Search the Community

Intel i Numonyx poinformowały o dokonaniu przełomu w technologii pamięci zmiennofazowych (PCM). Obie firmy pokazały testowy 64-megabitowy układ, w którym udało się umieścić liczne warstwy PCM na pojedynczej podstawce. Pozwoli to na zwiększenie pojemności, obniżenie kosztów oraz konsumpcji energii. Nowa pamięć korzysta z nowego typu komórki pamięci zwanego PCMS (phase change memory and switch - pamięć zmiennofazowa i przełącznik). Komórka składa się z pojedynczego elementu PCM połączonego z Ovonic Threshold Switch (OTS). To szklany przełącznik, który pod wpływem napięcia zmienia swój stan pomiędzy opornikiem, a przewodnikiem, a gdy wartości prądu spadają poniżej pewnej granicy, ponownie staje się opornikiem. Możliwość układania na sobie kolejnych warstw PCMS pozwala na zwiększenie gęstości zapisu w pamięciach PCM. Wyniki są niezwykle obiecujące. Dają one nadzieję na osiągnięcie większych gęstości, produkcję skalowalnych pamięci i użycie ich w przyszłości na tych samych polach, co pamięci NAND. To bardzo ważne, gdyż układy flash zbliżają się do swoich granic rozwoju, a zapotrzebowanie na pamięci rośnie na każdym rynku - od telefonów komórkowych po centra bazodanowe - mówi Greg Atwood z Numonyksa.