Skocz do zawartości
Forum Kopalni Wiedzy

Znajdź zawartość

Wyświetlanie wyników dla tagów 'półprzewodniki organiczne' .



Więcej opcji wyszukiwania

  • Wyszukaj za pomocą tagów

    Wpisz tagi, oddzielając je przecinkami.
  • Wyszukaj przy użyciu nazwy użytkownika

Typ zawartości


Forum

  • Nasza społeczność
    • Sprawy administracyjne i inne
    • Luźne gatki
  • Komentarze do wiadomości
    • Medycyna
    • Technologia
    • Psychologia
    • Zdrowie i uroda
    • Bezpieczeństwo IT
    • Nauki przyrodnicze
    • Astronomia i fizyka
    • Humanistyka
    • Ciekawostki
  • Artykuły
    • Artykuły
  • Inne
    • Wywiady
    • Książki

Szukaj wyników w...

Znajdź wyniki, które zawierają...


Data utworzenia

  • Od tej daty

    Do tej daty


Ostatnia aktualizacja

  • Od tej daty

    Do tej daty


Filtruj po ilości...

Dołączył

  • Od tej daty

    Do tej daty


Grupa podstawowa


Adres URL


Skype


ICQ


Jabber


MSN


AIM


Yahoo


Lokalizacja


Zainteresowania

Znaleziono 1 wynik

  1. Elektronika z materiałów organicznych ma być przełomem pod względem łatwości produkcji i niskiej ceny popularnych urządzeń: wyświetlaczy, ekranów dotykowych. Inżynierowie z Hong Kongu usprawnili pracę pentacenowych tranzystorów warstwą nanocząsteczek srebra. Paddy Chan i Dennis Leung, wykładowcy na Uniwersytecie Politechnicznym w Hong Kongu odkryli prosty i tani sposób poprawy wydajności organicznych tranzystorów z pentacenu przy pomocy umieszczonej wewnątrz nich cienkiej warstwy srebra. Metodę taką stosowano już wcześniej - nanocząsteczki metali bowiem doskonale utrzymują ładunki elektryczne. Do tej pory jednak wymagała ona pieczołowitego (i kosztownego) umieszczania nanocząsteczek srebra na powierzchni organicznego półprzewodnika. Chan i Leung jako pierwsi umieścili srebrną warstwę wewnątrz, tworząc strukturę kanapki. Poza prostszym procesem produkcji rozwiązanie takie ma jeszcze jedną zaletę: dobierając grubość metalicznej warstwy można regulować parametry pracy tranzystora i dostosować je do konkretnych wymagań. Przykładowo, warstwa srebra grubości jednego nanometra stabilnie przechowuje ładunki przez trzy godziny, co wystarcza do zastosowania układów w roli buforów pamięci. Grubsza warstwa zachowuje się bardziej konwencjonalnie i utrzymuje ładunki przez dłuższy czas. Nadchodząca generacja organicznej elektroniki - zdaniem autorów usprawnienia - ma ogromny potencjał wykorzystania w urządzeniach powszechnego użytku, na przykład w elektronicznym papierze, giętkich i dotykowych wyświetlaczach - tam gdzie kluczową rolę odgrywa elastyczność i niska cena.
×
×
  • Dodaj nową pozycję...