Znajdź zawartość

Elpida Memory, trzeci co do wielkości producent układów DRAM, złożył w tokijskim sądzie wniosek o upadłość. Zadłużenie firmy sięgnęło 5,5 miliarda dolarów. W latach 2006-2007 znacząco zwiększono zdolności produkcyjne układów pamięci, co doprowadziło do nadmiernej podaży i gwałtownego spadku cen, trwającego do dzisiaj. Jak informuje iSuppli, obecnie ceny układów DRAM są o 50% niższe niż przed rokiem. Jakby tego było mało w roku 2008 rozpoczął się kryzys ekonomiczny, a silny jen oraz powodzie w Tajlandii dopełniły dzieła. Elpida nie była w stanie poradzić sobie z tak dużym nagromadzeniem niekorzystnych czynników. Na razie nie wiadomo, co stanie się z Elpidą. Jeśli firma całkowicie wstrzyma produkcję, to ceny układów pamięci wzrosną co zmusi producentów komputerów do podniesienia cen maszyn lub ograniczenia ilości stosowanej pamięci. Kłopoty mogą czekać również rynek urządzeń mobilnych, na którym margines zysku jest niewielki, więc zatrzymanie produkcji przez dużego dostawcę może oznaczać albo podniesienie cen, albo znaczący spadek zysku. W czwartym kwartale ubiegłego roku do Elpidy należało 15,4% rynku DRAM. Większymi graczami byli tylko Samsung (53%) i Hynix (22,9%).

Elpida poinformowała o wyprodukowaniu pierwszego własnego prototypu pamięci ReRAM. Kość wykonano w technologii 50 nanometrów, a jej pojemność wynosi 64 megabity. ReRAM (Resistance Random Access Memory) to pamięć nieulotna zbudowana z materiałów, które zmieniają oporność w odpowiedzi na zmiany napięcia elektrycznego. Największą zaletą ReRAM jest niezwykle szybka praca przy bardzo niskim napięciu. Ma ona obie zalety pamięci DRAM, czyli szybką pracę, oraz pamięci flash, czyli możliwość przechowywania danych po odłączeniu zasilania. Czas zapisu danych na ReRAM wynosi około 10 nanosekund, czym dorównuje układom DRAM, jest za to znacznie bardziej wytrzymała niż flash, gdyż umożliwia dokonanie ponad miliona cykli zapisu/odczytu danych. Przed kilkoma miesiącami informowaliśmy o stworzeniu przez Samsunga prototypowej komórki ReRAM, wytrzymującej bilion cykli zapis/odczyt. Elpida ma nadzieję, że pierwsze przeznaczone do sprzedaży kości ReRAM rozpocznie produkować już w przyszłym roku. Mają być one wykonane w technologii 30 nm, a ich pojemność ma być liczona w gigabitach. ReRAM może stać się konkurentem powszechnie wykorzystywanych układów flash, szczególnie na rynku urządzeń przenośnych, gdzie duże znaczenie ma ilość energii potrzebnej do obsługi pamięci.

