Skocz do zawartości
Forum Kopalni Wiedzy

Znajdź zawartość

Wyświetlanie wyników dla tagów 'pamięci flash' .



Więcej opcji wyszukiwania

  • Wyszukaj za pomocą tagów

    Wpisz tagi, oddzielając je przecinkami.
  • Wyszukaj przy użyciu nazwy użytkownika

Typ zawartości


Forum

  • Nasza społeczność
    • Sprawy administracyjne i inne
    • Luźne gatki
  • Komentarze do wiadomości
    • Medycyna
    • Technologia
    • Psychologia
    • Zdrowie i uroda
    • Bezpieczeństwo IT
    • Nauki przyrodnicze
    • Astronomia i fizyka
    • Humanistyka
    • Ciekawostki
  • Artykuły
    • Artykuły
  • Inne
    • Wywiady
    • Książki

Szukaj wyników w...

Znajdź wyniki, które zawierają...


Data utworzenia

  • Od tej daty

    Do tej daty


Ostatnia aktualizacja

  • Od tej daty

    Do tej daty


Filtruj po ilości...

Dołączył

  • Od tej daty

    Do tej daty


Grupa podstawowa


Adres URL


Skype


ICQ


Jabber


MSN


AIM


Yahoo


Lokalizacja


Zainteresowania

Znaleziono 1 wynik

  1. Podczas International Solid State Circuits Conference San Disk zaprezentował wyjątkowo gęste pamięci flash. Firma w pojedynczej komórce upakowała cztery bity, podczas gdy w obecnie wykorzystywanych kościach znajdują się 1-2 bitów. W pamięciach flash dane przechowywane są w postaci ładunku elektrycznego w tranzystorach. Tym samym podlegają one prawu Moore'a dotyczącemu wielkości tranzystorów i ich upakowania. Specjaliści pracujący nad flashem nie muszą jednak czekać na zmniejszenie tranzystorów, by upakować więcej danych. Opracowali oni technologię komórek wielopoziomowych (MLC - multi-level cells), dzięki którym w jednym tranzystorze można przechować więcej niż jeden bit informacji. W starszej technologii SLC (single-level cells) informacja przechowywana jest w postaci dwóch różnych stanów, czyli dwóch różnych wartości napięcia. Z kolei czterobitowa komórka MLC przechowuje 16 różnych stanów. Największym wyzwaniem jest tutaj upewnienie się, że każda z komórek przechowuje właściwe wartości napięcia i nie wpływa na sąsiednie komórki. Drugie problem to zapewnienie odpowiedniej szybkości pracy. Konieczne okazało się opracowanie nowych algorytmów dla kontrolera pamięci. Ponadto część tranzystorów w układzie zatrudniono do kontrolowania tranzystorów przechowujących dane. Zwykle do zapisu danych w komórce wystarcza pojedyncze przyłożenie napięcia, jednak w wypadku kości X4 Flash (tak San Disk nazwał swoje układy) sposób taki się nie sprawdza, ponieważ czterobitowe komórki są zbyt małe i zbyt blisko siebie. Zapis do jednej komórki może wykasować dane w innej. Zastosowano więc metodę o nazwie "programowanie w trzech krokach". Najpierw w komórce, w której mają być zapisane informacje, programuje się 3 z 16 stanów. Później w dwóch sąsiadujących komórkach programowanych jest 15 i 3 stany, a następnie komórka docelowa programowana jest po raz drugi. Taka metoda jest jednak wolniejsza od tradycyjnych sposobów zapisu danych, dlatego też ich zapis odbywa się z prędkością 62,4 megabita na sekundę. SanDisk zapowiedział, że jeszcze w bieżącym półroczu rozpocznie produkcję 64-gigabitowych kości w technologii 43 nanometrów.
×
×
  • Dodaj nową pozycję...