Skocz do zawartości
Forum Kopalni Wiedzy

Znajdź zawartość

Wyświetlanie wyników dla tagów ' hBN' .



Więcej opcji wyszukiwania

  • Wyszukaj za pomocą tagów

    Wpisz tagi, oddzielając je przecinkami.
  • Wyszukaj przy użyciu nazwy użytkownika

Typ zawartości


Forum

  • Nasza społeczność
    • Sprawy administracyjne i inne
    • Luźne gatki
  • Komentarze do wiadomości
    • Medycyna
    • Technologia
    • Psychologia
    • Zdrowie i uroda
    • Bezpieczeństwo IT
    • Nauki przyrodnicze
    • Astronomia i fizyka
    • Humanistyka
    • Ciekawostki
  • Artykuły
    • Artykuły
  • Inne
    • Wywiady
    • Książki

Szukaj wyników w...

Znajdź wyniki, które zawierają...


Data utworzenia

  • Od tej daty

    Do tej daty


Ostatnia aktualizacja

  • Od tej daty

    Do tej daty


Filtruj po ilości...

Dołączył

  • Od tej daty

    Do tej daty


Grupa podstawowa


Adres URL


Skype


ICQ


Jabber


MSN


AIM


Yahoo


Lokalizacja


Zainteresowania

Znaleziono 1 wynik

  1. University of Michigan informuje o odkryciu, które przyspieszy prace nad elektroniką przyszłej generacji oraz nowatorskimi źródłami światła. Naukowcy z Ann Arbor opracowali pierwszą niezawodną skalowalną metodę uzyskiwania pojedynczych warstw heksagonalnego azotku boru (hBN) na grafenie. W procesie, w którym mogą powstawać duże płachty hBN, wykorzystano powszechnie stosowany proces epitaksji z wiązek molekularnych. Urządzenia z grafenu i hBN mogą zostać wykorzystane m.in. do budowy LED emitujących światło z zakresie głębokiego ultrafioletu. Za pomocą współczesnych diod nie można uzyskać takiego zakresu fali. LED z dalekim ultrafioletem pozwoliłyby na stworzenie mniejszych urządzeń o większej wydajności, w tym nowatorskich laserów czy oczyszczaczy powietrza. Obecnie daleki ultrafiolet uzyskujemy za pomocą lamp rtęciowo-ksenonowych. Bardzo się one nagrzewają, są nieporęczne, mało wydajne i zawierają toksyczne materiały. Jeśli moglibyśmy uzyskać taki zakres promieniowania z LED oznaczałoby to taką rewolucję w urządzeniach UV jaka zaszła gdy LED zastąpiły tradycyjne żarówki, mówi profesor Zeitan Mi. Heksagonalny azotek boru to najcieńszy izolator, z kolei grafen to najcieńszy półmetal. W wyniku połączenia jednoatomowych warstw obu materiałów powstaje materiał o bardzo interesujących właściwościach. Można z niego tworzyć nie tylko LED-y pracujące w dalekim ultrafiolecie, ale też podzespoły do komputerów kwantowych, mniejszą i bardziej wydajną elektronikę oraz optoelektronikę, ma wiele innych zastosowań. Właściwości hBN są znane od lat, ale w przeszłości jedyną metoda uzyskania cienkich warstw tego materiału było fizyczne złuszczanie ich z kryształu azotku boru. To bardzo pracochłonny proces, w wyniku którego można uzyskać niewielkie płatki materiału. Nasza metoda pozwala na uzyskanie atomowej grubości warstw dowolnych rozmiarów, dodaje Mi. Grafen i heksagonalny azotek boru są bardzo cienkie, dzięki czemu można by budować z nich znacznie mniejsze i bardziej wydajne urządzenia elektroniczne niż przy użyciu obecnie stosowanych materiałów. Warstwy hBN i grafenu mogą też mieć egzotyczne właściwości pozwalające na przechowywanie kwantowej informacji, możliwość przełączania pomiędzy stanem przewodnika a izolatora czy uzyskania niezwykłych spinów elektronowych. Dotychczas jednak zawiodły wszelkie próby uzyskania jednorodnych pozbawionych wad warstw hBN, które są potrzebne, by materiał ten dobrze połączył się z grafenem. Do uzyskania użytecznego produktu potrzebne są jednorodne uporządkowane rzędy atomów hBN dopasowane do leżących poniżej atomów grafenu. Dotychczas nie udawało się tego uzyskać, wyjaśnia Ping Wang. Uczeni z University of Michigan zauważyli, że w wyższych temperaturach równe rzędy atomów hBN są bardziej stabilne niż nieuporządkowane zbiory atomów. Zaczęli więc eksperymentować z techniką epitaksji z wiązek molekularnych. To proces przemysłowy polegający na natryskiwaniu atomów na podłoże. Wang i jego koledzy użyli płachty grafenu w kształcie schodów, rozgrzali ją do około 1600 stopni Celsjusza, a następnie natryskiwali na nią atomy boru i azotu. Wyniki pozytywnie ich zaskoczyły. Na krawędziach grafenu powstały dobrze uporządkowane paski hBN, które rozszerzyły się w szerokie wstęgi. To wielki krok w kierunku komercjalizacji kwantowych struktur 2D, cieszy się Mi. « powrót do artykułu
×
×
  • Dodaj nową pozycję...