Już w 2013 roku do sklepów mają trafić pierwsze chipy zbudowane na memrystorach. Zastąpią one układy flash i wyznaczą początek rewolucji na rynku układów pamięci. Stan Williams z HP, współtwórca memrystora, występując podczas International Electronic Forum 2011 stwierdził, że w ciągu 18 miesięcy jego firma rozpocznie sprzedaż kości, które zastąpią flash. Na tym jednak nie koniec. Być może w 2014, a na pewno w 2015 stworzymy konkurencję dla DRAM, a później zastąpimy SRAM - powiedział Williams. O zastąpieniu flasha już zdecydowaliśmy. Teraz pracujemy nad DRAM i sądzimy, że nowe układy będą zużywały na każdy bit o dwa rzędy wielkości mniej energii potrzebnej do przełączania układu - dodał. Opracowana przez HP technologia pozwala na umieszczenie układu pamięci bezpośrednio na procesorze. Dzięki temu dane w ogóle nie opuszczają układu scalonego. To oznacza, że otrzymujemy poprawę szybkości działania odpowiadającą 20 latom obowiązywania Prawa Moore'a - stwierdził Williams. Dodał przy tym, że możliwe jest umieszczanie dowolnej liczby warstw podzespołów o grubości 5 nanometrów każda. W jednej takiej warstwie może znaleźć się nawet 500 miliardów memrystorów. Przedstawiciel HP zapowiada wielkie zmiany na rynku. Jesteśmy największym na świecie kupcem pamięci DRAM i drugim co do wielkości nabywcą układów flash. Chcemy całkowicie przeorganizować nasz łańcuch dostaw. Mamy zamiar licencjonować naszą technologię każdemu chętnemu. Jednak trzeba będzie poczekać w kolejce. Bardzo wiele osób jest tym zainteresowanych. Zdecydowaliśmy się na taki krok, gdyż, szczerze mówiąc, nie widzimy zbyt wielu innowacji na tym rynku - zapowiedział. Memrystor zwany jest inaczej opornikiem pamięci. Zapamiętuje on skąd i ile informacji przepływa, sam usprawnia swoje działanie tak, by przepływ był jak najbardziej wydajny. Potrafi też zmieniać oporność w zależności od wartości i kierunku przyłożonego napięcia. Zapamiętuje również oporność po odłączeniu zasilania. Dzięki tym właściwościom pojedynczy memrystor może działać jak wiele (od 7 do 12) tranzystorów, pozwoli też na skonstruowanie mniejszej, tańszej, szybszej i bardziej energooszczędnej pamięci flash. Niewykluczone, że memrystory pozwolą również na zrewolucjonizowanie rynku układów FPGA - czyli programowalnych układów scalonych, które na bieżąco można dostosowywać do zadań, które mają wykonać. FPGA są niezwykle drogie, duże i powolne. Być może dzięki memrystorom pozbędziemy się ich wad, a zachowamy zalety. Jakby jeszcze tego było mało badacze z HP stwierdzili, że memrystory są bardziej przydatne niż przypuszczano. Okazało się bowiem, że są one w stanie nie tylko zapamiętywać dane, ale również przeprowadzać obliczenia. To z kolei oznacza, że zamiast budować osobne procesory możliwe będzie wykonywanie obliczeń przez same kości pamięci.

Analitycy prognozują, że wkrótce będziemy świadkami olbrzymiego spadku cen układów pamięci DRAM. W drugim kwartale 2-gigabitowa kość DDR3 kosztowała u producenta 2,10 USD. Jeszcze w trzecim kwartale średnia cena tego typu układów może spaść do 1,60 USD, w czwartym kwartale spadek może sięgnąć kolejnych 22%, a cena kości osiągnie poziom 1,25 USD. Spadające ceny to efekt rosnącej produkcji przy jednoczesnym zmniejszającym się popycie na pecety. Ceny układów pamięci powinny zacząć rosnąć w trzecim i czwartym kwartale. Tym razem jednak się tak nie stanie. Analitycy mówią, że w bieżącym kwartale na rynek trafi o 15,9% układów więcej niż w drugim kwartale 2011, dlatego też ceny będą spadały. Obniżenie się ceny z 2,10 do 1,25 dolarów to zła wiadomość dla producentów, gdyż czeka ich olbrzymia redukcja zysków.

