Jump to content
Forum Kopalni Wiedzy

Search the Community

Showing results for tags 'pamięć magnetorezystywna'.



More search options

  • Search By Tags

    Type tags separated by commas.
  • Search By Author

Content Type


Forums

  • Nasza społeczność
    • Sprawy administracyjne i inne
    • Luźne gatki
  • Komentarze do wiadomości
    • Medycyna
    • Technologia
    • Psychologia
    • Zdrowie i uroda
    • Bezpieczeństwo IT
    • Nauki przyrodnicze
    • Astronomia i fizyka
    • Humanistyka
    • Ciekawostki
  • Artykuły
    • Artykuły
  • Inne
    • Wywiady
    • Książki

Find results in...

Find results that contain...


Date Created

  • Start

    End


Last Updated

  • Start

    End


Filter by number of...

Joined

  • Start

    End


Group


Adres URL


Skype


ICQ


Jabber


MSN


AIM


Yahoo


Lokalizacja


Zainteresowania

Found 1 result

  1. Japończycy z Narodowego Insytutu Zaawansowanych Nauk Przemysłowych i Technologii (AIST) opracowali nowy element do magnetorezystancji tunelowej (TMR). Tego typu podzespoły są niezbędne do zwiększenia pojemności pamięci magnetorezystywnych (MRAM). Szczegóły budowy nowego TMR poznamy podczas rozpoczętej właśnie 11th Joint MMM-Intermag Conference. Element pozwoli na zwiększenie pojemności MRAM powyżej 10 gigabitów. Jednym z głównych problemów, z jakim spotykają się naukowcy badający pamięci magnetorezystywne jest fakt,że wraz ze zmniejszaniem TMR prąd zapisujący dane wpływa destabilizująco na ich przechowywanie. Prowadzi on bowiem do zmiany kierunku namagnesowania wolnej warstwy TMR i, często, utraty danych. Można temu zaradzić zwiększając grubość wolnej warstwy, jednak wówczas konieczne jest przyłożenie większego napięcia podczas zapisu. Japończycy rozwiązali problem wykorzystując wolną warstwę pokrytą laminatem. W ich propozycji warstwa niemagnetyczna (ruten) pokryta jest dwoma warstwami ferromagnetyka (CoFeB). Połączenie między warstwami ferromagnetyka można kontrolować zmieniając grubość warstwy rutenu tak, by upewnić się, że pola magnetyczne obu laminatów mają ten sam kierunek. Dzięki temu odporność na zakłócenia zwiększono pięciokrotnie, przy jedynie 80-procentowym wzroście natężenia prądu.
×
×
  • Create New...