Skocz do zawartości
Forum Kopalni Wiedzy

Znajdź zawartość

Wyświetlanie wyników dla tagów 'phase-change RAM' .



Więcej opcji wyszukiwania

  • Wyszukaj za pomocą tagów

    Wpisz tagi, oddzielając je przecinkami.
  • Wyszukaj przy użyciu nazwy użytkownika

Typ zawartości


Forum

  • Nasza społeczność
    • Sprawy administracyjne i inne
    • Luźne gatki
  • Komentarze do wiadomości
    • Medycyna
    • Technologia
    • Psychologia
    • Zdrowie i uroda
    • Bezpieczeństwo IT
    • Nauki przyrodnicze
    • Astronomia i fizyka
    • Humanistyka
    • Ciekawostki
  • Artykuły
    • Artykuły
  • Inne
    • Wywiady
    • Książki

Szukaj wyników w...

Znajdź wyniki, które zawierają...


Data utworzenia

  • Od tej daty

    Do tej daty


Ostatnia aktualizacja

  • Od tej daty

    Do tej daty


Filtruj po ilości...

Dołączył

  • Od tej daty

    Do tej daty


Grupa podstawowa


Adres URL


Skype


ICQ


Jabber


MSN


AIM


Yahoo


Lokalizacja


Zainteresowania

Znaleziono 1 wynik

  1. Samsung rozpoczął produkcję zmiennofazowych pamięci RAM (PRAM). Układy o pojemności 512 megabitów przeznaczone są dla telefonów komórkowych i innych niewielkich urządzeń zasilanych bateriami. Jeśli Samsungowi szybko uda się wdrożyć produkcję na dużą skalę, to wyprzedzi na rynku firmę Numonyx, wspólne przedsięwzięcie Intela i STMicroelectronics. Zmiennofazowe układy RAM (PRAM - phase-change random access memory) to pamięci nieulotne, co oznacza, że przechowywane w nich informacje nie zostają utracone po odłączeniu zasilania. Pojedyncza komórka pamięci PRAM zbudowana jest z diod i trójwymiarowej struktury tranzystorów. Samsung informuje też, że pojedyncza komórka pamięci PRAM ma powierzchnię jedynie 0,0467 mikrometra kwadratowego, a więc jest obecnie najmniejszą powierzchnią zdolną do przechowywania informacji, w której sąsiadujące ze sobą komórki nie zakłócają się wzajemnie. Dodatkową zaletą PRAM jest fakt, że przeciwieństwie do używanych obecnie układów flash, stare dane nie muszą zostać najpierw wykasowane, by można było zapisać nowe informacje. Samo kasowanie odbywa się też znacznie szybciej. Nowy układ usuwa informacje ponad 10-krotnie szybciej niż kości NOR flash, a 5-megabitowe bloki danych są usuwane i ponownie zapisywane w czasie 7-krotnie krótszym. Koreańska firma obiecuje, że dzięki wykorzystaniu PRAM urządzenia zasilane bateriami będą pracowały o 20% dłużej. Układy zostaną stworzone w 60-nanometrowym procesie produkcyjnym. Ich cena nie jest znana.
×
×
  • Dodaj nową pozycję...