Firma OCZ Technology ogłosiła, że z końcem lutego wycofa się z rynku układów pamięci DRAM. Rynek ten przeżywa obecnie kryzys, a OCZ woli skupić się produkcji SSD. Biorąc pod uwagę słabość rynku RAM i rosnące potrzeby kapitałowe firmy na rynku SSD, rada nadzorcza zdecydowała, że w najlepszych interesie akcjonariuszy leży przyspieszenie planu zaprzestania produkcji modułów DRAM do końca bieżącego roku podatkowego, czyli do 28 lutego 2011 roku. W kolejnych latach podatkowych należy zatem spodziewać się, że sprzedaż naszych produktów DRAM będzie minimalna, o ile w ogóle będą sprzedawane - czytamy w oświadczeniu OCZ. Do podjęcia takiej decyzji przyczyniły się z pewnością coraz lepsze wyniki finansowe na rynku SSD. W trzecim kwartale bieżącego roku podatkowego wpływy z tego typu produktów wzrosły dwukrotnie, a produkcja SSD daje już 78% przychodów OCZ Technology. Firma skupi się zatem przede wszystkim na produkcji dysków twardych, ale wciąż będzie wytwarzała też pamięci flash i zasilacze. Zanim DRAM OCZ znikną z rynku do sklepów trafią jeszcze kości z rodziny Fatal1ty przeznaczone dla platformy Sandy Bridge oraz moduły XMP.

Gartner przewiduje, że w bieżącym roku światowy przemysł półprzewodnikowy będzie świadkiem olbrzymich spadków przychodów. Kryzys gospodarczy spowoduje, że będą one znacznie niższe, niż prognozowano jeszcze w połowie grudnia. Wówczas analitycy Gartnera twierdzili, że w porównaniu z rokiem 2008 obniżą się one o 16%. Tym razem uważają, iż będziemy mieli do czynienia ze spadkiem rzędu 24,1%, a dochód producentów półprzewodników wyniesie 194,5 miliarda dolarów. Sytuacja ma poprawić się w 2010 roku, kiedy to przychód wzrośnie o 7,5% w porównaniu z rokiem bieżącym. W latach 2010-2012 przemysł półprzewodnikowy ma, zdaniem Gartnera, notować ciągły wzrost przychodów, jednak nawet w roku 2012 wartość sprzedaży półprzewodników ma wynieść 253,4 miliarda USD, czyli mniej niż w roku 2008, kiedy to wyniosła ona 256,4 miliarda dolarów. Warto przypomnieć, że większy spadek przychodów zanotowano w 2001 roku, gdy zmniejszyły się one o 32,5%. Dopiero po czterech latach powrócono do poziomu z roku 2000. Skutki kryzysu widać już w segmencie wytwarzającym układy DRAM. Niektórzy producenci zaczynają bankrutować. W związku z tym, możemy spodziewać się spadku podaży i wzrostu cen układów DRAM w drugiej połowie bieżącego roku. Specjaliści prognozują, że przewidywany spadek przychodów pociągnie za sobą aż 33-procentowy spadek dochodów. Firmy powinny uważnie przyjrzeć się swoim wydatkom, jednak bardzo ostrożnie muszą podejmować decyzję o ograniczeniu inwestycji w prace badawczo-rozwojowe. To one bowiem mogą zadecydować w przyszłości o być lub nie być firmy.

Elpida i Rambus ogłosiły powstanie najbardziej wydajnych układów pamięci DRAM na świecie. Kości XDR pracują z częstotliwością 4,8 gigaherca i zapewniają transfer danych rzędu 9,6 gigabita na sekundę. Tak szybkie układy przydadzą się w urządzeniach HDTV, konsolach do gier, stacjach roboczych czy serwerach. W tej chwili Elpida udostępniła układy o pojemności 512 megabajtów. Wyprodukowano je w technologii 70 nanometrów. Kości wykorzystują kilka technologii Rambusa, takich jak DRSL (DIfferential Rambus Signaling Level), która minimalizuje zakłócenia sygnału, czy ODR (Octal Data Rate), umożliwiająca przesyłanie 8 bitów danych w jednym cyklu zegara. Dzięki temu układ taktowany zegarem o częstotliwości 600 MHz pracuje z częstotliwością 4,8 GHz. Wydajność najnowszych kości Elpidy jest sześciokrotnie wyższa niż standardowych układów DDR2-800.

