Skocz do zawartości
Forum Kopalni Wiedzy

Znajdź zawartość

Wyświetlanie wyników dla tagów 'FeRAM' .



Więcej opcji wyszukiwania

  • Wyszukaj za pomocą tagów

    Wpisz tagi, oddzielając je przecinkami.
  • Wyszukaj przy użyciu nazwy użytkownika

Typ zawartości


Forum

  • Nasza społeczność
    • Sprawy administracyjne i inne
    • Luźne gatki
  • Komentarze do wiadomości
    • Medycyna
    • Technologia
    • Psychologia
    • Zdrowie i uroda
    • Bezpieczeństwo IT
    • Nauki przyrodnicze
    • Astronomia i fizyka
    • Humanistyka
    • Ciekawostki
  • Artykuły
    • Artykuły
  • Inne
    • Wywiady
    • Książki

Szukaj wyników w...

Znajdź wyniki, które zawierają...


Data utworzenia

  • Od tej daty

    Do tej daty


Ostatnia aktualizacja

  • Od tej daty

    Do tej daty


Filtruj po ilości...

Dołączył

  • Od tej daty

    Do tej daty


Grupa podstawowa


Adres URL


Skype


ICQ


Jabber


MSN


AIM


Yahoo


Lokalizacja


Zainteresowania

Znaleziono 1 wynik

  1. Amerykańscy naukowcy dokonali ważnego kroku na drodze do opracowania wydajnych, wytrzymałych, nieulotnych pamięci RAM. Rozpowszechnienie się tanich kości tego typu pozwoliłoby np. na błyskawiczne uruchomienie komputera czy rezygnację z tradycyjnego dysku twardego, gdyż dane przechowywane byłyby w układach pamięci. Mowa tutaj o ferroelektrycznych pamięciach o swobodnym dostępie (FeRAM - Ferroelectric Random Access Memory). To nieulotne układy wykorzystujące materiał ferroelektryczny w roli kondensatora przechowującego dane. FeRAM posiadają zalety pamięci RAM i ROM. Zapewniają szybki dostęp do danych, dużą wytrzymałość, charakteryzują się niskim zapotrzebowaniem na energię elektryczną i przechowują dane po odłączeniu zasilania. W obecnie stosowanych układach FeRAM wykorzystuje się cyrkoniano-tytanian ołowiu (PZT). To drogi materiał, który zapewnia jedynie niewielką gęstość zapisu. Dlatego też FeRAM spotykamy przeważnie w wymagających mało energii i oferujących niewielką pojemność urządzeniach, które muszą charakteryzować się duża wytrzymałością, takich jak np. karty chipowe. Amerykańska Narodowa Fundacja Nauki sfinansowała prace grupy, którą kierował Darrell Schlom z Cornell University. W jej skład weszli m.in. naukowcy z NASA, Motoroli i Intela. Udało im się opracować nowy materiał ferroelektryczny dla układów FeRAM. Osiągnęli to poprzez naniesienie tytanianu strontu na krzem. Na razie specjaliści pokazali, że materiał ma właściwości ferroelektryczne i że można go wykorzystać do budowy układów pamięci. Sam Schlom przyznaje jednak, że pozostało jeszcze sporo do zrobienia.
×
×
  • Dodaj nową pozycję...