Jump to content
Forum Kopalni Wiedzy
Sign in to follow this  
KopalniaWiedzy.pl

Nowe pamięci dla urządzeń przenośnych

Recommended Posts

Elpida Memory, jeden z największych na świecie producentów układów pamięci, informuje o stworzeniu 30-nanometrowego procesu produkcyjnego dla 4-gigabitowych kości DDR3 Mobile RAM (LPDDR3). Dzięki niemu tego typu układy będą mogły przesyłać dane z maksymalną prędkością 6,4 Gbps. Nowe kości będą pracowały przy napięciu 1,2 wolta.

W porównaniu z układami LPDDR2 będą używały niemal 25% energii mniej, co pozwoli na wydłużenie czasu pracy urządzeń mobilnych.

Nowe kości Elpidy trafią do producentów urządzeń jeszcze w bieżącym roku. Jeśli będą oni zainteresowani ich wykorzystywaniem, w drugiej połowie bieżącego roku Elpida rozpocznie produkcję na szerszą skalę. Firma nie wyklucza też produkcji 8- i 16-gigabitowych układów.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Wygląda na to, że niedługo w kieszeni będziemy nosili urządzenia nie ustępujące laptopom i blaszakom .... i to nie koniecznie tym najsłabszym. Już czekam na informacje o pierwszym superkomputerze na procesorach w architekturze ARM, teraz energooszczędne pamięci przyspieszają. Muszę się w końcu przemóc i zacząć programować wielowątkowość.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now
Sign in to follow this  