Część rynkowych analityków zwraca uwagę, że teraz jest najlepszy moment na kupno pamięci RAM. Ceny są rekordowo niskie i prawdopodobnie w najbliższych tygodniach będziemy świadkami ich gwałtownego wzrostu. Samsung, największy producent układów pamięci, zaprzestał ich dostarczania swoim partnerom handlowym takim jak Dell czy HP. Koreańczycy podjęli taką decyzję, ponieważ ceny spadł do zbyt niskiego, ich zdaniem, poziomu. Producenci komputerów domagają się bowiem, by sprzedawano im układy DRAM w cenie 14 dolarów za moduł o pojemności 512 MB i 28 USD za jednogigabajtową kość DDR2. W tej chwili średnie ceny hurtowe tego typu produktów wynoszą 17,50 dolara za DDR2-533 o pojemności 512 megabajtów oraz 35 dolarów za moduł DDR2-667 o pojemności 1 gigabajta.

Samsung, od lat lider rynku układów pamięci, zanotował rekordowo niski poziom sprzedaży. Firma wciąż posiada największe udziały na rynku, ale konkurencja jest niebezpiecznie blisko. Koreańskie przedsiębiorstwo odpowiedziało na problemy zwiększając produkcję o niemal 100% co, zdaniem firmy Gartner, może spowodować, że przez najbliższy rok będziemy mieli do czynienia ze znaczą przewagą podaży nad popytem. Analitycy już prognozują, iż w najbliższym czasie ceny układów pamięci spadną do rekordowo niskiego poziomu. W pierwszym kwartale ubiegłego roku udziały Samsunga na rynku pamięci DRAM spadły do 25,5%. Tuż za nim jest Hynix, którego do lidera dzieli jedynie 2,7 punktu procentowego. Od 2000 roku żaden z rynkowych rywali nie był tak blisko Samsuga. Koreańsą firmę od konkurencji dzieliło zwykle średnio 13 punktów procentowych. Andrew Norwood, wiceeprezes Gartner Research, uważa, że Samsung tak bardzo boi się utraty pozycji lidera na ryku DRAM, że zdecydował się zwiększyć produkcję pomimo tego, iż znacznie większe profity można osiągnąć produkując kości flash typu NAND. Wygląda na to, że przemysł produkujący kości DRAM powrócił do swojego klasycznego modelu – walki o rynkowe udziały, bez zwracania uwagi na rentowność – mówi Norwood. W pierwszym kwartale bieżącego roku wartość rynku pamięci DRAM spadła, w porównaniu z ostatnim kwartałem 2006 z 10,845 do 9,591 miliarda dolarów. Oznacza to spadek przychodów o 11,6%. W tym samym czasie przychody Samsunga spadły aż o 22,3%, z 3,155 do 2,450 miliarda USD.

Samsung Electronics rozpoczął masową produkcję pierwszych w historii 1-gigabitowych kości DDR2 wykonanych w technologii 60 nanometrów. Wdrożenie nowego procesu technologicznego oznacza 40% wzrost wydajności produkcji w porównaniu z technologią 80 nanometrów. Wraz z premierą systemu operacyjnego Windows Vista rośnie zapotrzebowanie na coraz bardziej pojemne i wydajne układy pamięci. Dlatego też koreańska firma zaoferuje wkrótce moduły o pojemności 512 MB oraz 1 i 2 gigabajty. Wydajność układów wynosi 667 i 800 megabitów na sekundę. Analitycy oceniają, że w przyszłym roku 60-nanometrowy proces produkcyjny DRAM będzie główną metodą wytwarzania kości pamięci. Szacuje się, że w pierwszym roku sprzedaży rynek tego typu układów będzie warty 2,3 miliarda dolarów, a w 2009 jego wartość wzrośnie do 32 miliardów.

