Skocz do zawartości
Forum Kopalni Wiedzy

Znajdź zawartość

Wyświetlanie wyników dla tagów ' FinFET' .



Więcej opcji wyszukiwania

  • Wyszukaj za pomocą tagów

    Wpisz tagi, oddzielając je przecinkami.
  • Wyszukaj przy użyciu nazwy użytkownika

Typ zawartości


Forum

  • Nasza społeczność
    • Sprawy administracyjne i inne
    • Luźne gatki
  • Komentarze do wiadomości
    • Medycyna
    • Technologia
    • Psychologia
    • Zdrowie i uroda
    • Bezpieczeństwo IT
    • Nauki przyrodnicze
    • Astronomia i fizyka
    • Humanistyka
    • Ciekawostki
  • Artykuły
    • Artykuły
  • Inne
    • Wywiady
    • Książki

Szukaj wyników w...

Znajdź wyniki, które zawierają...


Data utworzenia

  • Od tej daty

    Do tej daty


Ostatnia aktualizacja

  • Od tej daty

    Do tej daty


Filtruj po ilości...

Dołączył

  • Od tej daty

    Do tej daty


Grupa podstawowa


Adres URL


Skype


ICQ


Jabber


MSN


AIM


Yahoo


Lokalizacja


Zainteresowania

Znaleziono 1 wynik

  1. Tajwański gigant TSMC, podczas Technology Symposium, zdradził nieco szczegółów na temat technologii 3- i 2-nanometrowych. Układy w technologii 3 nanometrów mają zjeżdżać z fabrycznych taśm w drugiej połowie przyszłego. roku. N3 będzie wykonany w technologii FinFET, a układy te mają być o 10-15 procent bardziej wydajne niż N5 przy tym samym poborze mocy. Zaś przy tej samej prędkości pracy N3 będą pobierały o 25–30 procent mniej energii niż N5. N3 pozwoli na zwiększenie gęstości upakowania układów logicznych o 70%, gęstość SRAM o 20%, a podzespołów analogowych o 10%. Wydaje się też, że klienci są bardzo zainteresowani układami N3. TSMC informuje, że już w tej chwili ma 2-krotnie więcej zamówień na N3 niż w analogicznym momencie było ich na N5. Jednak prawdziwym skokiem technologicznym dla TSMC będzie proces technologiczny N2. Układy 2-nanometrowe nie będą korzystały z technologii FinFET. Firma wykorzysta technologię nanopowłok. To najważniejsza zmiana od lat. TSMC informuje, że tranzystory z nanopowłok charakteryzują się aż 15-procentowym spadkiem zmienności napięcia progowego (Vt) w porównaniu  z „bardzo dobrymi” tranzystorami FinFET. W przemyśle półprzewodnikowym Vt odnosi się do minimalnego napięcia wymaganego, by obwód działał i nawet najmniejsza zmienność w tym zakresie może prowadzić do problemów projektowych oraz spadku wydajności układu, wyjaśniają przedstawiciele TSMC. Firma potwierdziła jednocześnie swoje plany odnośnie budowy fabryki produkującej układy w technologii N2. Fabryka taka powstanie w Hsinchu na Tajwanie, a firma właśnie negocjuje zakup ziemi pod jej budowę. « powrót do artykułu
×
×
  • Dodaj nową pozycję...