  • Similar Content

    • By KopalniaWiedzy.pl
      Elpida poinformowała o wyprodukowaniu pierwszego własnego prototypu pamięci ReRAM. Kość wykonano w technologii 50 nanometrów, a jej pojemność wynosi 64 megabity.
      ReRAM (Resistance Random Access Memory) to pamięć nieulotna zbudowana z materiałów, które zmieniają oporność w odpowiedzi na zmiany napięcia elektrycznego. Największą zaletą ReRAM jest niezwykle szybka praca przy bardzo niskim napięciu. Ma ona obie zalety pamięci DRAM, czyli szybką pracę, oraz pamięci flash, czyli możliwość przechowywania danych po odłączeniu zasilania. Czas zapisu danych na ReRAM wynosi około 10 nanosekund, czym dorównuje układom DRAM, jest za to znacznie bardziej wytrzymała niż flash, gdyż umożliwia dokonanie ponad miliona cykli zapisu/odczytu danych. Przed kilkoma miesiącami informowaliśmy o stworzeniu przez Samsunga prototypowej komórki ReRAM, wytrzymującej bilion cykli zapis/odczyt.
      Elpida ma nadzieję, że pierwsze przeznaczone do sprzedaży kości ReRAM rozpocznie produkować już w przyszłym roku. Mają być one wykonane w technologii 30 nm, a ich pojemność ma być liczona w gigabitach. ReRAM może stać się konkurentem powszechnie wykorzystywanych układów flash, szczególnie na rynku urządzeń przenośnych, gdzie duże znaczenie ma ilość energii potrzebnej do obsługi pamięci.
    • By KopalniaWiedzy.pl
      Intel ujawnił szczegóły platformy Medfield oznajmiając jednocześnie, że podpisał już umowy z Lenovo i Motorolą na jej wykorzystanie. Główną część Medfielda stanowi 32-nanometrowy układ typu SoC (system-on-chip) Penwell. Platforma bazuje na architekturze Atom i korzysta z jednordzeniowego procesora Saltwell. Jak zapewnia Intel, maksymalny pobór mocy Penwella wynosi pomiędzy 750 a 800 miliwatów.
      Mike Bell, odpowiedzialny w Intelu za Mobile Wireless Group, zapewnił, że układ jest bardziej wydajny przy tym samym poborze mocy od kości konkurencji, a w pewnych zastosowaniach może również charakteryzować się większą wydajnością również przy niższym apetycie na energię.
      Oprócz procesora Saltwell w skład platformy wchodzą m.in. 512 kilobajtów pamięci cache drugiego poziomu, procesor graficzny SGX540 radzący sobie zarówno z dwu- jak i trójwymiarową grafiką, układy do obróbki wideo HD czy osobny procesor sygnałowy.
      Medfield została wyposażona też w mechanizm dynamicznego regulowania częstotliwości zegara, co pozwala na zaoszczędzenie energii.
      Dotychczas przenośne układy Intela były krytykowane za duży, w porównaniu z konkurencją, pobór mocy. Tym razem został on prawdopodobnie obniżony. Przy częstotliwości zegara 1,6 GHz wynosi on nie więcej niż 800 mW. Jako, że częstotliwość jest dynamicznie zmieniana, zmianie ulega też pobór mocy. Przy 1,3GHz wynosi on około 500 mW, a przy 100 MHz spada do około 50 mW.
      Platforma obsługuje dwa aparaty cyfrowe. jeden o rozdzielczości od 8 do 24 megapikseli, a drugi o rozdzielczości 2 megapikseli. Ponadto umożliwia wykonanie serii do 10 zdjęć o rozdzielczości 8 Mpix z prędkością 15 klatek na sekundę.
      Kolejnym z układów scalonych wchodzących w skład Medfield jest kość odpowiedzialna za zarządzanie energią, w którą wbudowano też obsługę dźwięku oraz kontroler USB. W osobnym układzie umieszczono modem HSPA+, a kolejny łączy w sobie Wi-Fi, Bluetooth, GPS i radio.
      Intel twierdzi, że na pojedynczym ładowaniu nowa platforma zapewnia 15-dniowy czas czuwania, 7 godzin rozmów telefonicznych lub przeglądania internetu lub 8 godzin oglądania filmów o rozdzielczości 720p .
      Koncern już zapowiedział następców Medfield. W przyszłym roku ma zadebiutowować 22-nanometrowy Silvermont SoC, a w 2014 pojawi się Airmont wykonany w technologii 14 nanometrów.
    • By KopalniaWiedzy.pl
      Już w 2013 roku do sklepów mają trafić pierwsze chipy zbudowane na memrystorach. Zastąpią one układy flash i wyznaczą początek rewolucji na rynku układów pamięci.
      Stan Williams z HP, współtwórca memrystora, występując podczas International Electronic Forum 2011 stwierdził, że w ciągu 18 miesięcy jego firma rozpocznie sprzedaż kości, które zastąpią flash. Na tym jednak nie koniec.
      Być może w 2014, a na pewno w 2015 stworzymy konkurencję dla DRAM, a później zastąpimy SRAM - powiedział Williams.
