Znajdź zawartość

Intel i Numonyx poinformowały o dokonaniu przełomu w technologii pamięci zmiennofazowych (PCM). Obie firmy pokazały testowy 64-megabitowy układ, w którym udało się umieścić liczne warstwy PCM na pojedynczej podstawce. Pozwoli to na zwiększenie pojemności, obniżenie kosztów oraz konsumpcji energii. Nowa pamięć korzysta z nowego typu komórki pamięci zwanego PCMS (phase change memory and switch - pamięć zmiennofazowa i przełącznik). Komórka składa się z pojedynczego elementu PCM połączonego z Ovonic Threshold Switch (OTS). To szklany przełącznik, który pod wpływem napięcia zmienia swój stan pomiędzy opornikiem, a przewodnikiem, a gdy wartości prądu spadają poniżej pewnej granicy, ponownie staje się opornikiem. Możliwość układania na sobie kolejnych warstw PCMS pozwala na zwiększenie gęstości zapisu w pamięciach PCM. Wyniki są niezwykle obiecujące. Dają one nadzieję na osiągnięcie większych gęstości, produkcję skalowalnych pamięci i użycie ich w przyszłości na tych samych polach, co pamięci NAND. To bardzo ważne, gdyż układy flash zbliżają się do swoich granic rozwoju, a zapotrzebowanie na pamięci rośnie na każdym rynku - od telefonów komórkowych po centra bazodanowe - mówi Greg Atwood z Numonyksa.

Samsung rozpoczął produkcję zmiennofazowych pamięci RAM (PRAM). Układy o pojemności 512 megabitów przeznaczone są dla telefonów komórkowych i innych niewielkich urządzeń zasilanych bateriami. Jeśli Samsungowi szybko uda się wdrożyć produkcję na dużą skalę, to wyprzedzi na rynku firmę Numonyx, wspólne przedsięwzięcie Intela i STMicroelectronics. Zmiennofazowe układy RAM (PRAM - phase-change random access memory) to pamięci nieulotne, co oznacza, że przechowywane w nich informacje nie zostają utracone po odłączeniu zasilania. Pojedyncza komórka pamięci PRAM zbudowana jest z diod i trójwymiarowej struktury tranzystorów. Samsung informuje też, że pojedyncza komórka pamięci PRAM ma powierzchnię jedynie 0,0467 mikrometra kwadratowego, a więc jest obecnie najmniejszą powierzchnią zdolną do przechowywania informacji, w której sąsiadujące ze sobą komórki nie zakłócają się wzajemnie. Dodatkową zaletą PRAM jest fakt, że przeciwieństwie do używanych obecnie układów flash, stare dane nie muszą zostać najpierw wykasowane, by można było zapisać nowe informacje. Samo kasowanie odbywa się też znacznie szybciej. Nowy układ usuwa informacje ponad 10-krotnie szybciej niż kości NOR flash, a 5-megabitowe bloki danych są usuwane i ponownie zapisywane w czasie 7-krotnie krótszym. Koreańska firma obiecuje, że dzięki wykorzystaniu PRAM urządzenia zasilane bateriami będą pracowały o 20% dłużej. Układy zostaną stworzone w 60-nanometrowym procesie produkcyjnym. Ich cena nie jest znana.