krótszym niż 1 pikosekunda. Okazuje się zatem, że z materiałów zmiennofazowych można budować układy pamięci, które będą działały wielokrotnie szybciej od obecnych. Mimo, że naukowcy nie badali, ile czasu zajmuje pełne przejście od fazy amorficznej do krystalicznej i z powrotem, uzyskane przez nich wyniki sugerują, iż w przyszłości możliwe jest zbudowanie superszybkich układów pamięci. Myślę, że wykazaliśmy, iż materiały zmiennofazowe zasługują na uwagę - stwierdził Lindenberg.

« powrót do artykułu

[pogo 102]

Jeszcze pytanie o rozmiary i gęstość takiej pamięci

[thikim 117]

Lubię ten marketing, 1000 razy szybciej niż obecne. Ale co? Dyski twarde? Żartowałem - nie lubię.

Obecnie jest masa rozwiązań o dużej rozpiętości szybkości. Można otrzymać naprawdę różne liczby w zależności od tego do czego porównamy szybkość.

Może porównywano szybkość do tego:

https://pl.wikipedia.org/wiki/SDR_SDRAM

Edytowane 9 sierpnia 2016 przez thikim

[pogo 102]

No fakt. HDD, flash, RAM, cache (w samym procesorze są 3 prędkości cachu), stos procesora... Ciekawe do czego porównywali.

 

Edycja:

Jak dobrze rozumiem źródło, to porównują się do flash, ale RAM też niby wyprzedzają.

 

http://news.stanford.edu/2016/08/08/memory-chips-1000-times-faster/

Showing that phase-change materials can be transformed from zero to one by a picosecond excitation suggests that this emerging technology could store data many times faster than silicon RAM for tasks that require memory and processors to work together to perform computations.

Edytowane 9 sierpnia 2016 przez pogo

[thikim 117]

Coś czuję że za 5 lat będzie okazja podbić ten temat i zapytać: gdzie to można kupić

PS. Jak czytam początek oryginału to chodzi chyba o szybkość względem flash

Edytowane 9 sierpnia 2016 przez thikim

[pogo 102]

Zastanawiam się jak dużą firmą trzeba być aby zmusić innych producentów do dopasowania się do nowego produktu.

Wypuścić kość zastępująca RAM, która kompletnie nie jest kompatybilna z obecnymi chpsetami to nie problem... tylko kto to kupi?

Naprodukować stos tego za niewielkie pieniądze i proponować sprzedaż za pół ceny kości RAM, gdy nie ma gdzie tego włożyć?

 

Chyba trzeba firmy pokroju HP lub IBM, która zbuduje na tym jakiś superkomputer. A może łatwiej to włożyć w kartę graficzną?

[thikim 117]

Jedyne co trzeba to wielki transparent reklamowy: kupcie nas, zatrudnijcie nas.

Mimo początku (autor oryginału takim literatem jest), faktycznie dalej piszą o pikosekundowych przełączeniach a więc jednak porównanie do RAM.

Tylko po co na początku ta cała narracja sugerująca złożenie szybkości RAM z nieulotnością flash?

Edytowane 9 sierpnia 2016 przez thikim

[HorochovPL 4]

 

 

Wypuścić kość zastępująca RAM, która kompletnie nie jest kompatybilna z obecnymi chpsetami

A coś typu SSD z własnym sterownikiem, na PCI x16? Taki lepszy Intel 7xx series

Zaleta - Nie trzeba RAIDować jak SSDki w celu uzyskania dużych prędkości,

Pytania - Jaka cena? Kiedy przepustowość magistrali PCI stanie się dla tego ograniczeniem? Ile cyklów zapisu/odczytu przeżyje?

[thikim 117]

Jeżeli tam jest mowa o pikosekundach to PCI x16 już jest ograniczeniem.

Pamięć 1000 krotnie szybsza niż RAM oznacza pamięć szybszą nawet od cache wbudowanego w procesor.

[pogo 102]

Jeśli dobrze zrozumiałem oryginał, to jest 1000 razy szybsza od flash, co sprawia, że jest szybsza nawet od RAM, ale nie podano o ile.

Pikosekundy to tylko czas przełączania, jeszcze jest czas odczytu itp.

[thikim 117]

 

 

A coś typu SSD z własnym sterownikiem, na PCI x16?

Trzeba by jeszcze uściślić co to jesgt PCI x16?

Czy to jest PCI-E 3.0x16 co założyłem czy też ma to być PCI-E 16.0 (nie istniejące na razie) ale o przepływności rzędu Tb/s?

 

Now Stanford-led research shows that an emerging memory technology, based on a new class of semiconductor materials, could deliver the best of both worlds, storing data permanently while allowing certain operations to occur up to a thousand times faster than today’s memory devices. The new approach may also be more energy efficient.

Tysiąc razy szybciej niż dzisiejsze pamięci.

Memory devices to może być cokolwiek. Wcześniej oczywiście jest że to dostarczy zalet RAM i flashu co sugeruje nieulotność flash i szybkość RAM.

Mgliste to trochę,