      O zastąpieniu flasha już zdecydowaliśmy. Teraz pracujemy nad DRAM i sądzimy, że nowe układy będą zużywały na każdy bit o dwa rzędy wielkości mniej energii potrzebnej do przełączania układu - dodał. Opracowana przez HP technologia pozwala na umieszczenie układu pamięci bezpośrednio na procesorze. Dzięki temu dane w ogóle nie opuszczają układu scalonego. To oznacza, że otrzymujemy poprawę szybkości działania odpowiadającą 20 latom obowiązywania Prawa Moore'a - stwierdził Williams. Dodał przy tym, że możliwe jest umieszczanie dowolnej liczby warstw podzespołów o grubości 5 nanometrów każda. W jednej takiej warstwie może znaleźć się nawet 500 miliardów memrystorów.
      Przedstawiciel HP zapowiada wielkie zmiany na rynku. Jesteśmy największym na świecie kupcem pamięci DRAM i drugim co do wielkości nabywcą układów flash. Chcemy całkowicie przeorganizować nasz łańcuch dostaw. Mamy zamiar licencjonować naszą technologię każdemu chętnemu. Jednak trzeba będzie poczekać w kolejce. Bardzo wiele osób jest tym zainteresowanych. Zdecydowaliśmy się na taki krok, gdyż, szczerze mówiąc, nie widzimy zbyt wielu innowacji na tym rynku - zapowiedział.
      Memrystor zwany jest inaczej opornikiem pamięci. Zapamiętuje on skąd i ile informacji przepływa, sam usprawnia swoje działanie tak, by przepływ był jak najbardziej wydajny. Potrafi też zmieniać oporność w zależności od wartości  i kierunku przyłożonego napięcia. Zapamiętuje również oporność po odłączeniu zasilania. Dzięki tym właściwościom pojedynczy memrystor może działać jak wiele (od 7 do 12) tranzystorów, pozwoli też na skonstruowanie mniejszej, tańszej, szybszej i bardziej energooszczędnej pamięci flash. Niewykluczone, że memrystory pozwolą również na zrewolucjonizowanie rynku układów FPGA - czyli programowalnych układów scalonych, które na bieżąco można dostosowywać do zadań, które mają wykonać. FPGA są niezwykle drogie, duże i powolne. Być może dzięki memrystorom pozbędziemy się ich wad, a zachowamy zalety.
      Jakby jeszcze tego było mało  badacze z HP stwierdzili, że memrystory są bardziej przydatne niż przypuszczano. Okazało się bowiem, że są one w stanie nie tylko zapamiętywać dane, ale również przeprowadzać obliczenia. To z kolei oznacza, że zamiast budować osobne procesory możliwe będzie wykonywanie obliczeń przez same kości pamięci.
    • By KopalniaWiedzy.pl
      Na Purdue University powstaje nowy rodzaj układów pamięci, które mają być szybsze od obecnie istniejących rozwiązań, a jednocześnie zużywać znacznie mniej energii niż kości flash. Pamięci łączą krzemowe nanokable z polimerem „ferroelektrycznym", który zmienia polaryzację pod wpływem pola elektrycznego.
      Nowa technologia jest dopiero w powijakach, przyznaje doktorant Saptarshi Das, który pracuje pod kierunkiem profesora Joerga Appenzellera. Nazwano ją FeTRAM (ferroelectric transistor random access memory) - pamięć o swobodnym dostępie z tranzystorem ferroelektrycznym.
      FeTRAM to pamięć nieulotna, a więc jej zawartość nie zostaje utracona po odłączeniu zasilania. Układy FeTRAM mogą zużywać nawet 100-krotnie mniej energii niż kości flash. Jednak, jak zauważa Das, obecnie zużywają więcej niż teoretyczne minimum, gdyż znajdują się w początkowych fazach rozwoju.
      FeTRAM spełnia wszystkie wymagania stawiane przed nośnikami pamięci. Pozwala na wielokrotny zapis i odczyt, zużywa mało energii, umożliwia upakowanie dużej ilości kości na małej przestrzeni i jest kompatybilna z technologią CMOS, co oznacza, że wdrożenie jej do produkcji nie powinno nastręczać większych trudności.
      FeTRAM jest podobna do wykorzystywanej komercyjnie na niewielką skalę technologii FeRAM. Obie używają materiałów ferroelektrycznych, jednak w FeRAM zastosowano ferroelektryczne kondensatory, co powoduje, że odczyt zapisanych danych wiąże się z ich usunięciem z układu pamięci. W przypadku FeTRAM, dzięki tranzystorom, te same dane można odczytywać wielokrotnie.
    • By KopalniaWiedzy.pl
      Samsung uruchomił największą na świecie fabrykę układów pamięci. Rozpoczęto w niej produkcję kości DDR3 DRAM z wykorzystaniem 20-nanometrowej technologii.
      Zakład Line-16 znajduje się w Nano City Complex w Hwaseong.
      Budowa fabryki rozpoczęła się w maju ubiegłego roku. Po roku została zakończona i rozpoczęto instalowanie wyposażenia. Całkowita wartość inwestycji wyniosła ponad 10,3 miliarda dolarów. Line-16 zajmuje 12-piętrowy budynek i jest największą oraz najbardziej zaawansowaną technologicznie fabryką pamięci. Jej powierzchnia wynosi 198 000 metrów kwadratowych.
      Miesięcznie z jej linii produkcyjnych będzie zjeżdżało 10 000 trzystamilimetrowych plastrów krzemowych.
×
×
  • Create New...