Samsung pokazał pierwsze pierwsze 1-gigabitowe układy DRAM wykonane w technologii 80 nanometrów. To kolejne osiągnięcie koreańskiej firmy na polu układów pamięci. W październiku firma zaprezentowała prototypy 50-nanometrowych kiości, a w listopadzie nową obudowę MCP mieszczącą 16 kości. Nowe 1-gigabitowe DRAM-y umożliwią wykonanie układów o pojemności 512 megabajtów o 20% cieńszych niż obecnie budowane układy. Kości takie pobierają ponadto o 30% mniej energii niż ich poprzednicy. Ich masowa produkcja zostanie uruchomiona w drugim kwartale przyszłego roku.

Kolejny menedżer Samsunga powędruje do więzienia w związku z oskarżeniami o konspirację w celu ustalania cen na układy DRAM. Young Hwan Park, były wiceprezes ds. sprzedaży w Samsungu został uznany winnym zarzucanych mu czynów i skazany na 10 miesięcy więzienia oraz 250 tysięcy dolarów grzywny. Park to piąty przedstawiciel kierownictwa koreańskiej firmy, który więzieniem zapłaci za złamanie liczącej ponad 100 lat Ustawie Shermana. Amerykański Departament Sprawiedliwości od trzech lat prowadzi śledztwo w sprawie ustalania cen na rynku pamięci DRAM. Urząd oskarżył do tej pory czterech producentów (Samsung, Hynix, Elpida, Infineon) oraz 18 osób. W listopadzie 2005 roku do przestępstwa przyznał się Samsung, największy producent DRAM na świecie, i został skazany na 300 milionów USD grzywny. Hynix, drugi pod względem wielkości produkcji, został skazany w maju 2005 na grzywnę w wysokości 185 milionów dolarów. Elpida zapłaciła w styczniu tego samego roku 84 miliony dolarów. Najwcześniej do popełnienia przestępstwa przyznał się niemiecki Infineon. W październiku 2004 sąd wymierzył firmie karę w wysokości 160 milionów USD.

Hynix Semiconductor opracował najmniejszą i najszybszą kość DRAM o pojemności 512 megabitów. Układ przeznaczony jest dla urządzeń przenośnych. Urządzenie pracuje z zegarem o częstotliwości 200 megaherców i jest w stanie przetworzyć 1,6 gigabita danych w ciągu sekundy. Jego wymiary to 8x10 milimetrów. Hynix chce zamknąć tego typu układy DRAM oraz kości NAND Flash w jednej obudowie, co pozwoli na stworzenie mniejszych telefonów komórkowych.

Pamięci MRAM czyli magnetorezystywne układy RAM, mają już w niedalekiej przyszłości zastąpić kości flash. Ich zwolennicy twierdzą też, że już w 2010 roku zaczną powoli wypierać układy DRAM. Informacje przechowywane są w układach MRAM nawet po odłączeniu zasilania (działają więc podobnie jak kości flash), na cienkich magnetycznych warstwach. Otwarcie obudowy takiego układu oznacza, że będziemy mieli dostęp do każdej z warstw i posiadając odpowiedni sprzęt oraz umiejętności, będziemy w stanie odczytać zapisane na nich informacje. Budzi to niepokój szczególnie tam, gdzie przechowywane są tajne dane, takie jak hasła czy klucze szyfrujące. Philips postanowił zaradzić temu problemowi i proponuje układy MRAM, które automatycznie niszczą zawartość po otwarciu obudowy. Każda z warstw przechowujących dane w kościach MRAM Philipsa owinięta zostanie cienką warstwą metalu, nad którym znajdzie się magnes. Tak długo, jak metal otula warstwę służącą do przechowywania danych, zawarte na niej informacje są bezpieczne. Otwarcie obudowy układu spowoduje jednak, że zabezpieczający metal zostaje usunięty z warstw, które ma chronić, a wówczas oddziaływanie pola magnetycznego pobliskich magnesów spowoduje, że informacje ulegną natychmiastowemu wymazaniu. System działa pasywnie, co oznacza, że odłączenie prądu nie spowoduje przerwy w działaniu "magnesów-niszczycieli".